2026.01.10 本文字数：1450，阅读时长大约2分钟 截至1月9日收盘，中微公司股价报336.68元/股，总市值为2108亿元。尹志尧拟减持股票市值约为9764 万元。 公开资料显示，尹志尧，1944年生，中国国籍，中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。 1984年至1986年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986年至1991年，就职于泛林半导 体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀 设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官；2004年 至今，担任中微公司董事长、总经理、核心技术人员。2024年从公司获得的税前报酬总额为1485.14万 元。 中微公司2022年年报中仍明确标注尹志尧为美国公民；其2023年年报未披露国籍信息；直至2024年其年 报正式确认已恢复中国国籍。 来源 | 每日经济新闻、21世纪经济报道、上海证券报 1月8日，半导体龙头中微公司（688012）公告称，巽鑫（上海）投资有限公司持有公司6847.39万股股 份，占总股本的10.94%，计划自公告披露之日起 ...

上海证券交易所网站消息，1月8日，半导体龙头中微公司发布公告称，公司创始人、董事长兼总经理尹 志尧计划自公告披露之日起15个交易日后的3个月内，通过集中竞价方式减持公司股份不超过29万股， 占公司总股本比例约为0.046%。 公告显示，被誉为"中国刻蚀机之父"的尹志尧减持股份的原因是："因本人已从外籍恢复为中国籍，为 依法办理相关税务的需要。" 中微公司公告上交所网站 尹志尧（资料图）视频截图 尹志尧的职业生涯始于1984年，先后在硅谷多家顶尖半导体企业积累了丰富经验。1984年至1986年，他 在英特尔中心技术开发部担任工艺工程师；1986年至1991年，在泛林半导体历任资深工程师及研发部资 深经理；1991年至2004年，供职于应用材料公司，期间先后担任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术 官、总公司副总裁兼事业群总经理，以及亚洲总部首席技术官。2004年，尹志尧回国创立中微公司，并 一直担任董事长、总经理及核心技术负责人至今。 每日经济新闻此前报道，中微公司在2022年年报中仍明确标注尹志尧为美国公民；2023年年报未披露其 国籍信息；直至2024年年报，才正式确认其已恢复中国国籍。 另据上海证券报报道，近 ...

天健会计师事务所近日就拓荆科技向特定对象发行股票申请文件的审核问询函中有关财务事项进行了专 项说明。回复函显示，公司前次募投项目变更后非资本性支出占比显著降低，本次46亿元募资方案的非 资本性支出安排及研发投入资本化等事项均符合监管要求。 前募项目非资本性支出占比大幅优化至29.78% 本次募投项目预计资本化率51.33%，与中微公司类似募投项目（45.68%）接近。会计师核查认为，公 司研发投入资本化认定依据充分，符合《企业会计准则》要求，与北方华创（Alpha阶段结束）、中微 公司（Alpha机试制成功）等同行的资本化政策基本一致。 根据公告，拓荆科技前次募投项目在变更前的非资本性支出占比合计为77.22%。通过对"先进半导体设 备的技术研发与改进项目"调减募集资金2亿元、"半导体先进工艺装备研发与产业化项目"调减5000万 元，并新增"高端半导体设备产业化基地建设项目"投入2.68亿元超募资金后，首次变更后非资本性支出 占比降至59.27%。 特别值得注意的是，公司拟使用本次募集资金15亿元对"高端半导体设备产业化基地建设项目"追加投资 后，该项目投资总额将由11亿元增至17.68亿元，前次募投项目整体 ...

行业需求与趋势 - 存储市场需求正在增长 [1] - HBM技术正在加速渗透 [1] - 相关工艺设备需求持续提升 [1] 公司产品与解决方案 - 在存储芯片制造领域可提供刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理、离子注入、涂胶显影等核心工艺设备 [1] - 产品覆盖DRAM、NAND等主流存储品类 [1] - 在HBM领域可提供TSV刻蚀、去胶、湿法清洗、ALD、PVD、电镀、退火等多款核心设备及工艺解决方案 [1] 客户与市场进展 - 相关产品已批量交付主流存储及HBM客户 [1] - 多款产品已成为客户生产线的量产基线机台 [1]

