文章核心观点 - 文章旨在为半导体行业以外的研究人员提供一份通用指南，详细阐述将新型极紫外光刻胶材料引入先进晶圆厂所需满足的先决条件和关键步骤，以弥补学术界与工业界在材料引入流程上的知识空白 [1][7] 从DUV到EUV光刻的技术演进与挑战 - 深紫外光刻技术几十年来是行业基石，依赖化学放大光刻胶 [3] - 对更小特征尺寸的追求促使行业转向极紫外光刻技术，但有机材料在EUV光下吸收率低，需要探索新型光刻胶材料 [3] - EUV光子能量高，使反应机制从DUV的外层电子光化学反应转变为辐射驱动化学反应，带来一系列挑战 [4] - 评估EUV光刻胶的关键指标是分辨率、线边缘粗糙度、灵敏度和随机失效之间的权衡 [4] - 理想EUV光刻胶最好是单组分体系，由电子诱导反应驱动溶解度切换，并具有高EUV吸收截面以补偿低光通量 [4] - 高数值孔径EUV光刻技术被引入以进一步提高分辨率，但焦深减小需使用更薄光刻胶层，这进一步凸显了高吸收率金属基光刻胶的重要性 [6] 新型光刻胶材料的研究趋势与引入障碍 - 近期研究重点集中在高吸收率的含金属光刻胶和新型溶解度切换化学方法上 [5] - 含金属光刻胶的EUV吸收截面远高于有机材料，但其引入带来了交叉污染风险，可能改变衬底电学和机械性能 [6] - 学术界对EUV光刻胶研究兴趣空前，但在工业环境中引入新材料存在限制，主要源于复杂的工艺控制、工具污染风险以及工业流程的保密性 [1][6][7] 晶圆厂光刻胶图案化工艺流程详解 - 光刻胶从涂覆到剥离的流程在晶圆厂中相当复杂，受多种因素影响 [9] - 在涂布/显影轨道中，光刻胶通过自动点胶系统涂覆到硅晶圆上，涂覆一片300毫米晶圆约需3到5毫升光刻胶 [10][12] - 旋涂会产生边缘胶珠，需通过边缘胶珠去除工艺用溶剂流清洁，以防止在晶圆转移时成为污染源 [14][16] - 涂覆后需进行后涂覆烘烤以去除溶剂，并有清洗步骤清除晶圆背面颗粒，防止其在曝光或计量时导致晶圆偏离焦平面 [16] - EUV扫描仪采用反射光学系统，使用激光等离子体技术产生13.5nm波段的EUV光，系统内需维持特定压力以保护光学元件 [18] - 显影后的干法刻蚀工艺将图案转移到衬底，此过程产生的挥发性副产物可能造成工具污染，引入含金属光刻胶时此风险较高 [19] 材料引入的先决条件：安全与污染控制 - 首要文件是材料安全数据表，需包含化学成分、物理性质、健康危害及预防措施等信息 [20] - MSDS需关注光刻胶溶剂的熔点和闪点，因轨道中加热温度可达50至250°C，高蒸气压溶剂可能不适用 [21] - 光刻胶的金属痕量含量必须极低，金属污染会严重降低器件性能和可靠性 [22] - 污染危害取决于交叉污染风险、对器件性能的影响及检测能力，不同金属危害程度不同 [22] - 例如，碱金属因熔点低、蒸气压高且难以检测，危害极大；而锡或锑等金属危害相对较小 [24][27] - 评估污染需测量光刻胶溶液中的痕量元素，通常使用电感耦合等离子体质谱法，安全限值在十亿分之一范围内 [26] - 洁净室设备上的痕量污染规格限值以原子/平方厘米为单位规定，主流CMOS工厂通常将10^10 atoms/cm²作为晶圆背面金属污染的最大允许限值 [27][28] - 需进行晶圆涂覆前后的TXRF分析来评估交叉污染风险，若安全容差更低则需采用气相分解-电感耦合等离子体质谱法 [28] 材料引入的先决条件：工艺兼容性测试 - 光刻胶必须与轨道工具内预装的清洗、冲洗溶剂相容且可溶 [30] - 需进行溶液老化测试，确保光刻胶在轨道溶剂中能保持溶解状态数周且无沉淀，因某些配方形成的微小沉淀会堵塞管路 [30] - 需将轨道溶剂与光刻胶溶液按不同比例混合，检查是否产生雾化或沉淀，以确认相容性 [33] 材料引入的先决条件：EUV扫描仪曝光豁免 - 