据悉，自9月起，存储芯片价格开始上涨，进入四季度后涨势加快，下游厂商争相备货，有生产企业产 线满负荷运转，仍然供不应求。 根据招股书，佰维存储拟将募集资金用于：提升研发能力并推动产品创新，以满足不断变化的市场需求 以及AI应用日益提高的技术要求；全球扩张战略；潜在战略投资、合作以及并购机会；营运资金及一 般企业用途。 来自A股的存储龙头，最新市值超611亿 佰维存储成立于2010年9月，并于2022年12月底登陆上交所科创板，在今年股价飙升111%后，截至10月 31日收盘，其A股市值超611亿元人民币。 招股书显示，佰维存储是一家面向AI时代的领先独立半导体存储解决方案提供商，拥有业内稀缺的"主 控芯片x创新存储方案设计x先进封测"全栈技术能力，其高性能的半导体存储解决方案，覆盖智能移动 及AI新兴端侧、PC及企业级存储、智能汽车及其他应用领域等多元应用场景。公司已与Meta （META.US）、小米、OPPO、长安等众多全球知名客户建立了合作关系。 其中，在智能移动与AI新兴端侧，佰维存储的存储解决方案包括低功耗DDR（LPDDR）、eMMC、 UFS、ePOP、eMCP及uMCP等，已广泛应用于智能手机 ...

涉及的行业和公司 * 该纪要涉及的公司是SK海力士（SK Hynix Inc，股票代码：000660 KS）[1] * 行业是存储芯片行业，特别是DRAM（包括HBM、服务器DRAM、SOCAMM）和NAND（特别是企业级SSD）市场[1][20] 核心观点和论据 行业前景：强劲且持久的存储上行周期 * 预计将出现最强劲的存储上行周期之一，并持续贯穿2026年[1] * 这一观点的主要论据是超大规模企业在AI上的支出增加，导致服务器相关的内存需求（服务器DRAM、SOCAMM、HBM、企业级SSD）将显著超过供应[1] * 预计2025年DRAM供需将出现1 1%的供应不足（之前预期为0 7%），2026年将出现更显著的3 3%的供应不足（之前预期为0 5%的供应过剩）[48] * 预计2025年NAND供需将出现0 5%的供应不足（之前预期为0 4%的供应过剩），2026年将出现2 5%的供应不足（之前预期为0 8%的供应过剩）[74] 新的需求驱动力：SOCAMM * SOCAMM是一种新型服务器内存模块，基于LPDDR技术，能效和带宽更高[26] * 预计SOCAMM需求将在2026年达到200亿Gb（同比增长300%），在2027年达到380亿Gb（同比增长92%），分别占2026/2027年全球DRAM需求的约5%和9%[28] * 这一增长主要由Vera Rubin CPU的量产推动，其内存容量达到1 5TB，是Grace CPU的3倍[28] 传统DRAM的供需紧张分析 * 预计2026年服务器相关DRAM需求将同比增长34%，增加400亿Gb，达到1580亿Gb[33] * 加上HBM需求预计增长约130亿Gb，2026年服务器相关的总增量DRAM需求约为530亿Gb[33] * 预计三大DRAM供应商（三星、海力士、美光）在2026年的总增量供应约为540亿Gb（从2790亿Gb增至3340亿Gb）[34] * 因此，增量服务器DRAM需求（530亿Gb）几乎可以吸收明年全部增量供应（540亿Gb），这将导致所有主要DRAM应用出现供应紧张[35] HBM市场展望 * 将2026/2027年HBM总市场规模预测上调12%/10%，至500亿美元/690亿美元[80] * 尽管预计HBM3E 12Hi价格在2026年将出现有意义的同比下降，但强劲的需求（预计位元需求同比增长60%以上）将足以抵消价格下跌的影响，推动市场规模增长[81] * 预计HBM竞争将加剧，尤其是HBM3E 12Hi领域，但整体HBM供应在近中期仍将略微供不应求[89] * 预计海力士在2026年将保持HBM市场领导地位，市场份额约为55%[91] 对SK海力士的财务影响和投资建议 * 将SK海力士评级上调至“买入”，新目标价为700，000韩元，意味着较当前股价有25%的上涨潜力[1][97] * 预计公司2026年传统DRAM营业利润将超过一倍，达到360亿美元（今年为150亿美元），推动公司整体营业利润预期比市场共识高出约20%[2][99] * 预计公司2026年HBM营业利润将同比增长12%，至175亿美元（今年为157亿美元）[99] * 基于对强劲上行周期的预期，将目标市净率从1 8倍上调至2 8倍[3][135] * 公司2024年ROE已超过30%，预计2025/2026年将进一步扩大至40%以上，达到历史最高水平[3][135] * 敏感性分析显示，熊市/基准/牛市情景下，股价潜在下行/上行空间分别为-19%/+25%/+47%，风险回报有利[3][119] 其他重要内容 股东回报潜力 * 预计公司在未来3年期间将产生超过60万亿韩元的自由现金流[2] * 预计股息支付有显著上行空间，模型预测2026/2027年每股股息为9，000/18，000韩元（远高于市场共识的3，100/3，600韩元）[127] 资本支出计划 * 由于需求强劲，将2025/2026/2027年的资本支出预测上调17%/36%/32%，至28/36/33万亿韩元，主要用于DRAM[125] 关键风险 * 主要风险包括：内存供需严重恶化、技术迁移延迟、智能手机/PC/服务器需求疲软影响传统内存需求、三星在HBM业务上取得积极进展、AI相关资本支出降低影响HBM需求[136]

