公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来 源 ： 内容来自 kedglobal 。 据报道，SK海力士押注AI推理应用市场，计划明年将第六代10纳米DRAM月产能从2万片提升至16- 19万片，增幅达8-9倍，占总产能三分之一以上。随着AI应用从训练转向推理，通用DRAM需求激 增，英伟达等科技巨头纷纷采用。业内人士预计，SK海力士设施投资额明年将轻松超过30万亿韩 元，显示其对"AI内存超级周期"的强劲信心。 SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 11月20日，据韩国媒体报道，韩国内存芯片巨头——SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产 能的三分之一以上。 报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产 品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通 用DRAM需求激增，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场。 同时 ...

SK海力士押注AI推理应用市场，计划明年将第六代10纳米DRAM月产能从2万片提升至16-19万片，增幅达8-9倍，占总产能三分之一以上。随 着AI应用从训练转向推理，通用DRAM需求激增，英伟达等科技巨头纷纷采用。业内人士预计，SK海力士设施投资额明年将轻松超过30万亿韩 元，显示其对"AI内存超级周期"的强劲信心。 SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 11月20日，据韩国媒体报道，韩国内存芯片巨头——SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM） 月产能从目前约2万片300mm晶 圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 ，占其DRAM总产能的三分之一以上。 报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以 满足英伟达等大型科技公司的订单 需求 。这一战略调整反映出 AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增 ，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的 AI内存市场。 SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上。据媒体报 ...

SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 同时，据华尔街见闻此前文章，SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至 每颗500美元以上。据媒体报道，该公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定 价地位。 业内人士预计，SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增 长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。 尖端制程产能实现跨越式扩张 SK海力士的产能提升计划集中在最先进的1c DRAM技术节点。 报道指出，据行业消息人士透露，该公司计划明年在利川园区通过工艺升级新增14万片月产能，这被视 为"最低增幅"。部分业内人士表示，SK海力士也在考虑将月产能提高16万至17万片。 按照SK海力士目前每月平均50万片DRAM晶圆进料量计算，超过三分之一的产能将投入到先进的1c DRAM生产。 该公司已将1c DRAM的良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通 用DRAM产品。 这一激进的产能扩张计划显示SK海力士对AI驱动的内存需求持续 ...