公司业务定位与技术布局 - 公司为核心工艺设备的解决方案提供商 [1] - 公司积极布局了TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿以及叠层电池等多种高效技术路线 [1] - 公司已有布局的钙钛矿电池相关设备包括PVD(物理气相沉积)、ALD(原子层沉积)、涂布等核心工艺设备 [1] 公司产品能力与客户合作 - 公司设备可满足钙钛矿电池多种不同技术路线的核心工艺需求，如钙钛矿层、电子传输层、空穴传输层、电极等结构的制备 [1] - 公司依托技术沉淀与客户资源优势，正在积极协助行业头部客户推动钙钛矿电池前沿技术的研发和验证 [1] 行业技术发展阶段与公司战略 - 钙钛矿技术当前处于快速发展阶段，尺寸、细分工艺路线及配备设备等均在快速发展 [1] - 行业内企业均在技术迭代、应用突破上持续发力 [1] - 公司将持续完善、丰富技术和产品，为下游客户提供更具性价比的核心工艺解决方案 [1]

公司业务与产品 - 公司是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商，核心产品覆盖PECVD、ALD、Flowable CVD、HDPCVD等多类工艺，已在先进逻辑与存储产线实现规模化交付 [1] - 公司前瞻布局混合键合及配套量检测设备，切入异构集成与三维集成核心环节，业务由单一沉积设备向“沉积+键合”双引擎平台化演进 [1] 行业市场与需求 - 在晶圆厂扩产与国产替代推动下，中国市场预计仍将保持全球最大半导体设备市场 [1] - HBM、Chiplet与三维堆叠加速落地，芯片间互连密度和界面质量要求显著提升，沉积与键合工艺在系统性能中的重要性持续上升，使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑 [1] 公司估值与评级 - 从PEG角度看，公司2025E-2027E PEG为1.3/0.8/0.9 [1] - 综合考虑公司在薄膜沉积和混合键合工艺环节的技术壁垒及中长期盈利弹性，认为公司具备较高的中长期配置性价比，首次覆盖，给予“买入”评级 [1]

行业趋势与市场前景 - 半导体设备领域中的薄膜沉积设备在前道工艺中价值量占比高，约为22%，是晶圆扩产核心设备之一 [1] - 受新产线建设与既有产能扩充拉动，薄膜沉积设备需求有望持续增长，上行趋势明确 [1] - 全球300mm晶圆厂投资预计在2025年增长20%，达到1165亿美元 [1] 中国厂商动态与技术进展 - 中国厂商正加速布局，例如拓荆科技拟募资以提升PECVD等设备的产能 [1] - 微导纳米的ALD与高端CVD产品已切入国产存储头部客户量产线，在逻辑领域设备性能达到国际先进水平 [1] 相关金融产品与指数 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），该指数单日涨跌幅可达20% [1] - 科创芯片指数从科创板市场中选取涉及半导体材料、设备、设计与制造等全产业链环节的上市公司证券作为指数样本，聚焦芯片行业核心领域 [1] - 该指数精选50家代表性企业，集中反映科创板芯片产业链的整体表现 [1]

市场行情 - 2025年12月4日A股收盘，沪指跌0.06%报3875.79点，深成指涨0.40%报13006.72点，创业板指涨1.01%报3067.48点，半导体相关ETF表现强势，科创半导体ETF涨3.09%，半导体材料ETF涨2.63% [1] - 隔夜美股收盘，道指跌0.07%，纳指涨0.22%，标普500涨0.11%，费城半导体指数跌0.89%，成分股中恩智浦跌0.62%，美光科技跌3.21%，ARM涨0.93%，应用材料涨0.30%，微芯科技涨1.75% [1] 半导体材料与技术进展 - 九峰山实验室发布基于第三代半导体材料氮化镓的电源模块科技成果，该模块可使超大型AI算力中心机柜一年省近3亿度电，约合2.4亿元电费 [2] - 该氮化镓电源模块已完成概念验证即将中试，预计3-5年内量产，可满足千亿级市场需求，相比传统硅基模块，其用电损耗降低30%，体积缩小30%，成本降至硅的一半 [2] - 拓荆科技在2025年第三季度业绩说明会上表示，其PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满 [3] 人工智能与算力基础设施 - Palantir、英伟达与CenterPoint Energy三方共同开发名为“连锁反应”的软件平台，旨在加速新一代AI数据中心的建设，帮助解决许可审批、供应链与施工等难题 [2] - 华泰证券指出，GPU应用已从图形渲染扩展至AI训练与推理、科学计算等高算力场景，2024年全球GPU市场规模达774亿美元，中国市场规模约1073亿元人民币 [3] - 预计2025-2030年全球GPU市场规模年复合增长率达35.19%，在政策与算力需求推动下，中国GPU产业将进入快速发展期 [3] 资本市场动态 - 2025年12月4日，有2只科创板新股申购，分别为昂瑞微和沐曦股份，另有1只科创板新股摩尔线程上市 [2]

