纪要涉及的行业和公司 - **行业**：内存行业，包括HBM、DRAM、NAND、NOR flash等细分领域 [1][2][3][4] - **公司**：三星电子（Samsung Electronics）、海力士（SK hynix）、美光（Micron）、华邦电子（Winbond）、兆易创新（GigaDevice）、群联电子（Phison）、朗科科技（Longsys）、长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等 [12][13][15][25][31] 纪要提到的核心观点和论据 市场整体观点 - **2026年是HBM可持续回报的验证之年**：HBM和大宗商品内存定价（收益）未来六个月可能下降，HBM价格竞争正在进行，定价权逐渐削弱，DRAM周期双底更确定，NAND价格区间波动 [1][2][3][4] - **股票表现与基本面背离**：2Q财报显示，股票对海力士和美光的强劲指引未积极反应，却青睐三星的初步未达预期，反映出市场对内存股的态度 [10] - **投资策略**：建议买入价值科技股，不再持有最昂贵的内存股，看好三星电子，因其消化了大量负面信息，市场对其看法逐渐转向积极 [5][13] 各细分市场观点 - **HBM市场** - **价格趋势**：HBM3价格已下降约15%，预计HBM3E明年价格下降至1.56 - 1.74美元/Gb，若三星重新加入HBM3E 12 - hi供应并激进定价，价格可能回到两年前HBM3水平（1.7美元/Gb）；HBM4定价谈判更具挑战性，目前无具体协议 [17] - **供应情况**：预计2026年HBM供应大幅增长，产能扩张约30%，整体供应比特增长50% YoY，而需求虽有望增长67% YoY，但仍可能出现供应过剩 [20][21] - **公司动态**：三星HBM3E 12 - hi设计和1c节点（用于HBM4）良率提升，有望重新加入英伟达供应链，预计8月下旬/9月初交付HBM4样品，4Q25进行资格认证 [15][17] - **DRAM市场** - **价格趋势**：3Q合同价格上涨面临客户抵制，整体传统DRAM价格预计混合基础上QoQ上涨10 - 15%，主要驱动因素是DDR4和GDDR6等旧节点；DDR4现货市场价格稳定，DDR5近期表现平淡 [25] - **市场供需**：预计2026年1H出现库存消化期，宏观不确定性影响消费者信心，DRAM客户行为保守，但AI驱动的强劲需求持续，仍预计价格有小幅下降 [24][25][26] - **公司动态**：CXMT受美国制裁，产能扩张放缓，优先转向HBM3研发，目标2H26大规模生产 [25] - **NAND市场** - **价格趋势**：合同定价8月下旬前难以达成协议，智能手机客户需求疲软，eMMC/UFS价格QoQ可能持平，服务器需求强劲，PC客户谨慎；预计2026年价格先升后降 [31][36] - **市场供需**：大部分供应增长来自供应商工艺升级，绿地产能扩张可能保持低迷，AI是主要驱动因素，传统需求预计保持平淡 [31] - **公司动态**：YMTC计划2026年在Fab 3扩大产能至约200k/wpm，eSSD产品开始供应中国CSP，比特增长预计YoY增加35 - 40% [31] 其他重要但是可能被忽略的内容 - **利益冲突披露**：摩根士丹利与多家被覆盖公司存在业务往来，可能存在利益冲突，包括拥有股权、提供投资银行服务、获得补偿等 [48][49][50][51][52][53] - **评级体系说明**：摩根士丹利采用相对评级系统，包括Overweight、Equal - weight、Not - Rated、Underweight，与传统的Buy、Hold、Sell不同，投资者应仔细阅读评级定义 [57][60][62] - **行业覆盖公司评级**：列出了韩国科技行业多家公司的评级、价格等信息，股票评级可能变化，需参考最新研究 [101]