在EUV扫描仪中引入新型光刻胶需要获得设备制造商ASML的豁免，因为光刻胶释放的物质可能与扫描仪内的氢等离子体相互作用，污染反射镜 [39] - 评估要求包括确定材料中非标准元素的原子百分比、其键合性质以及有机壳层的物理性质 [39] - 关键是通过极紫外诱导残余气体分析技术，分析光刻胶在EUV照射下释放的气体物质性质，并结合热力学分析评估其反应活性 [39][40] - 需要监测光刻胶中是否有金属或腐蚀性物质脱气，例如锡基光刻胶在EUV照射下未检测到锡脱气，则对扫描仪环境相对无害 [42] 总结：从实验室到晶圆厂的全流程 - 将新型EUV光刻胶引入晶圆厂测试需满足一系列先决条件，以确保符合安全和合规要求 [44] - 关键步骤包括：准备完整的材料安全数据表、进行痕量金属污染检测、溶剂兼容性与溶液老化测试、以及为在EUV扫描仪曝光申请ASML豁免 [44] - 尽管具体步骤可能因材料性质和晶圆厂需求而异，但本文提供的指导原则为相关人员奠定了坚实基础 [46]

上海交大光计算芯片突破 - 上海交通大学陈一彤课题组首次实现支持大规模语义媒体生成模型的全光计算芯片LightGen，研究成果发表于《科学》期刊[1] - 该芯片为国际首次实现的大规模全光生成式AI芯片，在单芯片上同时突破百万级光学神经元集成、全光维度转换、无真值光芯片训练算法等瓶颈[1] - 实测表明，即便采用较滞后性能的输入设备，LightGen相比顶尖数字芯片仍可取得2个数量级的算力和能效提升[2] - 在信号输入频率非瓶颈的理想前沿设备下，LightGen理论可实现算力提升7个数量级、能效提升8个数量级的性能跃升[2] 字节跳动业绩表现 - 知情人士透露，字节跳动今年有望实现约500亿美元（约合3525.45亿元人民币）利润，创下纪录[4] - 公司今年前三个季度已实现约400亿美元净利润，并提前完成内部设定的2025年目标[4] - 若全年实现上述盈利水平，字节跳动的业绩将逼近Meta，后者预计今年利润约为600亿美元[4] 智谱华章披露IPO招股书 - 北京智谱华章科技股份有限公司于12月19日披露招股书，宣布赴港冲刺“全球大模型第一股”[4] - 公司2022年、2023年、2024年收入分别为5740万人民币、1.245亿、3.124亿元，2022年到2024年的年收入复合年增长率达到130%[4] - 2025年上半年收入为1.9亿，收入连续三年翻倍，报告期内收入主要来自于大模型收入[4] - 公司成立于2019年，由清华大学技术成果转化而来，凭借原创的GLM预训练架构构建了全栈模型矩阵，模型适配了40余款国产芯片[5] - 此次赴港上市标志着资本市场将首次迎来一家以自主研发AGI基座模型为核心业务的上市公司[6] 小米汽车自动驾驶进展 - 小米汽车已获得北京市L3级自动驾驶道路测试牌照，并持续开展常态化L3级道路测试[8] - 截至2025年9月底，小米等23家企业的750辆自动驾驶乘用车累计运行里程超6027万公里[8] 中国EUV光刻机传闻 - 据外媒报道，中国一家秘密实验室已悄然组装出第一台EUV极紫外光刻系统的原型机，正处于秘密测试阶段，计划2028年试产原型芯片[16] - 该原型机于2025年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成，采用与ASML Twinscan NXE系列相同的激光等离子体技术，可产生波长为13.5纳米的极紫外光[16] - 报道称该设备体积显著大于ASML同类产品，已具备极紫外光生成能力，但尚未能制造出可用芯片[16] 福特新能源车型上市 - 福特烈马家族首款新能源车型“智趣烈马”正式上市，共5款车型，售价区间22.98-28.28万元[13] - 该车定位全地形露营SUV，提供增程和纯电双动力[13] - 增程版配1.5T发动机，前后电机最大功率分别为130kW、180kW，搭载43.7kWh电池组，CLTC纯电续航220km，满油满电综合续航1220km[14] - 