同时，据华尔街见闻此前文章，SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至 每颗500美元以上。据媒体报道，该公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定 价地位。 业内人士预计，SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增 长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。 尖端制程产能实现跨越式扩张 SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 11月20日，据韩国媒体报道，韩国内存芯片巨头——SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的 三分之一以上。 报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产 品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通 用DRAM需求激增，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场。 SK海力士的产能提升计划集中在最先 ...

行业前景与市场预测 - 全球存储行业在AI算力爆发驱动下迈入增长新阶段，WSTS预测2025年市场规模达1938亿美元，同比增长17%，其中DRAM占比升至67%成为核心增长引擎[2] - 人工智能+已成为推动经济高质量发展的核心驱动力，更优的芯片性能和更高性价比为海外企业与中国合作注入强劲动能[7] 存储技术展示与创新 - 三星展示了为AI与高强度图形工作助力的GDDR7和为解决数据密集型AI负载存储的PM1753等产品，并详细介绍了从28nm到3nm工艺的区别和技术难点[2] - SK海力士展示了基于新一代PIM技术的GDDR6-AiM、eSSD、Server DIMM及GDDR7等产品，其中GDDR7运行速度提升60%、能效提升50%以上[4] - 存储巨头在进博会上不约而同展示可与AI加速器协同应用于高性能计算系统的GDDR7[2] AI计算与终端应用 - AMD展出的锐龙Mini AI工作站搭载AMD锐龙AI MAX+ 395处理器，融合CPU、GPU与NPU异构算力，最高支持96GB专用显存和16GB共享显存，可有效应对端侧AI在数据安全、部署成本与空间限制方面的挑战[7] - 元启智合联合奥尼电子基于AMD锐龙Mini AI工作站打造本地化AI会议解决方案，设备成本可降至2万元左右，使会议内容转写不必上云即可准确记录[9] - 高通展台集中展出12款搭载第五代骁龙8至尊版移动平台的中国手机厂商旗舰新品，体现高通与小米、荣耀等中国领先手机厂商的深度协同[9] 半导体设备与制造 - ASMPT作为半导体封装和电子贴装制造方案供应商，可提供满足不同封装节点需求的整线设备与解决方案，覆盖从传统封装到先进封装的多种工艺环节[12] - 甘肃天水华天电子集团与ASMPT集团签署价值5000万美元的半导体封装设备订单[12] - ASML展示的TWINSCAN NXT:870B光刻机可实现每小时晶圆产量400片以上，TWINSCAN XT:260光刻机可提升4倍生产效率并降低单片晶圆成本[12][13] 合作模式与战略意义 - 参展企业强调进博会不仅是产品展示平台，更是为了形成更好的交流并为下一步合作创新做铺垫[6] - 高通与中国智能产业的合作从手机、AI PC、平板等消费端产品延展至更广阔的终端领域，包括宇树人形机器人、零售终端等具体应用[11] - 开放、合作是各家企业的高频词，中国展现出主动开放市场、深化合作的意愿，海外朋友圈攒足AI动能将在创新发展道路上结伴同行[13]