市场行情与指数表现 - 2025年12月4日A股收盘，沪指跌0.06%报3875.79点，深成指涨0.40%报13006.72点，创业板指涨1.01%报3067.48点 [1] - 半导体主题ETF表现强势，科创半导体ETF涨3.09%，半导体材料ETF涨2.63% [1] - 隔夜美股涨跌互现，道指跌0.07%，纳指涨0.22%，标普500涨0.11%，费城半导体指数跌0.89% [1] 半导体行业动态与技术创新 - 九峰山实验室发布氮化镓电源模块科技成果，该模块可使超大型AI算力中心一年省近3亿度电，约合2.4亿元电费 [2] - 该氮化镓电源模块已完成概念验证，预计3-5年内量产，可满足千亿级市场需求 [2] - 采用硅基氮化镓芯片替代传统硅芯片，可使电源模块用电损耗降低30%，体积缩小30%，成本降至硅的一半 [2] - Palantir、英伟达与CenterPoint Energy合作开发名为“连锁反应”的软件平台，旨在加速解决AI数据中心建设的许可审批、供应链与施工难题 [2] 公司经营与市场前景 - 拓荆科技在2025年第三季度业绩说明会上表示，其PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满 [3] - 公司认为若下游客户进一步扩产，预计将持续拉动对相关产品的需求量 [3] - 据华泰证券引用数据，2024年全球GPU市场规模达774亿美元，中国市场规模约1073亿元 [3] - 预计2025-2030年全球GPU市场规模年复合增长率达35.19%，中国GPU产业在政策与算力需求推动下将进入快速发展期 [3] 半导体产业链与投资工具 - 科创半导体ETF跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，其成分股中半导体设备占比61%，半导体材料占比23% [4] - 半导体材料ETF指数成分中，半导体设备占比61%，半导体材料占比21% [4] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、天花板较高的属性 [4] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮及光刻机技术进展 [4] 新股发行情况 - 2025年12月4日有2只科创板新股申购，分别为昂瑞微和沐曦股份 [2] - 同日有1只科创板新股上市，为摩尔线程 [2]

公司经营与产能 - 公司目前在手订单饱满，下游客户进一步扩产预计将持续拉动产品需求量[1] - 公司目前在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可支撑超过700台套/年产能，并正在建设沈阳二厂以进一步扩大未来产能支撑能力[1] - 基于新型设备平台和反应腔的多种先进制程验证机台已通过客户认证，进入规模化量产阶段[2] 产品进展与客户验证 - PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用[1] - 晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，新一代高速高精度产品已发往客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利[2] - 公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品[2] 行业趋势与技术驱动 - 半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，新结构、新材料不断涌现[3] - 技术发展趋势如GAA、背面供电、高K金属栅、HBM三维集成、3D NAND FLASH堆叠层数提高，将拉动下游客户对半导体设备技术和需求量的提升[3][4] - 存储价格上升反映出存储芯片市场有较大需求量，中长期可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能[4] 公司战略与产品需求 - 公司将持续通过高强度研发投入，深耕薄膜沉积和三维集成设备领域，拓展先进制程所需的新产品、新工艺、高产能设备[3] - 随着存储芯片制程推进及结构复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜性能要求越来越高，将大幅拉动薄膜设备需求量[4] - 公司薄膜沉积和键合系列产品已在先进存储芯片制造领域获广泛应用，下游客户持续扩产预计将进一步扩大这些产品的需求量[4]