如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源 ：内容 编译自 chosun 。 在全球存储芯片行业最新战场——10纳米级第六代DRAM领域（1c、11-12纳米级）争夺战中，三 星电子与SK海力士采取了截然不同的策略。 EUV 的波长为 13.5 纳米，是传统半导体曝光工艺材料 ArF（氟化氩）的十三分之一，使其成为 实现超精细工艺的理想光源。然而，由于技术难度高、设备成本高，目前 EUV 仅适用于需要超精 细电路的特定层。对于其余层，则使用现有的传统工艺，例如深紫外 (DUV)。 为了从上一代产品的挫折中恢复过来，三星迅速采取行动，投资新的生产设施，而 SK 海力士则推 迟大规模支出，直到在与包括 Nvidia 在内的主要客户谈判中确认明年的供应承诺，确保盈利能 力。 预计三星将比SK海力士提前三到四个月开始量产1c DRAM。分析师表示，如果三星成功向英伟达 供应采用新工艺生产的DRAM的第四代高带宽内存（HBM4），它有望重夺约30年来首次失去的 市场领先地位。 每一代 DRAM 都采用更先进的制程技术，通过缩小电路线宽来减小芯片尺寸并提高密度，从而提 升性能和能效。三星、SK 海力士和美国美光科技公 ...

DRAM市场格局变化 - SK海力士在2023年第一季度以36%的市场份额（97.2亿美元销售额）超越三星电子（33.7%），成为全球DRAM市场第一，美光以24.3%位列第三 [1] - 与2022年第一季度相比，三星电子市场份额从43.9%降至33.7%，SK海力士从31.1%升至36%，差距从超10个百分点逆转为反超2.3个百分点 [2] - 市场研究机构Counterpoint Research同样确认SK海力士36%对三星34%的领先优势 [1] HBM技术竞争驱动因素 - SK海力士凭借HBM3E高价值产品（占出货比例上升）及NVIDIA第五代HBM3E独家供应地位实现反超，并已提前提供第六代HBM4样品 [2] - 三星电子因HBM3E产品NVIDIA认证延迟一年以上且无法直接销往中国，导致HBM3E出货量下降 [2] - 三星正调整战略：削减HBM2E旧型号产能，重点开发HBM4（第六代），重新设计10纳米级1c DRAM以提升良率，预计下半年量产 [3] 市场动态与未来展望 - 2023年Q1全球DRAM市场总销售额环比下降5.5%至270.1亿美元，主因DRAM合约价下跌及HBM出货减少，但TrendForce预测Q2将恢复增长 [3] - Q2增长动力来自PC/智能手机厂商配合美国关税宽限期完成库存调整并增产，带动DRAM供应商出货量显著提升 [4]