投资评级与核心观点 - 报告引述中信里昂研究的观点，但本身未给出明确的投资评级 [5] - 报告核心观点：内存市场已完全转向卖方市场，在旺盛需求与供给受限的双重推动下，预计季度环比涨价趋势将延续至2027年上半年 [5] - 报告核心观点：SK海力士预计将继续主导HBM市场，并通过增加高附加值产品产量来提高综合平均销售价格 [6] 财务预期与市场动态 - 过去一个月，市场对SK海力士2026年营业利润的一致预期已上调30%，自2025年9月以来累计上调120% [5] - 由于数据中心客户需求保持强劲且DRAM供应商积极提价，预计利润超预期增长的趋势将在未来几个季度持续 [4][5] - 目前SK海力士的DRAM和NAND库存分别仅为2周和6周，处于极低水平 [5] - 尽管大客户要求签订长期协议，但供应商意愿不强，季度价格谈判仍是主要定价机制 [5] 产品与市场地位 - SK海力士是全球领先的纯内存半导体制造商，DRAM和NAND业务分别占总收入的67.6%和29.1% [9][10] - 公司2022年收购英特尔SSD业务并命名为Solidigm，正通过整合强化NAND领域竞争力 [9] - 分析预计2026年SK海力士将继续主导HBM市场，HBM收入实现同比增长 [6] - 预计SK海力士在英伟达HBM4市场份额将维持在60%以上 [6] - 2025年第四季度，公司已开始小批量向英伟达Rubin GPU交付HBM4产品，预计2026年第二季度起出货量将显著增加 [6] 公司战略与催化因素 - 为提高综合平均销售价格，公司计划在2026年增加高附加值产品产量，包括SOCAMM2、GDDR7和QLC eSSD等 [6] - 保持HBM市场的领导地位有望继续推动市场份额增长 [7] - NAND需求复苏快于预期可能成为股价潜在催化因素 [7] 公司基本信息与估值 - 公司股票代码为000660 KS [3] - 截至2026年1月7日，股价为741,000韩元，12个月最高价与当前股价持平，最低价为164,800韩元 [12] - 公司市值为3,721.90亿美元 [12] - 3个月日均成交额为24.60亿美元 [12] - 市场共识目标价为699,240韩元 [15] - 主要股东为SK Square（持股20.07%）和国民年金公团（持股7.41%） [15] - 按地区划分，公司收入主要来自美洲（63.4%）和亚洲（34.5%） [10]

文章核心观点 - 美银研究报告预测全球DRAM行业将在2026-27年开启史上最强超级周期，行业正从传统周期性产业向AI驱动的成长性赛道蜕变 [1] 超级周期的驱动因素 - AI需求爆发、供应结构性短缺与技术迭代形成三重共振，推动行业进入高质量增长阶段 [1][2] - 首要驱动是AI内存需求爆发式增长：AI加速器对HBM、GDDR7等高端内存搭载量呈数倍提升，单台AI服务器HBM搭载量已从早年的340GB增至1.17TB，需求从传统PC、手机转向AI主导的多元化矩阵 [3] - 供应端结构性收缩与约束加剧短缺：资本支出向高端领域倾斜，传统DRAM产能收缩，新型内存良率低、生产周期长，截至2025年末DRAM和NAND库存仅维持3-4周，主要晶圆厂利用率接近满负荷 [4] - 价格上涨形成强劲盈利弹性：2025年第四季度传统DRAM合约价环比上涨30%+，2026年第一季度再涨15%+，16Gb DDR5现货价突破30美元，较2025年初涨幅超500% [5] - 资本支出结构优化锁定长期格局：尽管SK海力士2026年资本支出预计翻倍至35万亿韩元，但主要用于HBM产能扩张，晶圆产能年均扩张仅6.5万片/月，对全球供给影响有限 [6] - 技术迭代提升行业壁垒：HBM4、GDDR7等技术门槛高，SK海力士在HBM领域市场份额达60%+，且量产进度领先竞争对手1-2个季度，行业从价格竞争转向技术竞争 [7] 行业市场预测 - 全球DRAM销售额预计从2025年的1303亿美元飙升至2026年的2098亿美元，同比暴涨61%，2027年预计进一步增至2314亿美元 [1] - 全球HBM销售额2026年将达550亿美元，同比增长59%，2027年进一步增至650亿美元，2025-28年复合增长率达40% [14] - HBM4带宽达2.0-2.8TB/s，是传统DDR5的数倍，下一代AI加速器HBM搭载量将从当前的288GB提升至384GB甚至1TB [14] 核心公司分析 - **SK海力士**：作为全球内存行业首选标的，核心优势在HBM领域绝对领导地位，连续两年占据全球60%以上HBM市场份额，HBM4量产领先竞争对手两个季度 [10] - SK海力士2026年营业利润预计达86.2万亿韩元，较2025年翻倍，DRAM ASP同比涨幅预计达36%，HBM利润率超60% [5][10] - 美银将SK海力士目标价上调至100万韩元，对应2026年预期市净率3.9倍 [10] - **三星电子**：凭借每月超100万片的全球最大内存产能，在价格上行周期中具备显著弹性，2025年第四季度DRAM提价力度高于行业平均水平 [12] - 三星电子内存业务营业利润2026年预计增至72.5万亿韩元，HBM业务增速预计达62%，HBM市场份额为20%+ [5][12] - 美银将三星电子普通股目标价上调至17万韩元，优先股目标价至13.6万韩元，GDR目标价至3000美元 [12] - **南亚科技**：在主流厂商放弃传统DRAM之际，聚焦DDR3、DDR4等legacy产品，成为细分领域核心供应商 [14] - 南亚科技2026年ASP预计上涨6%，营业利润率有望突破40%，较2023-25年状态实现根本性反转 [14] - 美银将南亚科技目标价上调至235新台币，对应2026年预期市净率3.5倍 [14] HBM细分赛道格局 - HBM已成为内存行业增长最快的细分领域，行业平均营业利润率超40%，SK海力士更是高达63% [14][15] - 竞争格局呈现“一超多强”：SK海力士2026年HBM销售额预计达293亿美元，市场份额维持53%，三星份额有望提升至25%，其他厂商合计份额22% [15]

华硕进军DRAM制造的传闻 - 据传华硕计划于2026年第二季度末前建立专门的DRAM生产线，以应对内存短缺并确保其PC产品线的稳定供应 [1] - 华硕作为全球主要PC厂商之一，若进军DRAM市场，将首先专注于优化其华硕、ROG和TUF系列笔记本电脑与台式机的内存供应 [2] - 该传闻源于波斯科技媒体Sakhtafzarmag的爆料，该媒体此前曾准确爆料AMD和英特尔CPU信息，但建议对消息持保留态度 [1] DRAM市场现状与价格趋势 - 当前内存危机已影响整个PC行业，导致产品价格上涨和未来几年交付延迟，短缺预计持续到2027年底甚至2028年 [1] - 2024年内存价格已开始上涨，较前一年的低谷期增长了88% [6] - TechInsights分析师预测，DRAM价格预计至少要到2026年才会达到峰值，并在2027年趋于稳定，随后在2028年再次上涨 [3][6] 人工智能对DRAM市场的影响 - 人工智能热潮是推动内存价格飞涨的关键因素，其兴起时机对内存供应商而言最为糟糕，导致扩建产能的财务压力巨大 [6] - 人工智能正推动对高带宽内存的需求，导致晶圆产能从消费级存储器转向HBM，使内存市场分化为消费级与企业级两个彼此分离的市场 [7][8] - HBM几乎完全用于高端数据中心GPU和AI加速器，例如Nvidia的B300和AMD的MI355X，其带宽远高于普通DRAM模块 [8] DRAM行业的产能与供应挑战 - DRAM供应商如三星、SK海力士和美光需要四到五年时间才能在新工厂实现产能提升，而市场状况到那时可能已发生巨变 [6] - 美光科技首席执行官表示，由于人工智能数据中心的强劲需求，在可预见的未来，整个行业的供应量将远低于需求量 [9] - 尽管内存制造商利润丰厚，例如美光科技2026财年第一季度营收增长56%，净利润从18.7亿美元增至52.4亿美元，但新建晶圆厂至少需三年才能投产，且大部分新产能可能用于生产HBM等企业级产品 [9] 不同厂商受到的影响差异 - 大型硬件OEM厂商如戴尔和惠普因提前锁定订单，受内存短缺和价格波动的影响较小，而小型厂商则更易受现货价格波动冲击 [7] - 游戏内存供应商G.Skill已将产品价格上涨归咎于人工智能导致的全行业DRAM供应严重受限和成本大幅增加 [7] - 消费市场的需求已非常旺盛，但OEM厂商的需求压力预计还有大约一年时间才会显现 [7]