纯电版前后电机规格为130kW、202kW，配备105.4kWh电池组，续航里程为650km，支持高压快充[14] 影石Insta360动态 - 影石Insta360于2025年成功上市，同时将秘密研发5年之久的无人机产品推向市场[17] - 创始人刘靖康将无人机项目描述为对内的“能力升维”挑战，要求公司在研发、供应链、营销服务等各方面迈上新台阶[18] 其他行业动态 - 阿里相关人士辟谣网络流传的“阿里千问全员会”图片及“干死豆包”标语，称其为假消息[6] - 上海电信就罗永浩吐槽网速问题发布公告，称WiFi速率不达标原因多样，并提供免费网络检测和维修服务[9] - 《英雄联盟》T1战队选手Faker回应马斯克关于AI挑战的提议，认为其队伍可能在明年的比赛中击败Grok AI，但承认AI最终将能获胜[9][10] - 科幻电影《阿凡达3：火与烬》上映，豆瓣开分7.6分，为系列最低[11] - 游戏制作人小岛秀夫预测AI将在5-10年内彻底改变游戏开发方式，并透露其构想包括一款在失重状态下游玩的游戏以及一款给AI玩的游戏[13]

核心业绩表现 - 第三季度新增订单金额为54亿欧元，高于市场预期的48.9亿欧元，其中36亿欧元为EUV光刻机订单 [1][3] - 第三季度实现营收75亿欧元，同比下滑2.3%，市场预期为77.1亿欧元 [3] - 第三季度净利润达21亿欧元，同比下滑6.4%，但高于市场预期的20.8亿欧元 [1][3] - 第三季度毛利率为51.6%，同比下滑2.1个百分点 [3] 产品销量与财务数据 - 第三季度全新光刻机销量66台，同比减少1台；二手光刻机销量6台，同比减少3台 [3] - 第二季度总净销售额为76.92亿欧元，第三季度为75.16亿欧元 [4] - 第二季度毛利率为53.7%，第三季度为51.6% [4] - 第二季度每股基本收益为5.90欧元，第三季度为5.49欧元 [4] 业绩展望 - 预计2025年第四季度净销售额为92-98亿欧元，毛利率介于51-53% [4] - 预计2025年全年净销售额约为325亿欧元，同比增长约15%，毛利率约为52% [4] - 预计2026年净销售额将不低于2025年水平 [5] - 预计到2030年，总营收有望达到440-600亿欧元，毛利率将达到56-60% [5] 技术与业务进展 - 随着EUV光刻技术应用持续扩大，包括高数值孔径EUV的进展，光刻在晶圆厂总体投资中的比重持续提升 [7] - 已发运首款服务于先进封装的产品TWINSCAN XT:260 i-line光刻机，生产效率相较现有解决方案提升高达4倍 [7] - 通过与Mistral AI合作，将人工智能全面融入全景光刻解决方案，以提升系统性能、生产效率和客户工艺良率 [7] 股东回报 - 将于2025年11月6日支付每股普通股1.60欧元的中期股息 [9] - 在2025年第三季度回购了约1.48亿欧元的股票 [10] - 截至2025年9月28日，已根据2022至2025年股票回购计划回购了900万股股票，总金额为59亿欧元 [10] - 预计不会在2022至2025年期间完成120亿欧元的股票回购计划，并计划在2026年1月宣布新的股票回购计划 [10] 区域市场预期 - 预计2026年中国市场的客户需求和销售额将较2024年和2025年大幅下降 [7] - 公司目前受到荷兰本土出口限制和美国关税政策的双重影响 [7]