服务器DRAM供应紧张与价格飙升 - 美国和中国的主要超大规模厂商目前仅收到其订购的服务器DRAM的70% [2] - 服务器DRAM第四季度合同价格涨幅高达50%，远超买家预算的30%涨幅 [2] - 传统DDR5 RDIMM需求超过供应，因三星和SK海力士将产能转向AI加速器用的先进节点 [2] - 服务器SSD价格被三星上调高达35%，RDIMM合同费率上调高达50% [2] - DDR5 16 GB模块现货价格从9月底的7-8美元飙升至13美元左右，且11月供应将更紧张 [2] - 模块制造商正准备应对本季度末出现的缺货情况 [2] 不同客户层级供应差异显著 - 渠道商和小型原始设备制造商的订单履行率接近35%至40% [3] - 由于超大规模厂商锁定固定配额，优先级较低的客户被迫转向现货市场或需等到2026年 [3] - 美光公司指出DRAM是"供不应求的行业"，到明年年底位元供应增长将落后于需求 [3] 整体DRAM价格走势与驱动因素 - 预计第四季度整体DRAM价格（包括HBM）将环比上涨13%-18% [6] - 价格飙升的驱动因素包括DDR4停产公告、中美关税紧张下的囤货，以及北美数据中心AI服务器投资加速 [7] - 2025年第四季度传统DRAM价格预计环比上涨8-13%，若计入HBM涨幅可扩大至13-18% [9] - 由于产能扩张落后于需求，成熟节点产品的供应短缺将加剧 [7] 各细分产品市场动态 - DDR4仅占DRAM整体市场的20%，且已不再是量产优先选择，其短缺可能持续到2026年上半年 [3][6] - LPDDR4X供应因产量削减而萎缩，2025年第四季度价格预计环比上涨超过10% [10] - LPDDR5X应用范围扩大，其价格在2025年第四季度预计将继续上涨 [10] - PC DRAM供应受限，价格预计将继续小幅上涨 [9] - 图形DRAM需求强劲，GDDR7价格预计将比上一季度有更大涨幅，GDDR6因供应受限价格上涨更快 [10][11] - 消费级DDR4价格在经历第三季度几乎翻倍后，第四季度涨幅预计将放缓 [11] - DDR3因早期采购需求和产能置换，价格预计将继续攀升 [11] 供应商策略与市场反应 - 韩国DRAM巨头近期涨价幅度高达30%，部分厂商甚至暂停了部分DRAM和NAND闪存产品的报价 [5] - 三大DRAM供应商将先进制程产能主要分配给高端服务器DRAM和HBM，挤占了PC、移动和消费应用的产能 [9] - 中国内存制造商自8月以来进入新一轮价格上涨，制造商业利润大幅增长，模组制造商积极囤积库存 [7]

财务数据和关键指标变化 - 第三季度总收入为1.785亿美元，超出预期 [12] - 产品收入达到创纪录的9330万美元，环比增长15%，同比增长41% [13] - 特许权使用费收入为6510万美元，许可账单为6610万美元 [12] - 合同及其他收入为2010万美元，主要由硅IP构成 [13] - 非GAAP总运营成本为9930万美元，运营费用为6460万美元 [13] - 非GAAP净收入为6820万美元 [13] - 季度末现金、现金等价物和有价证券总额为6.733亿美元，环比增长 [14] - 经营活动产生的现金流为8840万美元，自由现金流为8000万美元 [14] - 第四季度收入指引为1.84亿至1.9亿美元，非GAAP每股收益指引为0.64至0.71美元 [15] 各条业务线数据和关键指标变化 - 芯片业务连续第六个季度增长，产品收入创下9300万美元的纪录 [6] - DDR5 RCD市场领导地位和份额增长是芯片业务增长的主要驱动力 [6] - 新产品贡献逐步增加，第二季度为低个位数贡献，第三季度达到中个位数，第四季度预计为中到高个位数 [29] - 硅IP业务受益于AI驱动的设计订单增长，特别是HBM4、GDDR7和PCIe7解决方案 [7] - 硅IP业务中，安全IP约占50%，内存和PCIe控制器占另外50% [71] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司战略聚焦于为高性能内存子系统提供完整解决方案，利用在信号和电源完整性方面的核心专业知识 [5] - 产品组合包括符合JEDEC标准的DDR5和LPDDR5模块的全套芯片组，支持服务器和客户端系统的高性能计算平台 [6] - 针对AI和数据中心的长期增长趋势进行战略布局，开发如MRDIMM等创新架构 [8] - 在DDR5 RCD市场，公司目前市场份额在40%以上，并预计将继续增长，目标市场份额为40%-50% [38] - 对于CXL市场，公司策略是主要通过硅IP业务参与，而非推出独立产品，认为MRDIMM是更优的内存扩展解决方案 [63][64] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI的快速采用正在推动服务器持续增长，特别是传统CPU系统因Agentic AI需求增加 [8] - 每台服务器的内存容量和带宽需求持续增长，驱动更多DIMM和更高数据速率的需求 [8] - 预计2026年服务器市场将以中高个位数增长，受推理和Agentic AI等趋势推动 [51] - 尽管宏观经济环境动态变化，但公司对业务前景保持信心，并看到有利的顺风因素 [15][52] - 供应链存在局部紧张，但公司库存增加以支持增长，未发现客户库存显著积压 [35][36] 其他重要信息 - MRDIMM预计将在2026年底和2027年实现大批量生产，长期市场份额目标与DDR5相似 [19] - MRDIMM的总目标市场估计约为6亿美元，RCD市场约为8亿美元，配套芯片市场约为6亿美元 [46][47] - 公司预计MRDIMM的毛利率将与芯片产品业务一致，长期目标为60%-65% [49] - DDR5周期已进入第三年，预计将持续约七年，目前出货以第二代为主，第三代贡献逐步增加 [38][57] - 随着CPU通道数从8个增加到12个，并可能进一步增至16个，这将为公司产品业务带来持续增长动力 [76][77] 问答环节所有提问和回答 问题: MRDIMM的市场份额预期和时间表 - 公司预计长期可实现与当前DDR5相似的市场份额，大规模量产预计在2026年底和2027年，2028年可能是实现该份额的时点 [18][19] - MRDIMM系统更复杂，需要芯片间紧密耦合，这为公司提供了增加芯片内容的机会 [20] 问题: 以太坊扩展网络架构带来的许可机会 - 公司的硅IP组合专注于高速内存、互连和安全，PCIe5向PCIe7的快速过渡是潜在机会 [21] 问题: SOCAM2模块的机遇 - SOCAM2等新架构的JEDEC标准化是积极进展，公司现有解决方案覆盖所有JEDEC模块系统，预计将参与其中，但初期量不会很大 [25][26][27] 问题: PMIC产品的贡献和前景 - PMIC是新产品套件的一部分，贡献度逐步提升，从Q2的低个位数到Q3的中个位数，Q4预计中到高个位数 [29] - 高端PMIC性能领先，与下一代AMD和Intel平台关联，整体新产品势头强劲 [30][31] 问题: 供应链和客户库存状况 - 公司库存增加以支持增长，未发现客户库存显著积压，供应链整体稳健，存在局部紧张但可控 [35][36][56] 问题: RCD市场份额上限 - DDR5周期早期，公司市场份额持续增长，目标为40%-50%，产品复杂性和完整芯片组优势有助于份额提升 [38][39] 问题: 产品总目标市场更新 - RCD市场约8亿美元，配套芯片约6亿美元，MRDIMM增加约6亿美元，硅IP业务难以估算TAM，但保持双位数增长目标 [46][47][48] 问题: 2026年趋势展望 - 预计2026年服务器市场中高个位数增长，Q4通常有库存调整，Q1恢复，顺风因素持续但可见度有限 [51][52] 问题: DRAM价格对需求的影响 - 公司产品需求对DRAM价格不敏感，行业需平衡不同类型内存需求，渠道库存保持低位 [54][56] 问题: DDR5世代演进和ASP - 出货以第二代为主，第三代贡献增加，世代更迭带来定价提升，有利毛利率 [57][58] 问题: CXL市场展望和公司策略 - CXL市场碎片化，公司主要通过硅IP参与，认为MRDIMM是更优的内存扩展方案，使用现有基础设施 [62][63][64][65] 问题: MRDIMM份额获取的关键 - 完整芯片组解决方案和互操作性测试能力是关键优势，有助于获取份额 [69][70] 问题: 硅IP业务中PCIe7和安全IP的进展 - 安全IP应用广泛，PCIe7和HBM4聚焦前沿客户，ASP更高，开发周期更长 [71] 问题: CPU通道数演变 - AI驱动通道数从8增至12，并可能到16，这是积极的增长动力 [76][77] - MRDIMM将用于下一代16通道平台 [80]