文章核心观点 - AI需求推动存储行业进入“超级周期”，主要厂商大幅提价且扩产谨慎，导致供需持续紧张，行业景气度预计至少持续至2026年底 [1][2][3][4] 行业周期与驱动因素 - 存储行业为强周期行业，通常约3-4年一轮，但AI需求将本轮周期拉长至少一年，行业一致判断行情至少持续到2026年底 [2][3] - 本轮周期始于2024年，AI服务器需求增加存储芯片出货，且需要DDR5、HBM等新一代内存释放算力性能 [3] - 价格上涨核心原因：上一轮下行周期价格跌至历史极低值后的触底反弹，以及AI带来的增量需求远超预期 [3] - AI需求下，HBM产能挤占导致DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品价格也快速上涨 [3] - AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计开启持续数年“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [4] 价格走势与市场预测 - 瑞银预计：2024年第四季度DDR合约定价季增35%，NAND价格上涨20% [1] - 瑞银预计：2026年第一季DDR合约价将进一步上涨30%，NAND价格上涨20% [1] - TrendForce预测：2026年DRAM需求将同比增长26%，供应增长20%，存在缺口；预计2026年整体DRAM平均单价同比上涨58% [9] - TrendForce指出：LPDDR5在2026年涨幅预计非常可观，因AI客户高价争夺产能 [9] - 价格上涨已传导至终端，电脑、手机等因存储涨价成本压力大增，联想、戴尔已开始提价，可能抑制消费端需求 [9] 主要厂商动态与业绩 - **美光**：2026财年第一财季（截至2025年11月27日）调整后营收136.4亿美元，同比增长57%；经调整净利润54.82亿美元，同比增长58% [5] - **美光**：第二财季营收展望为187亿美元（上下浮动4亿美元），大幅高于市场预期的143亿美元 [5] - **三星电子**：2025年第三季度营业利润12.16万亿韩元（约85.6亿美元），同比增长32.2% [5] - **SK海力士**：2025年第三季度销售额24.45万亿韩元，环比增10%，同比增39%；营业利润11.38万亿韩元，环比增24%，同比增62% [5] - 三大存储巨头（三星、海力士、美光）在DRAM细分领域合计份额超过九成 [7] 厂商扩产策略与产能状况 - 主要厂商对扩产态度谨慎，旨在平衡需求与价格，降低供过于求风险 [8] - **三星**：表示不会快速扩建生产设施，而是优化资本支出策略 [8] - **SK海力士**：计划将约一半通用DRAM产能转向最新的10纳米级第六代1c DRAM生产；2026年约30%营收投入资本支出以加快产能转换，但短期内仍难解决供应短缺 [8] - **SK海力士**：内部分析文件显示，新DRAM工厂从建设到正常运营需数年，预计新增产能2028年才能释放 [8] - **美光**：决定退出消费级业务，将全部资源集中于数据中心业务板块以提升获利 [9] - 行业人士认为，扩产谨慎原因包括对下行周期心有余悸，以及担心AI需求被证伪后导致产能过剩 [9] 二级市场表现与目标价调整 - 瑞银将SK海力士目标价从71万韩元上调至85.3万韩元；将三星电子目标价从12.8万韩元上修至15.4万韩元 [6] - 花旗集团分析师将美光目标价从275美元上调至300美元 [6] - 2024年下半年以来，A股存储公司股价大幅上涨：香农芯创涨294.51%，东芯股份涨291.19%，江波龙涨195.51%，佰维存储涨67.17% [1] 产业链公司业绩与动态 - 2024年前三季度，中国存储芯片产业上市公司营收增长16.08%，净利润增长26.44% [6] - **江波龙**：第三季度归母净利润6.98亿元，同比大幅增长1994.42%，环比大幅上涨318.94% [6] - **香农芯创**：前三季度营业收入264亿元，同比增长59.90% [6] - **长鑫存储**：2024年10月，国产DRAM大厂长鑫存储已完成上市辅导，距离正式递表仅一步之遥 [6] 细分市场与供需结构 - AI需求打乱了存储产品换代节奏：HBM新增需求导致厂商资源倾斜，DDR5产能部分保留，DDR4产能被砍 [4] - 中国市场对DDR4仍有很大需求，预计持续两三年，DDR4紧缺导致需求转向DDR5，加剧DDR5紧张和产业链供需失衡 [4]