涉及的行业与公司 * 行业涉及AI服务器、GPU、PCB（印刷电路板）、CCL（覆铜板）、铜箔、冷却技术、内存模块[1][5][7][10][23][26][29][30][35] * 公司包括NVIDIA（NVDA US）、Victory Giant Technology（PCB供应商）、WUS PCB（PCB供应商）、Jentech（3653 TT，冷却组件供应商）、Rambus（RMBS US，内存模块芯片供应商）、Mitsui Mining（铜箔供应商）、CoTech（铜箔供应商）、MEC（4971 JP，化学处理公司）[19][20][25][29][30][35] 核心观点与论据 NVIDIA VR200 NVL144 CPX 系统设计变更 * NVIDIA发布新款VR200 NVL144 CPX机架，旨在优化大语言模型处理中预填充（prefill）和解码（decode）两个阶段的性能干扰，通过采用专注于预填充场景的Rubin CPX GPU来实现[1][2] * Rubin CPX GPU采用Rubin架构和TSMC N3P工艺，但仅包含1个计算芯片，使用128GB GDDR7内存并通过PCIe6连接，而非Rubin GPGPU的2个计算芯片、288GB HBM4内存和NVLink互联[5][7] * 每个计算托盘包含2个Vera CPU、4个Rubin GPGPU和8个Rubin CPX GPU，新增4块CPX板，每板承载2个Rubin CPX GPU和2个CX9 NIC[5][10] * 计算托盘采用中板（midplane）设计替代上一代的过线缆，该中板为44层（22+22）PTH设计，面积0.02平方米，使用M9级材料（HVLP4铜箔+Q-glass），价值几乎等同于使用M8级材料的Bianca板[12][13][15] PCB规格升级与价值提升 * VR200的Bianca板从GB200/300的22层5级HDI（5+12+5）、0.06平方米、M8级材料（HVLP3铜箔），升级为24层6级HDI（6+12+6）、0.08平方米、M8级材料但铜箔升级为HVLP4，价值提升至少30%[17][18] * VR200的NVSwitch板从GB200/300的22层PTH、0.07平方米、M8级材料（HVLP2铜箔），升级为32层PTH、0.08平方米、预计使用M9级材料（HVLP4铜箔+Q-glass），价值将达到数百美元高位[20] * 新增的CPX板为22层5级HDI（5+12+5）、0.05平方米，但使用M9级材料（HVLP4铜箔+Q-glass），其价值不低于甚至可能高于GB200/300的Bianca板[10] * 综合Bianca板价值增长、新增中板和四块CPX板，VR200 NVL144 CPX每个计算托盘的PCB总价值预计将超过3000美元，较GB200/300世代增长近三倍，主要PCB供应商Victory Giant Technology将显著受益[19] * NVSwitch托盘PCB价值也显著增长，主要供应商Victory Giant Technology和WUS PCB将受益[20] 冷却与内存技术变更 * 由于Rubin GPGPU功率从1800W提升至2300-2500W，超过2000W冷板散热极限，VR200计算托盘将采用微通道盖（Micro-Channel Lid, MCL）作为新一代冷却组件，单价150-200美元，由Jentech（3653 TT）独家供应[23][24][25] * 传统冷板供应商（如Asia Vital Components和Cooler Master）仍有机会，因为新增的CPX板仍需冷板冷却[25] * VR200计算托盘计划从LPDDR5X内存转向SOCAMM（小型压缩附加内存模块），其可插拔设计提高了灵活性和可维护性[26] * 每个SOCAMM模块包含1个SPD芯片和1个PMIC芯片，总价值约3-4美元，内存模块外围芯片供应商如Rambus（RMBS US）将受益，但需注意SOCAMM2可能仍存在翘曲问题的风险[29] HVLP4铜箔供需与关键厂商 * HVLP4铜箔需求主要来自NVIDIA VR200机架（预计每架需100kg）和AWS Tranium 3机架（预计每个UBB需4kg），保守估计2027年总需求为15,000吨[30][31][32] * 供应方面，预计到2027年底，全球HVLP4等效供应量约为13,000吨/年，将出现10%的供应短缺，若考虑其他ASIC厂商采用及Rubin Ultra NVL576放量，短缺可能加剧，Mitsui Mining已开始提价[30][33][34] * 公司MEC（4971 JP）是铜表面粗化剂全球领导者，其CZ-8201产品（粗糙度Rz=0.3μm）因HVLP4铜箔表面粗糙度要求低于0.5μm而进入PCB市场[35][44] * 预计2027年NVIDIA VR200和AWS Tranium 3对CZ-8201的需求量将达到1680万公斤，以MEC 80%市场份额和ASP 750日元/公斤计，可为MEC带来约100亿日元收入（约占其今年总收入的50%）和约30亿日元营业利润（约占今年总OP的60%），MEC成为隐藏的HVLP4铜箔受益者[45][47][48] 其他重要内容 * 文档包含评论互动，讨论了MEC与竞争对手Shikoku Kasei的市场份额和产品竞争问题，指出分析中的假设可能存在变数[51][52]

