光刻胶技术突破 - 清华大学化学系许华平教授团队开发出基于聚碲氧烷的新型EUV光刻胶，通过单组分小分子聚合整合理想特性，为下一代EUV光刻胶提供可行路径 [2][4] - 该光刻胶将高EUV吸收元素碲（Te）通过Te─O键引入高分子骨架，其EUV吸收能力显著高于传统光刻胶中的短周期元素及金属元素（如Zn、Zr、Hf、Sn） [4] - Te─O键低解离能使其吸收EUV后可直接发生主链断裂，实现高灵敏度正性显影，材料设计兼具均一性与高效性 [4] 光刻胶市场前景 - 全球光刻胶市场规模预计从2025年120亿美元增长至2030年2806亿美元，中国市场份额将提升至30% [6] - 中国"十四五"规划将光刻胶列为关键材料，税收优惠及研发补贴超200亿元，推动国内企业实现ArF光刻胶量产 [4] 学术成果发表 - 研究成果以"Polytelluoxane as the ideal formulation for EUV photoresist"为题，于7月16日发表于《Science Advances》期刊 [5]