项目概述 - 俄罗斯科学院微结构物理研究所公布一项关于本土11.2纳米波长极紫外光刻工具的长期路线图 [1] - 该计划由尼古拉·奇哈洛提出，从2026年启动并延续至2037年，旨在通过差异化设计规避ASML复杂且成本高昂的技术体系 [2] - 路线图展示了俄罗斯在EUV光刻技术领域寻求自主创新的决心 [2] 技术路线图阶段 - 第一阶段（2026-2028年）：推出支持40纳米工艺的光刻机，套刻精度10纳米，曝光场3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆 [5] - 第二阶段（2029-2032年）：推出支持28纳米的扫描式光刻机，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆 [6] - 第三阶段（2033-2036年）：面向亚10纳米制程，套刻精度达2纳米，曝光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆 [6] 核心技术路径 - 采用11.2纳米波长，与全球主流采用的13.5纳米波长不同 [6] - 技术方案采用混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍制成的反射镜，是一次彻底的技术重构 [6] - 使用氙气光源替代ASML的锡液滴，可避免损伤光掩模的碎屑产生，大幅降低维护需求 [6] - 通过简化设计规避了先进制程所需的高压浸没液和多重图形化步骤 [6] 技术优势与挑战 - 氙气光源能将光学元件的污染减少几个数量级，从而大幅降低维护需求和运营成本 [8] - 采用钌和铍制成的反射镜优化可令分辨率提升20% [8] - 更短的波长可能开启使用含硅光刻胶的可能性，降低制造成本和运营成本 [8] - 所有光学元件都需要针对新的波长进行特别设计与优化，需要自行开发配套生态系统 [7] - 第三阶段光刻机的生产效率为每小时超100片晶圆，仅为ASML EUV光刻机的一半 [8] 市场定位与战略意义 - 俄罗斯的光刻机并非面向超大规模晶圆厂的极限产能，而是旨在为小型代工厂提供高性价比解决方案 [8] - 通过技术绕开传统EUV限制，试图实现芯片自主生产 [9] - 技术平台可能吸引被ASML生态排除在外的国际客户，以显著更低的资本与运营成本实现先进芯片的本土制造与出口供应 [9] - 俄罗斯选择的技术路径体现了差异化竞争策略，由于缺乏相关产业链和技术底子，选择另辟蹊径实现芯片生产的自主可控 [9]

业务调整核心举措 - 两年内退出氮化镓（GaN）代工业务并关闭新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂[1][3] - 整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂[1][3] - 将6英寸工厂改造为CoPoS面板级封装工厂以拓展先进封装业务[4] 技术转型与产能优化 - 8英寸Fab 3晶圆厂转型为内部EUV保护膜研发中心以减少对ASML供应链依赖[5] - EUV光刻机成本高昂（ASML设备约1.5亿美元，High NA系统超3.5亿美元）促使公司减少High NA订单并专注良率提升[5] - 晶圆厂整合旨在弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[3] 市场竞争与战略重心 - 退出GaN业务因中国大陆企业价格竞争白热化及全球IDM厂商扩大内部产能导致回报有限[3] - 先进封装技术（CoPoS/CoWoS）可满足高性能芯片对集成度和电气性能的需求[4][5] - 自有保护膜技术有望优化流程、提高良率并降低7nm以下工艺成本[5] 行业影响与未来机遇 - 业务调整可能引发行业连锁反应并推动半导体产业链向更高水平发展[6] - 技术转型为设备和材料供应商带来新机遇[5] - 公司资源集中策略有望巩固其在先进制程（2nm以下）领域的领先地位[5]

台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂：ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]