涉及的行业与公司 * 行业为全球半导体行业 特别是存储芯片（DRAM和NAND）[1] * 提及的公司包括三星电子（Samsung Electronics）[1][2][4][6][10]、SK海力士（SK Hynix）[6][10]、美光（Micron）[2][10]、西部数据/闪迪（Sandisk）[2][10]和英伟达（NVIDIA）[4][10] 核心观点与论据：价格预测上修 **4Q25E价格展望** * 根据Digitimes报告 因供应短缺和云服务提供商（CSPs）积极采购 4Q25E内存合约价预计环比上涨+15~20% [1][2] * 公司预期4Q25E的DRAM和NAND平均销售单价（ASP）增长将分别为+12%和+6%季度环比（QoQ） 高于此前预测的+5%和+3% [1][3] * 价格上涨动力来自服务器DRAM需求以及iPhone 17型号移动DRAM容量增加 [3] **2026E DRAM展望** * 将2026E DRAM需求增长预测从+20%年同比（YoY）上调至+25% YoY [4] * 将2026E DRAM ASP增长预测从+15.5% YoY大幅上调至+24.8% YoY [1][4] * 需求增长的主要驱动力包括对GDDR7（用于英伟达Rubin CPX平台）、SOCAMM以及服务器DRAM的需求上升 [1][4] * 分季度看 预计4Q25E DRAM ASP环比增长+12% 2026年各季度环比增长分别为+3%/+8%/+5%/+2% [4][9] **2026E NAND展望** * 将2026E NAND需求增长预测从+21% YoY上调至+23% YoY [5] * 将2026E NAND ASP增长预测从+17.1% YoY上调至+22.9% YoY [1][5] * 需求增长由超大规模数据中心（hyperscalers）的企业级固态硬盘（eSSD）订单增加所驱动 [1][5] * 分季度看 预计4Q25E NAND ASP环比增长+6% 2026年各季度环比增长分别为+3%/+9%/+7%/+5% [5][9] **投资建议** * 鉴于有利的价格前景 维持对SK海力士和三星电子的买入（Buy）评级 [6] 其他重要细节 **供应紧张状况** * 内存供应商近期已提议10月份的合约价格上调10% [2] * 三星的V9 NAND芯片在2026年的产能几乎售罄 [2] * 闪迪和美光也因供应紧张而实施了NAND涨价 [2] **具体产品价格预测（附录图表）** * 服务器DRAM（DDR4 & DDR5混合）ASP：预计4Q25E环比增长+12% 2026E全年同比增长+36%（此前预测为+25%）[9] * 移动DRAM ASP：预计2026E全年同比增长+29%（此前预测为+16%）[9] * PC DRAM ASP：预计2026E全年同比增长+31%（此前预测为+20%）[9] * SSD NAND ASP：预计2026E全年同比增长+31%（此前预测为+21%）[9] * 移动NAND ASP：预计2026E全年同比增长+15%（此前预测为+10%）[9]