财务数据和关键指标变化 - 第三季度总收入为1.785亿美元，超出预期，其中特许权使用费收入为6510万美元，许可账单为6610万美元，产品收入为9330万美元，创下新纪录，合同及其他收入为2010万美元 [14] - 产品收入环比增长15%，同比增长41%，主要受DDR5产品持续走强和新产品贡献增加的推动 [15] - 第三季度非GAAP总运营成本为9930万美元，运营费用为6460万美元，非GAAP净收入为6820万美元 [15] - 第三季度运营现金流强劲，达8840万美元，自由现金流为8000万美元，资本支出为840万美元 [13][16] - 期末现金、现金等价物和有价证券总额为6.733亿美元，较第二季度有所增加 [16] - 第四季度收入指引为1.84亿至1.9亿美元，特许权使用费收入指引为5900万至6500万美元，许可账单指引为6000万至6600万美元 [17] - 第四季度非GAAP总运营成本指引为9900万至1.03亿美元，资本支出指引约为1000万美元，非GAAP每股收益指引为0.64至0.71美元 [17] 各条业务线数据和关键指标变化 - 芯片业务表现强劲，第三季度产品收入达9300万美元，连续第六个季度增长，主要由DDR5 RCD的市场领导地位和份额增长推动 [6] - 新产品客户采用进展顺利，已开始初步量产发货，预计新产品贡献将推动全年产品收入增长超过40% [6][7] - 芯片产品组合广泛，涵盖所有JEDEC标准DDR5和LPDDR5模块的芯片，为服务器和客户端系统的高性能计算平台提供支持 [7] - 硅知识产权业务方面，AI加速器和网络IC设计的多样化和加速推动了对高速内存互连和安全IP的需求，HBM4、GDDR7和PCIe 7.0等前沿解决方案是关键推动力 [8] - 安全IP业务约占硅IP业务的50%，内存控制器和PCIe控制器业务约占另外50% [84] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司战略聚焦于利用信号和电源完整性方面的核心专业知识，为高性能内存子系统提供完整解决方案，以抓住数据中心和AI市场的长期趋势 [5][11] - 产品路线图建立在信号和电源完整性的领导地位之上，以支持数据密集型应用日益增长的技术需求 [11] - 在DDR5 RCD市场，公司目前市场份额在40%以上，并预计将继续增长，目标市场份额在40%至50%之间，DDR5周期预计将持续约七年 [46][47][48] - 对于MRDIMM，公司预计长期可实现与DDR5相似的市场份额，大规模量产预计在2026年底至2027年，MRDIMM是一个更复杂的系统，需要芯片间的紧密耦合，为公司提供了增加芯片内容的机会 [20][21][22] - 对于CXL市场，公司策略主要侧重于硅IP业务，提供CXL控制器IP，目前认为推出CXL产品在经济上不具吸引力，而MRDIMM架构利用现有标准服务器基础设施，是更优先的选择 [75][76][77] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI的快速普及正在推动服务器持续增长，训练和推理需要大规模计算基础设施支持日益复杂和多样化的工作负载 [9] - AdjuncTIQ AI正在成为服务器需求的主要催化剂，特别是对于传统的基于CPU的系统，这有助于推动超大规模企业和企业的更新周期，放大服务器出货量的增长 [9] - 每台服务器的内存容量持续增长，AI工作负载需要前所未有的计算性能，推动核心数量增加以及对更高内存带宽和容量的需求，这转化为每服务器更多DIMM和更高数据速率，以及对新型高性能内存解决方案和使能技术的需求 [10] - 客户端平台新版本的发布延续了服务器级技术向AIPC扩散的趋势，性能目标持续提升，推动了对更快内存和更多模块芯片内容的需求 [10][11] - 数据中心领域的长期增长趋势以及AI驱动的整个计算领域性能要求的提升，与公司的长期战略高度契合，非常有利于公司发展 [11][12] - 展望2026年，服务器市场预计将继续以中高个位数增长，AI推理和Agentic AI等因素将带来顺风，但第四季度客户通常在年底前对库存持谨慎态度 [60][61] 其他重要信息 - 公司采用GAAP和非GAAP财务指标，并提供许可账单等运营指标，以更好地反映运营绩效 [4] - 在供应链方面，公司第三季度库存增加了约600万美元以支持第四季度增长，未发现客户库存有明显积压，前端制造未采用领先技术节点，后端与制造伙伴关系稳固，存在部分环节紧张，但总体供应链稳健以支持增长目标 [43][44][45] - 对于DRAM价格波动，公司历史上对其产品需求影响不大，行业需要处理数据中心需求增长并在不同类型内存之间进行权衡，渠道库存水平保持lean状态 [64][65][66] - 在DDR5周期中，第三季度发货以第二代DDR5为主，更新一代产品开始早期量产，世代转换通常会带来价格提升，对产品毛利率有积极影响 [67][68] 问答环节所有的提问和回答 问题: 关于MRDIMM的市场份额预期和时间线 - 公司相信长期可以在MRDIMM上达到与当前DDR5相似的市场份额，时间取决于CPU合作伙伴的平台推出时间，大规模量产预计在2026年底和2027年，2028年可能是实现该市场份额的合适时间点 [20] - MRDIMM系统更复杂，需要芯片紧密耦合，这为公司提供了增加芯片内容的机会 [21][22] 问题: 关于以太坊扩展网络架构是否带来许可业务机会 - 公司的硅IP组合专注于高速内存、高速互连和安全，与网络和内存客户合作处于技术前沿，从PCIe 5.0向PCIe 7.0的过渡非常快，这确实是一个机会 [23] 问题: 关于SOCAM-two模块的机遇 - 公司对新兴架构感到兴奋，这与其在信号和电源完整性方面的优势相符，SOCAM-two通过JEDEC标准化是好事，公司将有机会参与，例如SPD集线器芯片和电压调节器开发，但预计量不会非常大 [27][28][29][30][32] 问题: 关于PMIC在产品业务中的机会和增长 - PMIC是新产品组合的一部分，第二季度贡献为低个位数百分比，第三季度按计划为中个位数百分比，第四季度预计为中高个位数百分比，增长是渐进的，不同产品处于不同资格认证阶段，但势头强劲 [33][34][35][36][37] - 高端PMIC表现优异，将与下一代AMD和Intel平台关联 [36] 问题: 关于供应链考虑和DRAM市场影响 - 公司第三季度增加了库存以支持增长，未发现客户库存明显积压，供应链总体稳健，存在部分环节紧张，但通过与合作方努力改善 [43][44][45] - 对于DRAM价格，公司历史上需求影响不大，行业需要处理需求增长和内存类型权衡，渠道库存保持lean [64][65][66] 问题: 关于RCD市场份额是否有上限 - 公司在DDR5市场份额持续增长，2024年在40%以上，2025年预计继续增长，目标为40%-50%，DDR5周期尚早，预计持续七年，产品复杂性和互操作性要求提高以及完整芯片组将有助于继续提升份额 [46][47][48] 问题: 关于不同业务线的TAM展望 - 产品方面，RCD市场TAM约8亿美元，配套芯片TAM约6亿美元，市场总体中高个位数增长，MRDIMM额外TAM约6亿美元，但大规模量产要等到2026年底/2027年 [54][55] - 硅IP业务难以给出具体TAM，但公司处于AI核心，IP组合聚焦于PCIe 7.0、HBM4、GDDR7等前沿技术，设计项目众多，该业务目标为双位数增长 [56] 问题: 关于MRDIMM的利润率 - MRDIMM作为芯片产品，利润率预期与产品业务一致，长期目标为60%-65% [57][58] 问题: 关于2026年趋势和季节性 - 2026年服务器市场预计中高个位数增长，AI推理和Agentic AI带来顺风，但第四季度通常有库存谨慎，2026年前景有利 [60][61] 问题: 关于DDR5周期的发货代际和ASP影响 - 第三季度发货以第二代DDR5为主，更新一代开始早期量产，第四季度预计仍以第二代为主，更新一代贡献增加，世代转换通常带来价格提升，对产品毛利率有积极影响 [67][68] 问题: 关于CXL市场展望和公司策略 - 公司在CXL上有两个切入点：硅IP业务提供CXL控制器IP，并有增长动力；产品方面，目前认为推出CXL产品经济上不具吸引力，因为市场碎片化，需要为特定客户开发定制芯片 [75][76] - MRDIMM通过现有标准服务器基础设施实现内存容量和带宽翻倍，是更优先的选择 [77] 问题: 关于MRDIMM份额获取和硅IP业务中PCIe 7.0和安全IP的进展 - MRDIMM份额获取依赖于客户、公司自身以及CPU平台供应商，公司拥有完整芯片组和互操作性测试能力是优势 [81][82] - 硅IP业务中，安全IP约占50%，应用广泛；PCIe和HBM IP约占50%，专注于前沿解决方案，客户群较大但项目规模较小，开发周期较长 [84] 问题: 关于AI需求推动的每CPU通道数演变 - AI工作负载需要更多内存和带宽，行业向12通道发展是积极因素，CPU供应商已宣布16通道解决方案，未来可能更多，但受封装设计限制，通道数增加是顺风 [87][88] - MRDIMM将拦截下一代平台，这些平台预计为16通道，MRDIMM是高密度解决方案 [89]

