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高熵合金
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我国科研人员实现温和条件下合成亚纳米级高熵合金
科技日报· 2025-10-20 17:22
技术突破 - 科研团队利用激光辐照技术成功创制出亚纳米级高熵合金,该方法具备广泛普适性,可制备包含多达十种金属元素的合金 [1] - 新技术在温和条件下利用激光激发的等离激元光热效应和热电子效应实现多种金属的均匀混合,克服了传统高温合成方法的局限 [1] - 纳秒脉冲激光可在极短时间内将颗粒表面温度迅速提升至2000摄氏度以上,再以每秒超过十亿度的速度迅速冷却,实现“快热快冷”过程 [1] 性能优势 - 制备的金、铂、钌、铑、铱5种金属组成的亚纳米高熵合金在电解水产氢反应中表现出卓越的催化活性和稳定性 [2] - 在质子交换膜电解槽中,其性能明显优于目前商用的铂碳催化剂和二氧化钌催化剂 [2] - 高熵合金如同高效团队,每种金属各司其职,能协同完成单一材料难以实现的任务 [2] 行业应用前景 - 高熵合金因其独特结构和性能在新能源领域展现出巨大潜力,被视为理想的催化剂材料 [2] - 激光合成新方法极大拓展了高熵合金的材料体系与适用范围,有望推动其在能源、催化等领域的实际应用 [2] - 该技术为新材料研发提供全新思路,具备广泛普适性 [1][2]
亚纳米级!我国团队成功创制这一关键材料
科技日报· 2025-10-20 08:40
技术突破 - 科研团队利用激光辐照技术成功创制出亚纳米级高熵合金 [1] - 新方法具备广泛普适性,可制备包含多达十种金属元素的高熵合金 [1] - 纳秒脉冲激光可在极短时间内将颗粒表面温度迅速提升至2000摄氏度以上,再以每秒超过十亿度的速度迅速冷却 [1] 工艺优势 - 激光合成新方法在温和条件下实现了多种金属的均匀混合,克服了传统合成方法的局限 [1] - “快热快冷”过程成功将合金颗粒尺寸控制在亚纳米级别 [1] 应用前景 - 该项技术极大拓展了高熵合金的材料体系与适用范围 [1] - 新技术有望推动高熵合金在能源、催化等领域的实际应用 [1] - 该研究为新材料研发提供了全新思路 [1]
中国科研团队合成一种新型合金 助力电解水产氢
中国新闻网· 2025-10-20 06:38
技术突破 - 安徽师范大学与联合团队利用激光辐照技术实现了亚纳米级高熵合金的创制[1] - 该方法具有广泛普适性,可制备含有多达十种金属元素的亚纳米级高熵合金[1] - 纳秒脉冲激光可在极短时间内将颗粒表面温度迅速提升至2000摄氏度以上,再以每秒超过十亿度的速度冷却[2] 技术优势 - 快热快冷过程突破了传统合成方法的限制,使不同金属元素均匀分散并合金化,同时实现颗粒尺寸微小化[2] - 该技术在温和条件下实现了多种金属的均匀混合,克服了传统高熵合金合成需高温且对元素种类有限制的难题[1][2] - 新型激光合成方法大大拓宽了高熵合金的材料选择范围[2] 应用前景 - 高熵合金在新能源等多个领域展现出广阔应用前景,是一种极具潜力的催化剂材料[2] - 科研团队制备的由金、铂、钌、铑、铱五种金属组成的亚纳米高熵合金作为电解水催化剂,表现出优异的产氢、产氧活性和稳定性[2] - 该技术有望推动高熵合金在更多关键领域的实际应用[2]
这种大芯片,大有可为
半导体行业观察· 2025-07-02 09:50
核心观点 - 人工智能模型规模呈指数级增长,传统单芯片GPU架构在可扩展性、能源效率和计算吞吐量方面面临显著局限性 [1] - 晶圆级计算成为变革性范式,通过将多个小芯片集成到单片晶圆上提供前所未有的性能和效率 [1] - Cerebras WSE-3和特斯拉Dojo等晶圆级AI加速器展现出满足大规模AI工作负载需求的潜力 [1] - 台积电CoWoS等新兴封装技术有望将计算密度提高多达40倍 [1] AI硬件发展历程 - Cerebras里程碑包括2019年WSE-1、2021年WSE-2和2024年WSE-3的发布 [3] - NVIDIA产品线从1999年GeForce 256演进至2024年Blackwell B100/B200 GPU [3] - Google TPU系列从2015年初代发展到2024年TPU v6e [5] - 特斯拉于2021年宣布进入AI硬件领域推出Dojo系统 [5] 晶圆级计算优势 - 提供卓越带宽密度,特斯拉Dojo系统每个芯片边缘实现2TB/s带宽 [10] - 实现超低芯片间延迟,Dojo仅100纳秒,远低于NVIDIA H100的12毫秒 [10] - 物理集成度高,Dojo单个训练芯片集成25个芯片,传统方案需10倍面积 [11] - 台积电预计2027年CoWoS技术将提供比现有系统高40倍计算能力 [12] 主要AI训练芯片对比 - Cerebras WSE-3:46,225平方毫米面积,4万亿晶体管,90万个核心,21PB/s内存带宽 [15] - 特斯拉Dojo D1芯片:645平方毫米面积,1.25万亿晶体管,8,850个核心,2TB/s内存带宽 [16] - Graphcore IPU-GC200:800平方毫米面积,236亿晶体管,1,472个核心,47.5TB/s内存带宽 [17] - Google TPU v6e:700平方毫米面积,3.2TB/s内存带宽 [17] 性能比较 - WSE-3在FP16精度下峰值性能达125PFLOPS,支持24万亿参数模型训练 [25] - NVIDIA H100在FP64精度下提供60TFLOPS计算能力 [27] - WSE-3训练700亿参数Llama 2模型比Meta现有集群快30倍 [29] - WSE-3运行80亿参数模型时token生成速度达1,800/s,H100仅为242/s [29] 能效比较 - WSE-3功耗23kW,相同性能下比GPU集群能效更高 [75] - NVIDIA H100能效为7.9TFLOPS/W,A100为0.78TFLOPS/W [74] - WSE-3消除芯片间通信能耗,传统GPU互连功耗显著 [76] - 数据中心冷却系统占总能耗40%,液冷技术成为关键 [83] 制造工艺 - WSE-3采用台积电5nm工艺,4万亿晶体管集成在12英寸晶圆上 [66] - Dojo采用台积电7nm工艺,模块化设计包含25个D1芯片 [68] - WSE-3使用铜-铜混合键合技术,Dojo采用InFO封装技术 [71] - 两种架构均需应对良率挑战,采用冗余设计和容错机制 [67][70] 应用场景 - WSE-3适合大规模LLM、NLP和视觉模型训练 [54] - NVIDIA H100更适合通用AI训练和HPC应用 [54] - Dojo专为自动驾驶和计算机视觉工作负载优化 [57] - GPU集群在数据中心可扩展性方面表现更优 [54]
研判2025!中国高熵合金行业制备工艺、相关政策、市场规模及发展趋势分析:高熵合金加速从实验室迈向产业化[图]
产业信息网· 2025-05-06 09:20
高熵合金行业概述 - 高熵合金概念于2004年提出 多种元素按近/等原子比例混合形成简单固溶体结构而非复杂金属间化合物[1][2] - 具备四大核心效应 包括热力学高熵效应(单相固溶体)、晶体结构晶格畸变效应、动力学扩散迟滞效应及鸡尾酒效应(优异综合性能)[1][2] - 打破传统合金以混合焓为主的设计理念 开辟广阔新材料成分设计空间[1][2] 高熵合金分类体系 - 按相结构类型分类 包括FCC型(如FeCoCrNiMn合金)、BCC型(难熔高熵合金)、HCP型(稀土元素组成)、非晶型及金属间化合物型[4] - 按相种类分类 涵盖单相(高温稳定性>900℃)、双相(如FCC+BCC)、共晶(FCC基体+硬质相)及多相高熵合金[4] 制备工艺与技术 - 制备方法分为固相成形(机械合金化)、液相成形(电弧熔炼/激光熔覆)和气相成形(磁控溅射/脉冲激光沉积)三大类[6][8] - 机械合金化可制备纳米晶颗粒但易引入杂质[8] 电弧熔炼工艺成熟但产品脆性较大[8] 激光熔覆可实现表面改性但易产生裂纹[8] - 磁控溅射法制备薄膜厚度均匀但靶利用率低[8] 脉冲激光沉积对基底温度要求低但无法制备大尺寸产品[8] 政策支持与标准建设 - 2023年《前沿材料产业化重点发展指导目录(第一批)》将高熵合金列为重点材料[9][10] - 多部门政策支持研发工程化 包括《有色金属行业稳增长工作方案》及甘肃、重庆、宁夏等地专项规划[9][10] - 国家标准GB/T 42787-2023规范增材制造用高熵合金粉 于2024年3月实施[11][12] 团体标准T/CIET 948-2024覆盖涂层技术要求[12] 行业发展现状 - 过渡元素高熵合金主元素包括Al、Cr、Fe、Ni等 AlCrFeNi、CoCrFeNi为常用组合[12] 难熔高熵合金以Mo、Ti、Nb等为主 具备优异高温性能[12] - 应用集中于国防、航空、航天等领域[1][14] 中辰至刚在宁夏建成首条中试产线实现工程化突破[14] - 多数研究处于实验室阶段 工业化推广缓慢 纳米颗粒制备存在技术挑战[1][14] 2024年行业市场规模仅0.83亿元[1][14] 未来发展趋势 - 制备技术有望突破实现规模化生产[1][16] 通过成分设计和工艺优化开发高性能定制材料[1][16] - 随性能研究深入与成本降低 应用领域将进一步扩展[1][16]