英伟达技术路线调整 - 公司决定取消第一代SOCAMM推广并将技术开发重心全面转向新一代产品SOCAMM2 [1] - 调整旨在优化内存模块性能并更好适配AI服务器领域需求 [1] SOCAMM技术特性 - 技术定位为面向AI服务器的新型高带宽、低功耗内存解决方案 [1] - 设计目标是在提供与HBM相近性能的同时有效降低成本 [1] - GB300 NVL72规格支持最高18TB基于LPDDR5X的SOCAMM，带宽达14.3 TB/s [1] 技术升级细节 - SOCAMM2数据速率从第一代8533 MT/s提升至9600 MT/s [3] - 新版有望支持LPDDR6内存规格但尚未得到供应商正式确认 [3] - 全球三大主要内存供应商均已参与SOCAMM2样品测试工作 [3] 市场竞争格局 - 美光公司作为唯一内存厂商已于今年3月向数据中心AI服务器出货SOCAMM产品 [3] - 三星和SK海力士原计划2025年第三季度实现该类产品量产 [3] - 技术路线调整或为三星和SK海力士提供追赶契机并激发行业竞争活力 [3]

NVIDIA SOCAMM计划变更 - NVIDIA放弃SOCAM1项目并转向SOCAM2 已开始与三星电子 SK海力士和美光进行样品测试[1] - SOCAM1因技术问题两次搁置 未能获得大规模订单 原计划年内推出[1] - SOCAM是AI专用内存模块标准 旨在以比HBM更低的成本和功耗提供高容量内存[1] SOCAM技术规格与性能 - SOCAM采用低功耗DRAM LPDDR 功耗比标准服务器内存模块RDIMM低三分之一[2] - SOCAM2拥有694个I/O端口 数据传输速度达9,600 MT/s 高于SOCAM1的8,533 MT/s[2] - 公司考虑采用下一代低功耗内存LPDDR6[2] 市场竞争格局变化 - 美光在SOCAM1质量评估中领先 但三家内存制造商在SOCAM2研发上处于同一起点[3] - 三星电子和SK海力士原计划第三季度量产SOCAM 产品延迟耽误商机[2] - SOCAM2预计明年年初开始量产 采用率将逐渐增加[3] 行业影响与展望 - SOCAM被视为超越HBM的新AI内存市场 业界关注其解决AI数据瓶颈的潜力[3] - 内存行业对SOCAM益处原本充满期待 但上市延迟导致商机延误[2] - 特别关注三星电子能否在AI内存领域扭转落后于竞争对手的局面[3]

