9月12日，拓荆科技发布公告，公司拟定增募资不超过46亿元，扣除发行费用后的募集资金净额拟投入 高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目并补充流动资金。其中，高端半导体 设备产业化基地建设项目系公司使用首次公开发行募集资金2.68亿元投资的项目，公司拟使用本次募集 资金15亿元对其进行追加投资。 据披露，高端半导体设备产业化基地建设项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净 间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半 导体设备产业化基地。 拓荆科技称，本次项目的实施将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、 HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，以充 分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。 近年来，受益于下游市场需求旺盛，凭借在半导体薄膜沉积设备领域强大的技术实力，拓荆科技业务规 模呈现快速增长趋势，产能利用率处于较高水平。拓荆科技还称，为了应对未来市场需求不断增长、芯 片工艺持续迭代所带来的高端半导体设备需求的增加 ...