三星电子第二季度财报表现 - 公司第二季度营收74万亿韩元（531亿美元）同比下降0 1% 营业利润4 6万亿韩元（33亿美元）同比下滑55 9% 低于市场预期的6 3万亿韩元 [1] - 业绩不及预期主要由于HBM业务执行不力 第五代HBM3E产能扩张未达效果 英伟达推迟12层HBM3E认证导致库存积压 [2] - 半导体部门营业利润预计仅4000亿韩元（2 87亿美元） HBM出货量5-6亿千兆位远低于目标 [2] HBM市场竞争态势 - 公司HBM3认证延迟至第三季度末 而竞争对手SK海力士和美光已瞄准HBM4认证 [4] - 在AI芯片关键组件领域 公司市场份额和技术定位持续落后于SK海力士和美光 [1][4] - 行业专家认为公司在HBM3E领域的交付能力和市场份额已大幅落后 年内难以追赶 [8] 存储芯片业务困境 - NAND闪存业务第二季度亏损超3000亿韩元（2 16亿美元） 因依赖需求疲软的商品化NAND领域 [4] - DRAM业务面临定价压力 第四季度DDR4需求可能消退 DDR5溢价空间缩小 [7] - 公司计划推出第六代10纳米级DRAM和下一代HBM产品线 但良率和质量存在不确定性 [7] 晶圆代工业务挑战 - 代工和LSI部门总亏损达2 3万亿韩元（16 5亿美元） 其中代工业务单独亏损超2 1万亿韩元 [5] - 在3nm/5nm先进节点客户获取方面进展缓慢 台积电2nm良率达60% 而公司仅30-40% [5] - 2nm制程量产时良率可能出现波动 进一步拉大与台积电的技术差距 [5]

SK海力士资本支出与产能调整 - SK海力士将2024年资本支出计划上调30%至29万亿韩元，原计划为22万亿韩元[1] - 公司要求供应商提前两个月在10月前完成M15X工厂设备交付，该厂将主要生产1b DRAM作为HBM3E核心芯片[1] - 正在将M10晶圆厂部分传统节点产能转换为HBM工艺，图像传感器业务员工已转岗至AI内存业务[2] - 2024年HBM产能已全部售罄，并向客户提供HBM4 12H样品[2] DRAM市场竞争格局 - 2024年Q1 SK海力士以36%市场份额首次超越三星(34%)成为DRAM最大供应商，美光以25%位居第三[2][4] - 三星DRAM市场份额40年来首次跌破40%，主因HBM技术竞争力不足导致AI半导体领域弱势[4] - 美光与三星市场份额差距从2023年Q4的16.9个百分点缩至2024年Q1的9个百分点[7] - Counterpoint预测2025年Q2 DRAM市场份额排名将与Q1相似[5] HBM市场动态 - SK海力士占据2024年全球HBM市场52.5%份额，三星42.4%，美光5.1%[6] - SK海力士自2024年3月开始向英伟达供应HBM3E，同时新增博通作为HBM客户[1] - 美光已通过英伟达HBM3E质量验证并开始量产，成为继SK海力士后第二家供应12层HBM3E的厂商[6] - 三星仍在进行HBM3E资格测试，行业关注其下半年可能出现的反弹[8] 美光科技扩张战略 - 计划2024年将HBM市场份额提升至20%，正改造台湾两座工厂用于HBM生产，预计年内投产[7] - 投资70亿美元在新加坡新建HBM晶圆厂，计划2025年运营，日本广岛工厂将提前至2026年投产[7] - Q1从韩美半导体采购的热压键合机数量已超2024全年计划，正积极招募韩国半导体人才[8] 行业技术发展 - HBM3E成为当前主流产品，12层版本将成为2024年下半年主要出货型号[6] - 极紫外(EUV)设备将在美光日本工厂(最早6月)和SK海力士M15X工厂投入使用[7][8]