行业投资评级 - 增持(维持) [6] 核心观点 - NAND产能加速切换至新制程 旧制程产出明显缩减 尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少推动现货价格逐渐上扬 而新旧制程切换下高容量NAND供应充足使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整 [1] - DRAM产业2025年第二季整体营收达316.3亿美元 环比增长17.1% 主要受益于一般型DRAM合约价上涨 出货量显著增长及HBM出货规模扩张 [2] - HBM领域SK海力士预计到2030年定制HBM市场规模将增长至数百亿美元 HBM4产品将采用客户特定逻辑芯片或基础芯片技术 [3] - 渠道DDR5内存条因资源供应趋紧价格继续小幅上涨 存储现货市场整体价格趋稳 DDR4与DDR5价差已缩小至20%以内 但渠道内存条仍以DDR4为基本盘 [3] 存储芯片周度价格跟踪 - NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.97%至6.14% 平均涨跌幅为-0.03% 其中12个料号价格持平 5个上涨 5个下跌 [1] - DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.24%至2.76% 平均涨跌幅为0.68% 上周13个料号上涨 4个下降 1个持平 [2] 行业新闻 - TrendForce报告显示2025年第二季DRAM产业营收环比增长17.1%至316.3亿美元 主要因合约价上涨 出货量增长及HBM扩张 [26] - CFM报道指出原厂NAND产能加速向新制程切换 旧制程产出缩减推动256Gb TLC NAND价格上扬 而高容量NAND供应充足导致1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格下调 [26] - SK海力士预计2030年定制HBM市场规模达数百亿美元 HBM4将采用差异化技术构建 [27] - 渠道市场DDR5资源供应趋紧推动价格小幅上涨 DDR4处于高位横盘 NAND Flash价格分化明显 低容量供应吃紧推升256Gb及以下容量Flash Wafer价格 [27] 公司动态 - 江波龙SOCAMM专为AI数据中心设计的高性能内存产品已成功点亮 可提供数倍于传统RDIMM的带宽 [30] - 华海诚科子公司衡所华威产品覆盖基础到先进封装多个层次 在汽车电子 新能源 第三代半导体等领域处于领先地位 [30] - 东芯股份参股公司砺算科技已向部分客户送样 持续优化产品并推进生产销售工作 [31] 公司公告 - 恒烁股份截至2025年8月31日回购股份813,407股 占总股本0.98% 回购金额29,313,021.08元 [33] - 兆易创新股权激励股份上市流通数为2,286,334股 上市流通日期为2025年9月10日 [33] 投资建议 - 持续看好受益先进算力芯片发展的HBM产业链 建议关注赛腾股份 壹石通 联瑞新材 华海诚科等 [4] - 存储芯片受益供应端推动涨价 库存回归正常及AI带动需求上升 推荐东芯股份 建议关注兆易创新 恒烁股份 佰维存储 江波龙 德明利等 [4]

企业级存储业务 - 2024年中国企业级SATA SSD总容量排名第三，国产品牌排名第一 [3] - 企业级PCIe SSD与RDIMM产品已批量导入国内头部企业 [3] - SOCAMM产品带宽比传统RDIMM高2.5倍，延迟降低20%，尺寸仅为标准RDIMM的三分之一 [3] TCM商业模式与闪迪合作 - 与闪迪合作面向移动及IOT市场推出定制化UFS产品及解决方案 [3][5] - UFS产品正加速导入多家Tier1客户供应链 [4] - TCM模式采用差异化定价、采购与结算机制 [4] 主控芯片技术成果 - 主控芯片全系列产品累计实现超过8000万颗批量部署 [4] - UFS4.1产品顺序读写性能达4350MB/s和4200MB/s，随机读写性能达630K IOPS和750K IOPS [5] - 自研主控芯片部署规模将实现放量增长 [4] 嵌入式产品创新 - 推出UFS4.1、eMMC Ultra、QLC eMMC等新型嵌入式产品 [5] - 超薄ePOP4x（0.6mm）和超小尺寸eMMC（7.2mm×7.2mm）已规模应用于智能眼镜、智能手表 [6] - QLC eMMC产品已用于众多知名厂商的移动终端 [6]

产品技术突破 - 公司成功点亮专为AI数据中心设计的高性能内存产品SOCAMM [1] - SOCAMM能提供数倍于传统RDIMM的带宽 [1] - 新产品实现更小物理尺寸和优异功耗表现 [1] 市场应用前景 - SOCAMM技术具备广阔市场前景 [1] - 技术突破到大规模应用需生态适配和客户导入 [1]

公司技术进展 - 公司成功点亮专为AI数据中心设计的高性能内存产品SOCAMM [1] - SOCAMM可提供数倍于传统RDIMM的带宽 [1] - 新产品具备更小物理尺寸和优异功耗表现 [1] 市场应用前景 - SOCAMM技术具备广阔市场前景 [1] - 技术突破至大规模应用需经历生态适配过程 [1] - 客户导入进度将影响产品商业化进程 [1]