文章核心观点 - AI的飞速发展使存储成为与算力同等重要的关键环节，HBM、HBF和GDDR7三种存储技术正在重新定义AI基础设施的未来格局 [1] - 这三种技术的竞合演进关乎存储产业数千亿美元的市场格局，并决定着人工智能能否突破当前技术天花板，迈向通用人工智能新纪元 [1] - 没有一种存储技术能够包打天下，HBM、HBF、GDDR7在特定领域发挥着不可替代的作用，反映出AI产业对存储需求的多样化和精细化 [23] HBM（高带宽内存）技术发展 - HBM通过3D堆叠技术实现超高带宽存储，已成为决定AI芯片性能上限的关键因素，从H100的80GB容量、3.4TB/s带宽提升到GB300的288GB容量、8.0TB/s带宽，不到三年实现容量超两倍、带宽约2.5倍的提升 [3] - SK海力士凭借技术和市场双重优势稳居霸主地位，已进入HBM4最终测试阶段并向英伟达供应样品，同时宣布完成下一代HBM4内存开发并具备全球首个大规模量产条件 [3] - 三星电子在HBM4性能方面有信心，采用4纳米代工工艺应用于逻辑芯片，但测试进度落后竞争对手约两个月，在快速迭代的AI市场中可能造成致命影响 [3] - HBM正向定制化（cHBM）发展，SK海力士已锁定英伟达、微软、博通等重量级客户开展定制设计，从第七代HBM（HBM4E）开始将全面转向定制化路线 [4] - 定制化HBM的核心在于将基础芯片功能集成进由SoC团队设计的逻辑芯片中，赋予设计人员更大灵活性，可更紧密集成内存与处理器芯片，并根据具体应用优化功耗、性能与面积 [4] - 三星电子发起“背水一战”，在董事长李在镕支持下为HBM业务投入全部精力，正量产HBM4样品，产量约为10,000片晶圆，采用尚未完全成熟的10nm级第六代（1c）DRAM技术 [5][6] - 三星采用激进定价策略，业内估计12层HBM4价格将比HBM3E高出60-70%，但三星正考虑低于20%的溢价，同时加速建设平泽第五工厂配备10纳米第六代DRAM生产线，专门用于批量生产HBM4 [6] HBF（高带宽闪存）技术前景 - HBF是将NAND闪存层叠而成的产品，利用NAND闪存特性实现更大存储容量，试图在带宽与容量之间找到新平衡点，满足AI基础设施对存储需求的指数级增长 [8] - 美国闪存企业Sandisk今年2月宣布正在开发HBF技术，将其定位为“结合3D NAND容量和HBM带宽”的创新产品，能够同时满足带宽、容量、低功耗的综合要求 [8] - HBF技术路线的提出源于AI模型向多模态、长上下文方向发展，需要处理海量中间状态数据，传统DRAM容量扩展成本高，NAND闪存访问速度慢，HBF试图通过架构创新找到最优解 [8] - Sandisk与SK海力士签订开发HBF的谅解备忘录，计划明年下半年向客户提供样本，2027年初为推理AI提供正式产品，此消息推动Sandisk股价从43美元飙升至86美元，翻了一番 [9] - HBF技术实现面临挑战，NAND闪存访问速度远低于DRAM，若CPU将基于NAND的存储当作主存使用，运算速度必然大幅下降，需要能够一次性处理和传输大规模信息的软件和基础设施支持 [9][10] - HBF和HBM并非竞争关系而是互补，HBF更适合需要超大容量的特定应用场景，如视频生成模型Sora需要处理数TB中间数据，HBF通过牺牲部分带宽换取更大容量满足这类需求 [10] - HBF在成本控制方面具有潜在优势，NAND闪存每GB成本远低于DRAM，在需要大容量但对带宽要求相对宽松的应用场景中具有明显经济性 [11] GDDR7技术应用与市场 - 英伟达推出Rubin CPX GPU采用128GB GDDR7显存而非更高端HBM4，体现对AI推理架构的新思考，提出“解耦推理”理念将推理过程拆分为上下文阶段和生成阶段 [13] - 在该架构下，Rubin CPX承担上下文构建任务，GDDR7带宽和延迟已完全足够，生成阶段工作交由配备HBM4的标准Rubin GPU执行，避免资源浪费并优化成本 [13] - HBM在加速器BOM中已成为最昂贵单一组件，从Hopper到Blackwell成本占比不断攀升，合理配置不同类型存储成为优化成本的关键 [13] - 英伟达为RTX Pro 6000下达大量GDDR7订单主要由三星承接，近期要求三星将GDDR7产量翻倍，三星扩大生产设施并增加材料与组件，预计本月启动扩产后的供应链 [14] - 