核心观点 - 人工智能需求驱动下，记忆体产业获利结构发生重大转变，主要记忆体制造商的毛利率预计将在2025年第四季超越全球领先的晶圆代工厂台积电，这是自2018年第四季以来的首次 [2] - 这一转变的核心驱动力是记忆体价格快速上涨，特别是由于高频宽记忆体产能配置挤占了标准DRAM供应，以及AI应用从训练转向推理阶段对高速存储的迫切需求 [2][3] 产业获利结构变化 - 预计2025年第四季，三星电子和SK海力士的记忆体部门毛利率将介于63%到67%之间，高于台积电预期的60% [2] - 这将是自2018年第四季以来，记忆体产业的利润表现首次超过晶圆代工厂 [2] - 美光科技在2026财年第一季毛利率已达56%，并预计第二季将升至67%，因此也有机会在2026年第一季于获利表现上超越台积电 [2] 价格与市场扩张动能 - 价格快速上扬是推动记忆体市场扩张的主要动能 [2] - 目前三大记忆体制造商已将约18%到28%的DRAM产能配置于高频宽记忆体 [2] - HBM通过堆叠8到16颗DRAM芯片，有效压缩了通用记忆体供应量，导致标准DRAM价格出现单季涨幅超过30%的情况 [2] AI需求结构改变 - 记忆体毛利率即将超越晶圆代工厂的转变，与AI产业需求结构改变密切相关 [2] - 当AI应用从“训练”转向“推理”时，对高速资料储存与即时存取的需求大幅提升，必须仰赖HBM等记忆体持续供应资料给GPU [3] - 即便通用记忆体效能不及HBM，市场对高效能通用记忆体的需求仍快速成长，在推理初期阶段，工作负载多由GDDR7、LPDDR5X等通用DRAM处理 [3] - NVIDIA在以推理为主的AI加速器中采用GDDR7，便是一项代表性案例 [3] 技术发展趋势 - 记忆体业者计划通过开发AI导向的高效能产品，延续“记忆体为核心”的产业趋势 [3] - 记忆体内运算技术让记忆体可承担部分原本由GPU执行的运算工作 [3] - 垂直通道电晶体DRAM与3D DRAM等新技术，通过在更小面积中储存更多资料来提升密度，预期将陆续导入市场 [3]

文章核心观点 - 存储行业正进入由AI需求驱动的超级周期，市场呈现供不应求、价格持续上涨的局面，HBM和通用DRAM成为关键增长领域 [2] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头基于各自的市场地位与技术储备，采取了差异化的产能调整与投资策略，以优化利润并抢占未来市场 [2][19] 存储行业市场现状 - 存储市场行情火爆，价格波动剧烈，“一天一个价，甚至一天几个价” [2] - 存储行业全面进入加速上行周期，原厂盈利能力持续提升 [2] - HBM供应紧张，SK海力士2026年底前的产能已基本被AI大客户锁定，三星留给中小厂商的份额不足10% [2] - DRAM作为存储赛道的另一关键领域，重新回到各大厂商的战略核心位置 [2] 三星电子的战略调整 - 计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40% [4] - 转而将产能投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产，每月可新增约8万片晶圆产能 [4] - 调整背后的核心驱动力是利润考量：其HBM3E产品因议价能力弱、供给大客户价格较低，当前利润率仅约30%；而基于1b制程的通用DRAM（如DDR5）预期利润率将超过60% [4][5] - 将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，聚焦数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X产品 [5] - 为抢占HBM4先机，加紧提升1c纳米DRAM产能，计划到2026年第二季度提升至每月14万片晶圆，第四季度进一步提高到每月20万片晶圆 [6] - 核心目标是实现比SK海力士更高的利润，计划保持DRAM产量高速增长，并将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM [6] - 采用“通用DRAM保量、HBM4抢高端”的双线策略，目标是在2026年实现DRAM营业利润超越SK海力士，重新夺回全球DRAM市场份额第一的宝座 [20] SK海力士的战略调整 - 计划将DRAM产能投资目标翻了一番，但大部分产能扩张仍投资于HBM等数据中心产品 [7] - 