如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度 下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制 程中展现出了其不可替代的优势。 近期，英特尔、imec、美光、三星等公司纷纷宣布与EUV相关的重要进展，进一步加速了EUV 技术的商用应用及发展，这标志着EUV技术进入了新的阶段，有着显著的变革。 High NA EUV，厂商新进展 在2025年SPIE先进光刻 + 图案化技术大会上，不少顶尖的芯片厂商讨论了EUV光刻机尤其是最新一 代的High NA EUV光刻机的一些应用进展。 英特尔，季产3万片 英特尔是第一家购买High NA EUV光刻机的芯片厂商，据悉，每台机器价值高达3.5亿欧元。不过英 特尔采用这些新机器暂时用于研发用途。英特尔工程师Steve Carson在 SPIE 先进光刻+图案会议上 透露，英特尔去年在其位于俄勒冈州希尔斯伯勒附近的D1开发工厂安装并开始使用两台ASML High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 光刻工具，目前已使用这些系统在一个季度内处 ...

美光1γ工艺DDR5芯片技术突破 - 公司推出采用1γ制造工艺的16Gb DDR5芯片，首次应用EUV光刻技术，该工艺属于第6代10nm级节点[1] - 新产品额定数据传输率达9200 MT/s，标准电压1.1V，相比前代1β工艺产品功耗降低20%，位密度提升30%[1] - 新技术结合EUV与多重图案化DUV技术，采用下一代高K金属栅极和全新后端电路设计[4] 产品性能与市场应用 - 芯片9200 MT/s速度超出当前DDR5规范最高等级，但兼容JEDEC标准，可为下一代CPU提供未来防护[2] - 产品适用于CUDIMM/CXL内存模块和发烧友DIMM，后者可能实现10,000 MT/s超频模块[2] - 已向笔记本/服务器厂商送样，预计2025年中期进入零售市场，将覆盖台式机/笔记本/服务器全产品线[2] 生产工艺与产能规划 - 1γ工艺是公司首个采用EUV的技术节点，相比竞争对手延迟数年但带来显著优势[3] - 目前在日本晶圆厂生产，2024年安装首台EUV设备，未来将在日本和台湾工厂增加更多EUV系统[4] - 该工艺将成为公司主力节点，后续将用于GDDR7、LPDDR5X(9600 MT/s)及数据中心产品[3] 技术细节与性能提升 - EUV应用于关键层替代多重图案化，缩短生产周期并提升良率[4] - 新技术使性能比1β提升15%，同时保持20%的功耗优势[4] - 成本优势将在产量达到1β水平时显现，预计制造成本同步降低[1]