光刻机的成像系统是半导体光刻技术的核心，其透镜（或反射镜）决定了光刻分辨率和成像质量 。193nm波段的AR膜一般采用 氟化物材料体系 （如MgF₂、LaF₃ 等）以保证低吸收和高激光损伤阈值。典型双层或多层AR镀膜可将193nm垂直入射残余反射降至0.1%以下。总之， DUV物镜以高纯石英和CaF₂透镜结合AR镀膜实 现高透过率 ； EUV物镜则以低热膨胀镜基配合Mo/Si多层膜实现高反射 ，两者材料体系截然不同。 2024年，晶圆曝光设备、光刻处理设备、掩模版制造设备合计市场规模约293.67亿美元 。随着2nm工艺导入，EUV光刻需求提升， 2025年光刻工艺相关设备预计达 312.74亿美元 。随着 AI、大数据、云计算等应用爆发性增长，服务器、数据中心及存储（Servers, Data centers& Storage）市场在 2025–2030 年预计将以9%的年复合 增长率攀升，同时半导体总销售规模有望突破1万亿美元大关。这一趋势 直接拉动DRAM制程的晶圆需求增长 ，特别是面向HPC/AI的DRAM产能投放显著提升，同 时， 先进逻辑（≤ 7nm）持续向更高性能与更低功耗设计演进，推动每片晶圆 ...