公司明确表示不会仅因盈利能力暂时变化就立即调整产能结构，更倾向于通过提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利 [7] - 在HBM领域市场份额遥遥领先，2026年的HBM产能已销售一空 [7] - M15X晶圆厂预计2025年底量产1b DRAM，初期月产能3.5万片，主要用于HBM3E核心芯片生产，以巩固其在HBM市场50%以上的份额优势 [7] - 业界估算其HBM4利润率约为60%，明年HBM销售额预计为40万亿至42万亿韩元，若维持相同利润率，HBM业务营业利润将较今年的17万亿韩元增长近50%，达到约25万亿韩元 [7] - 并未放缓通用DRAM布局，计划明年将第六代1c DRAM月产能从目前约2万片提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上 [8] - 1c DRAM良率已提升至80%以上，扩产后将主要聚焦于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司订单 [8] - 战略调整反映AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，公司正将战略重心从HBM扩展至更广泛的AI内存市场 [9] - 在HBM和通用DRAM双轮驱动下，业内人士预计其明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长，市场预测明年营业利润有望超过70万亿韩元，创历史新高 [10] - 采取“核心业务稳固扩张、高端产品精准卡位”的双轨战略，2026年全系列存储订单基本已经售罄 [21] 美光科技的战略调整 - 战略转向最为决绝，终止移动NAND产品开发、砍掉消费类业务品牌Crucial，将产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM和SSD产品，全力投向数据中心市场 [11] - 决策基于利润考量：2025年上半年，数据中心存储芯片毛利率高达42%，而消费级存储产品毛利率仅为14% [11] - 正在全球多地新建或扩建工厂产能，以扩大HBM堆叠能力和高端DRAM生产 [11] - 将爱达荷州博伊西晶圆厂原本生产消费级存储芯片的3条生产线，全部改为生产HBM和数据中心用DRAM芯片的生产线 [12] - 与英伟达签有为期3年的供货协议，每年需供应至少120万颗HBM芯片 [12] - 谷歌、亚马逊、微软和Meta也向美光提出了“无限期订单”，表示无论价格如何，能交付多少就接收多少 [12] - 计划于2026年小批量交付HBM4，并计划在2026年将HBM产能增加四倍 [13][21] - 宣布逐步停产DDR4，预计在未来6到9个月内出货量逐步下滑直至彻底停产，以聚焦高端产品 [13] 产能转向的深层驱动逻辑 - **利润驱动**：三星因HBM3E利润率（约30%）远低于通用DRAM（预期超60%）而调整产能；SK海力士因HBM业务利润率高达约70%而优先保障HBM，但也加速扩产1c DRAM；美光通过砍掉低利润消费级业务，将资源分配给利润率数倍于前者的数据中心/HBM市场 [15] - **需求驱动**：AI应用从训练向推理及边缘侧延伸，催生了对GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆发性需求，巨头们为响应谷歌、微软等云巨头的“无限期订单”而重新评估产能分配 [16] - **技术与产能适配驱动**：HBM生产复杂、良率爬升慢，挤压通用DRAM产能，三巨头制程策略分化：三星以1b制程提效并押注1c纳米；SK海力士以1b制程作为HBM基石，用1c制程快速扩产通用产品；美光集中资源攻克HBM4与高端DRAM [17] 存储涨价潮对产业链的影响 - 内存价格已飙升到“几乎负担不起”的程度，这种局面大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解 [23] - 存储模组厂成为受影响最直接的一环，许多头部模组厂已经决定暂停出货并重新评估报价 [23] - 在AI浪潮带来的超级周期下，存储市场正从消费驱动向技术驱动转型，HBM和DDR5内存的紧缺可能进一步传导至整个存储产业链 [23] - 市场预计供需失衡局面将持续到2027年，随着新产线陆续投入运营，行业格局将随之改变 [23]