文章核心观点 - 台积电重新利用旧8英寸晶圆厂生产极紫外光防护薄膜（EUV pellicles）以实现内部化生产 旨在降低成本、提升供应稳定性并支持先进制程发展 [1][2] - 三星通过投资FST等供应商布局EUV防护薄膜供应链 以解决EUV掩模污染问题并支持2纳米等先进制程量产计划 [3][4][5][6] 台积电EUV防护薄膜内部化生产 - 将新竹科学园区已停产的8英寸晶圆厂3号厂转为EUV防护薄膜生产基地 通过内部化生产降低单位成本并提升供应可预测性 [1][2] - EUV防护薄膜需承受400W光源和局部1000°C高温 对晶圆良率影响显著 传统DUV防护薄膜单价约600美元 而EUV防护薄膜单价接近30000美元 价差达50倍 [1] - 采用碳纳米管膜材料以平衡耐用性与光学透明度 计划在N2和A16工艺技术中验证解决方案 以提升先进节点产量 [2] 三星EUV防护薄膜供应链布局 - 通过认购股份获得韩国FST公司6.9%股权 成为其第三大股东 FST业务中半导体防护薄膜和冷却器各占销售额约50% [3][4] - FST开发以碳化硅为基础的EUV防护薄膜 厚度30纳米且透光率达90% 目前原型机在透光率、均匀性、热阻等指标符合三星要求 仅存在颗粒问题待解决 [4][5] - 三星与FST协商EUV防护薄膜单价低于5000万韩元 而DUV防护薄膜单价约100万韩元 价差达50倍 计划在2025年初2纳米代工量产前完成供应 [4][5] - FST采用碳纳米管膜结合自主研发涂层技术抵御氢等离子体 设备由芬兰Canatu公司提供 未来将扩展至High NA EUV设备应用 [6] - 三星近年累计投资超1870亿韩元布局半导体供应链 包括S&S Tech（659亿韩元）、YIK（473亿韩元）、KCTech（207亿韩元）等多家供应商 [6] 行业技术差异与成本影响 - EUV光刻系统中掩模价格比DUV工艺昂贵数十倍 无防护膜时污染需废弃或清洁掩模 直接推高生产成本 [4][5][6] - EUV防护薄膜需满足极端条件：耐受1000°C高温、强辐射及热应力 同时保持高透光率并减少波前畸变 [1][4]

EUV光刻技术全球竞争格局 - ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商 在先进芯片制造领域占据主导地位[1] - 美国通过Cymer公司提供EUV关键光源技术 并在CHIPS for America计划下投资100亿美元建立High NA EUV研发中心[2][3] - 纽约州政府投资10亿美元扩建奥尔巴尼纳米技术中心 购买ASML的EXE:5200设备并建造5万平方英尺洁净室[5] 美国EUV加速器项目 - 项目将提供标准NA EUV工具 预计2026年实现High NA EUV系统[6] - 建立行业-学术-政府合作平台 推动技术创新和人才培养[6] - 目标是通过开放研发环境缩短原型开发周期 降低50%以上成本[7] EUV替代技术探索 - 美国xLight公司开发自由电子激光器(FEL)技术 声称可提升光源功率至2kW 比现有LPP技术节能70%[8][9] - Inversion Semiconductor研发桌面级粒子加速器 可将设备体积缩小1000倍 晶体管密度提升100%[11][12] - 挪威Lace Lithography开发原子光刻技术 声称分辨率比EUV提升15年水平 获欧盟336万欧元资助[15] 日欧技术路线 - 日本KEK研发自由电子激光系统 电光转换效率比传统EUV高10-100倍[16][18] - 欧洲FabouLACE项目开发亚稳态原子光刻技术 目标实现2nm工艺 预算365万欧元[15] - 各技术路线均聚焦提升光刻分辨率 降低能耗 预计2031年前实现商业化[15][16]