英伟达准备推出代号“B40”新产品搭载三星GDDR7针对中国市场销售，通过降低数据处理能力规避出口限制，预计今年出货量可能达到100万片，仅GDDR7基板需求就高达约2000亿韩元 [14] - GDDR7的采用是成本优化选择，可能成为AI推理普及化的重要推手，通过大幅降低显存在系统总成本中的比重，使更多企业能够负担AI推理基础设施 [15] - 当token成本显著下降，用户对推理需求会激增，需求增长往往远远抵消成本下降影响，推动整个市场规模持续扩大，整体市场对高端HBM需求可能因应用普及而进一步增长 [15] 行业活动信息 - 2025年湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月15—17日在深圳会展中心举办，展会规模扩容50%，展示面积突破60,000平方米，汇聚600+全球头部企业，预计吸引60,000名专业观众 [17] - 湾芯展将重点展示HBM、HBF、GDDR7等前沿存储技术及其在AI算力中心、智能汽车、超算平台中的应用突破，国内外存储巨头与创新企业将带来最新产品与解决方案 [18] - 展会首创“项目采购展”模式和全年服务体系，贯穿展前精准匹配、展中高效对接、展后持续跟进，推动百亿级产业合作落地，助力中国半导体实现从“跟跑”到“领跑”的跨越 [18]

市场现状与价格趋势 - 存储芯片市场呈现上行趋势，野村证券称之为“前所未有的超级周期”，由DRAM、HBM和NAND三重周期驱动 [2] - 上游资源涨价已传导至成品端，eMMC、UFS普遍大幅调涨，LPDDR4X因原厂暂停报价且计划大幅涨价而看涨情绪升温 [8] - 三星和SK海力士自今年4月起逐步减少DDR4产能，转向更高利润的DDR5、LPDDR5和HBM，直接导致DDR4系列价格暴涨 [8] - 美光将2025年服务器总出货量增长预期上调至约10%，高于此前中等个位数预期，受AI agents增长及传统服务器工作负载增加推动 [9] - TrendForce指出，受HDD供给短缺影响，云端服务供应商将存储需求转向QLC Enterprise SSD，预计Q4 NAND Flash合约价平均上涨5-10% [10] 涨价核心驱动因素 - AI与数据中心需求爆发：2026年传统服务器资本支出预计增长20-30%，带动DDR4/DDR5内存需求增长约50%，企业级SSD需求近乎翻倍 [14] - NAND市场因HDD供应短缺和AI存储需求激增，预计2026年位元出货量同比增长超50% [14] - 价格与利润率跃升：DRAM营业利润率预计从当前的40-50%升至2026年的近70%，NAND利润率将从盈亏平衡点跃升至30-40% [14] - HBM混合均价预计2025-2026年保持15%以上年增长，将贡献SK海力士75%的营业利润 [14] 近期需求爆发的根本原因 - AI业务从“积累期”迈入“高渗透期”，业务渗透率从20%-30%提升至30%-40%，用户规模大幅扩张 [18][19] - 以豆包为例，DAU从年初的1000万-2000万增至近4000万，传统互联网产品加速AI重构，用户与AI交互频次显著增加 [19] - AI技术逻辑从“快思考”升级为“慢思考”，引入思维链和外部agent协同，单次报告生成的token消耗从此前的约3000token增至3万以上，增长7-10倍 [18][20] - 海外头部模型全面转向多模态，处理图片、视频等非文本数据产生更多存储需求 [20] - 互联网大厂启动AI基础设施重构，构建“热-温-冷”分层存储体系，集中采购DRAM和SSD，直接转化为大量订单 [21] 行业前景与周期判断 - 由AI需求驱动的“超级周期”预计至少持续到2027年，但可能在2028年出现下行转折 [23] - 美光预计2026年行业DRAM供应将趋于紧张，全球存储芯片尤其HBM供需不平衡将加剧，2026年HBM产能已基本锁定 [9] 英伟达相关动态与影响 - SK海力士、三星与英伟达就HBM3E 12Hi和HBM4的定价谈判尚未最终敲定，谈判局势正向DRAM厂商倾斜 [25] - 英伟达要求HBM4速度需突破10Gbps，三星、美光、SK海力士均具备供应能力，对整体HBM市场影响有限 [26] - 英伟达CPX方案将推动Rubin平台对GDDR7的大规模采用，为GDDR7市场带来显著增量，但可能短期内对HBM4需求形成压制 [27] - 英伟达研发HBF方案，利用大容量堆叠NAND替代HBM来提升系统成本效益，优化存储资源配置 [28]