涉及的行业与公司 * **行业**：半导体存储行业，具体为高带宽内存（HBM）市场 [1] * **公司**：三星电子、SK海力士、美光、英伟达、博通 [1][7][8] 核心观点与论据 **1 HBM4初始供货份额分配** * 英伟达已初步分配HBM4供货量：SK海力士占**中数50%多一点**，三星电子占**中数20%多一点**，美光约占**20%** [1] * 分配基于交易历史、生产能力和通过认证测试的可能性，旨在确保下半年新款AI加速器**Vera Rubin**的稳定量产 [2] * 三星HBM4性能领先（工作速率**每秒1.7吉比特**）且首个通过质量测试，但预计份额仍落后 [1] **2 三星HBM4份额受限的原因** * **技术策略与成本**：采用**4nm**代工工艺基底晶片和**10nm第6代（1c）DRAM**核心晶片，导致生产成本高于使用**12nm**工艺和**10nm第5代（1b）DRAM**的竞争对手 [5] * **良率与产能限制**：1c DRAM良率虽改善，但仍不及竞争对手成熟的1b DRAM [5] 1c DRAM产能约**每月7万片晶圆**，仅占三星总DRAM产能的**10%** [5] 产能扩建需一年后才能提升至约**每月19万片晶圆** [6] * **尖端封装工艺**：进一步减少了存活芯片数量，限制了实际产出 [6] * **盈利考量与业务重心**：商品DRAM价格飙升，约**每千兆位（Gb）1.25美元**（折合每吉字节约**10美元**），与主流HBM3E 12层产品价格相近，且因无需先进封装，其盈利能力（毛利）据称远高于HBM [7] 三星在DRAM产能上拥有超过**1.2倍**的优势，将重心放在更有利可图的商品DRAM业务被视为理性选择 [8] **3 英伟达的供应商策略与市场动态** * 英伟达可能认为将更大份额分配给长期密切合作的SK海力士是更“稳妥”的选项，因其能提供稳定供应 [8] * 份额分配存在变数，若供应商产品性能不足，英伟达将无法接受 [8] 例如，去年三星多次未通过HBM3E 12层认证，导致份额流向SK海力士和美光 [8] * 近期有预测称，若美光交付HBM4遇阻，三星份额可能上升至**高达30%** [8] 其他重要信息 * 三星预计本月开始向英伟达量产并出货HBM4，此为业界首次 [1] * HBM生产周期需**超过六个月**，因此需提前分配产量 [2] * 对HBM3E 12层产品的需求依然强劲，该产品将在今年上半年成为市场主流 [7] * 三星已通过英伟达HBM3E 12层认证，但实际出货量不大，反而收到来自博通（与谷歌TPU等共同设计）的大量订单 [7]

涉及的公司与行业 * **公司**：三星电子、SK海力士、美光、英伟达、博通、谷歌[1][2][7][8] * **行业**：半导体行业，特别是高带宽内存（HBM）与人工智能（AI）加速器领域[1][2][8] 核心观点与论据 * **三星HBM4在英伟达的配额仅为约20%**，而SK海力士获得约50%以上，美光约20%[1][2] * **配额分配原因**：英伟达为确保下半年新款AI加速器Vera Rubin稳定量产，需提前超过六个月分配产量，分配依据包括交易历史、生产能力和通过认证测试的可能性[2] * **三星HBM4的技术领先性**：拥有业界最高的性能，工作速率达每秒1.7吉比特，并且是第一个通过质量测试的[1] * **三星份额较低的原因一：自身策略与成本**：采用“技术全押”策略，使用4nm代工工艺基底晶片和10nm第6代（1c）DRAM，导致生产成本高于使用12nm工艺和1b DRAM的竞争对手[4][5] * **三星份额较低的原因二：良率与产能限制**：1c DRAM良率虽改善但仍不及竞争对手成熟的1b DRAM，较低的良率影响盈利能力，同时1c DRAM产能仅约每月7万片晶圆，占其总DRAM产能的10%，且尖端封装工艺进一步减少了存活芯片数量[6] * **三星份额较低的原因三：盈利考量与业务重心**：商品DRAM价格飙升，高盛数据显示今年价格约为每吉字节（GB）10美元，与主流HBM3E 12层产品价格相差不远，且因无需先进封装，其盈利能力据称远高于HBM，因此三星将重心放在更有利可图的商品DRAM业务上是理性选择[7][8] * **英伟达的供应安全考量**：从英伟达角度看，将更大份额分配给长期密切合作且拥有最大HBM产能的SK海力士，是确保Vera Rubin加速器HBM4稳定供应的更稳妥选项[8] * **未来份额存在变数**：若供应商HBM4性能不足，英伟达无法接受，份额可能调整，例如去年三星HBM3E测试未通过导致份额流向SK海力士和美光，近期有预测因美光交付困难，三星份额可能升至30%[9] 其他重要内容 * **三星HBM4出货里程碑**：预计本月开始向英伟达量产并出货HBM4，此为业界首次[1] * **HBM3E市场现状**：12层产品需求依然强劲，将在今年上半年成为市场主流，三星收到来自博通（与谷歌TPU共同设计）等厂商的大量HBM3E 12层订单[7] * **三星产能扩张计划**：已开始扩建平泽厂区第4号厂，预计一年后1c DRAM产能将提升至约每月19万片晶圆[6]