EUV光刻技术现状与竞争格局 - ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商，主导7纳米以上晶体管量产技术 [1] - 美国通过Cymer公司（被ASML收购）掌握EUV光源关键技术，Intel等企业加大EUV研发投入 [2] 美国EUV加速器项目 - 纽约州联合IBM、美光等企业投资100亿美元建立High NA EUV研发中心，含ASML EXE:5200扫描仪和5万平方英尺洁净室 [4][6] - 项目目标包括缩短研发周期、降低原型成本、培养半导体人才，预计2026年提供High NA EUV技术 [7] EUV替代技术探索 - 美国xLight公司开发自由电子激光器（FEL），声称可兼容现有设备并降低1.5MW高能耗问题，目标2028年商业化 [9][10] - Inversion Semiconductor采用Laser Wakefield Acceleration技术，将加速器体积缩小1000倍至桌面级，晶体管密度提升100% [12][13][14] 日欧技术进展 - 挪威Lace Lithography开发原子光刻技术（BEUV），分辨率超越EUV极限，获欧盟336万欧元资助，目标2031年商用化 [16] - 日本KEK研发自由电子激光器，电光转换效率比传统EUV-LPP高10-100倍 [17][19] 技术发展趋势 - ASML持续推进High NA向Hyper NA演进，同时封装技术可能成为性能提升的替代路径 [21][22] - 全球多路径探索显示EUV技术仍存物理极限挑战，但芯片性能持续提升趋势明确 [21][22]

台积电业绩分析 核心财务表现 - 2025年第一季度营收达255 3亿美元 同比增长41 6% 营业利润123 8亿美元 同比增长56 1% 均创历史同期新高 [4] - 营业利润率自2024年第三季度恢复至接近50%水平 较此前40%出头显著提升 [4] - 全球晶圆代工市占率持续扩张 预计2025年达68% 远超第二名三星电子(8%)和中芯国际(小幅提升) [6][7] 营收与出货量背离 - 2025年Q1晶圆出货量326万片 较2022年Q3峰值397万片下降18% 工厂平均稼动率仅82% [12][14] - 8英寸厂稼动率从2022年101%降至2025年Q1的69% 12英寸厂从97%降至86% 均未恢复满载 [16][17] - 行业整体复苏缓慢 预计全面满载需等到2026年后 [21] 技术节点表现 制程结构变化 - 7nm节点销售额从2022年Q2峰值55亿美元腰斩至2025年Q1的27 6亿美元 且无回升迹象 [27] - 16nm/28nm/40nm等成熟节点销售额自2022年起持续低迷 [27] - 5nm与3nm成为增长主力 推动2024年Q4营收突破250亿美元 [25] 产能调整挑战 - 公司考虑将月产能15万片的7nm产线转向5nm/3nm 但需投入极高改造成本 [30] - 熊本第一工厂16nm设备引入已中止 第二工厂7nm建设面临市场需求不足风险 [31] 市场结构特征 区域集中度风险 - 美国市场占比从历史60-70%飙升至2025年Q1的77% 创纪录新高 [34] - 亚洲/中国/日本/欧洲等其他区域占比均低于10% 呈现极度不均衡 [34] 应用领域依赖 - HPC(含AI芯片)销售占比从2019-2021年约30%升至2025年Q1的59% 智能手机占比从50%降至28% [39][40] - 汽车/IoT/消费电子平台占比均低于5% 原定"第三支柱"汽车芯片表现疲软 [41] 潜在结构性风险 - 业绩高度依赖NVIDIA等美国AI芯片需求 若GPU价格暴跌可能引发系统性风险 [43] - 先进制程(5nm/3nm)+美国市场+HPC平台三大支柱占比超80% 增长结构单一 [43]