文章核心观点 - JEDEC组织即将完成SPHBM4新内存标准的制定，该标准旨在通过采用512位窄接口提供与HBM4同等的带宽，并实现更高容量和更低集成成本，但不太可能取代GDDR内存[2] SPHBM4技术原理与目标 - SPHBM4将HBM4的内存接口宽度从2048位缩减至512位，并通过4:1串行化维持相同总带宽，目标是在窄接口下保留HBM4级别的聚合带宽[4] - 在封装内部，SPHBM4将采用行业标准的基底芯片，并继续使用标准的HBM4 DRAM芯片，这简化了控制器开发，并确保单堆栈容量最高可达64GB，与HBM4/HBM4E保持一致[4] - 从理论上看，在相同芯片条件下，SPHBM4可实现相较HBM4四倍的内存容量，但实际设计中需在内存容量、计算能力和芯片功能多样性之间权衡[5] SPHBM4的优势与潜在影响 - SPHBM4支持在传统有机基板上实现2.5D集成，无需昂贵的硅中介层，有望显著降低集成成本并拓展设计灵活性[8] - 凭借行业标准化的512位接口，SPHBM4相比依赖UCIe或专有接口的C-HBM4E方案，有望实现更低的成本[8] - 有机基板布线允许SoC与内存堆栈之间具有更长的电气通道长度，可能缓解超大封装中的布局限制，并在封装附近容纳更多内存容量[8] SPHBM4的成本与市场定位 - SPHBM4的设计优先考虑性能和容量，而非功耗和成本，其成本虽低于HBM4或HBM4E，但仍需堆叠式HBM DRAM芯片、接口基底芯片、TSV工艺、良率筛选及先进封装工艺，这些环节构成主要成本[6] - 在规模化方面，SPHBM4远不如GDDR7，后者受益于庞大的消费级和游戏市场规模、简单的封装形式以及成熟的PCB组装工艺[6] - 用一个先进的SPHBM4去替代多颗GDDR7芯片，并不一定能降低成本，反而可能会提高成本，因此不太可能成为GDDR内存的终结者[2][6] HBM技术的现有挑战 - 采用1024位或2048位宽接口的HBM会占用高端处理器内部大量宝贵的硅面积，这限制了单颗芯片上可集成的HBM堆栈数量，从而约束了AI加速器所支持的内存容量，进而影响单个加速器及大规模集群的性能[2]

行业核心动态 - 全球存储行业正经历重大战略转向，主要存储巨头将核心产能优先投向利润丰厚的AI服务器和数据中心市场，导致消费级市场供应紧张 [1] - 当前局面与2018年比特币暴涨导致的显卡短缺类似，由AI算力需求爆发引发，行业代工厂满负荷运转仍无法满足数据中心和企业对DRAM、NAND的需求 [3] - 冷数据存储方式变化加剧供应紧张，数据中心将更多冷数据转移至固态硬盘，进一步推高NAND闪存需求，而硬盘制造商未扩产 [3] - 行业悲观预期一致，在2027年底之前，消费级存储市场恐难回归“常态”价格与供应水平 [1] 市场价格表现 - 消费级内存价格剧烈波动，DDR4与DDR5内存价格不再稳定，在美国和欧洲二手市场，部分DDR5内存条价格翻倍，甚至一周内多次刷新高价 [1] - 区域性价格波动难以持久，例如去年日本市场DDR4库存意外过剩带来短期平价，但仅两个月后全球一体化行情便将价格拉回高位 [3] - 供应链紧张导致交货周期大幅延长，在东南亚部分电商平台，包括GDDR6、GDDR7、LPDDR5在内的多种内存发货时间被拉长至半年以上 [3] 公司战略调整 - 美光科技于12月初宣布退出Crucial（英睿达）消费级业务，反映出公司基于利润考量，将资源从消费级市场转向企业级市场 [1] - 存储巨头如SK海力士、三星等均将资源向AI服务器和数据中心客户倾斜，供应链所有资源优先服务企业级需求 [1] 未来趋势展望 - 未来几年，若无技术突破降低DRAM/NAND生产难度，消费级用户攒机和升级的窗口期预计将持续收窄而非扩大 [4] - 整体趋势显示，只要AI赛道持续高速发展，大众消费市场的购买力将被动等待新一轮市场变革带来的再平衡 [3]

AMD GPU提价计划 - AMD计划在2026年初将Radeon GPU价格提高10% [1] - 公司在2025年业绩表现强劲后决定提价 [1] 行业需求与成本压力 - AI需求被描述为"无法满足" 计算需求达到前所未有的高度 [1] - DRAM和VRAM价格长期处于高位已损害公司利润 [2] - 内存成本飙升甚至影响到GDDR6这种驱动游戏PC的内存 [5] 内存市场动态 - DRAM合约价格在2025年底实现三位数年增长率 [6] - GDDR6所有速度和密度的价格上涨约33%至43% [6] - 下一代GDDR7供应持续紧张对当前产品构成压力 [7] 供应链与生产调整 - 晶圆厂将产能转向利润率最高的产品 [4] - 超大规模企业竞相训练更大模型导致HBM和DDR5 RDIMM供应紧张 [4] - 制造商优先生产AI加速器导致消费级内存供应紧张 [5] 市场竞争格局 - 英伟达面临相同供应问题但采取不同策略推迟推出消费者新产品 [3] - 内存制造商专注于AI级部件客户不应期待英伟达降价争夺市场份额 [3] 对终端市场影响 - 成本上升将导致显卡板价格增加最终由游戏玩家和PC制造商承担 [2] - 对游戏玩家意味着销量减少库存减少且每批新货价格持续上涨 [5] - 升级决策现在从内存价格开始而不仅仅是核心或时钟频率 [5]

SK海力士产能扩张计划 - 计划将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从约2万片300mm晶圆大幅提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 [1] - 扩产后1c DRAM产能将占其DRAM总产能的三分之一以上 [1] - 扩产将通过在利川园区进行工艺升级实现，新增14万片月产能被视为"最低增幅" [3] 技术细节与产品应用 - 1c DRAM良率已提升至80%以上，主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品 [3] - 扩产的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求 [1] - 与需要复杂堆叠工艺的HBM相比，1c DRAM生产效率更高，能更快速响应市场需求增长 [3] 市场需求与战略调整背景 - AI应用重心正从训练转向推理，导致对成本效益更高的通用DRAM需求激增 [1][5] - 在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择 [5] - 英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，谷歌、OpenAI和亚马逊等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器 [5] - DDR4固定交易价格在9月突破7美元，创6年10个月新高，因主要存储芯片企业集中扩充HBM产线导致通用型DRAM供应瓶颈 [6] HBM业务进展与定价能力 - 在与英伟达的HBM4供应谈判中成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上 [2][8] - HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代AI芯片Rubin，其数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍 [8] - 公司已提前售罄明年HBM产能，在HBM市场占据有利定价地位 [2] - 业界估算SK海力士的HBM4利润率约为60% [9] 财务预期与投资计划 - 业内人士预计公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长 [2] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高 [2][9] - 预计明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元，若维持相同利润率，仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50% [9] - 随着DRAM价格上涨，公司明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60% [9] 行业竞争格局 - 三星计划到2026年底将其1c DRAM的月产能扩大到20万片晶圆，目标在2025年底达6万片，2026年第二季度再增8万片，第四季度再增6万片 [11] - 三星每月20万片1c DRAM产能将约占总产量（估计每月65万至70万片晶圆）的三分之一 [13] - 三星已恢复其平泽园区P5生产线的建设，计划于2028年投入运营，用于生产下一代HBM和1c DRAM [13]