Galaxy Z7系列

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三星芯片,谋求反超
半导体行业观察· 2025-06-22 11:23
三星电子全球战略会议核心议题 - 公司设备解决方案(DS)部门在战略会议上重点讨论增强HBM和代工领域竞争力的措施,包括HBM3E供应战略和HBM4量产计划[2] - 会议按机构部门和地区分享议题并制定营销战略,全球各地区法人代表广泛参与[2] HBM业务进展与竞争态势 - 公司向AMD交付升级版HBM3E 12层产品,并接受NVIDIA质量测试,试图打入其供应链[2] - DRAM市场份额33年来首次被SK海力士超越,美光和长鑫存储快速逼近,HBM业务失误被认为是主因[2] - 第六代HBM(HBM4)计划年内量产,10纳米级第六代DRAM良率从不足30%提升至50-70%[4][5] 晶圆代工业务现状 - 代工部门每季度亏损数万亿韩元,市场份额降至7.7%(环比降0.4个百分点),与台积电(67.6%)差距扩大,但缩小与中芯国际(6%)的差距[3] - 订单争取成为保住市场份额的关键策略[3] DRAM技术突破与量产计划 - 通过重新设计芯片结构实现第六代DRAM良率大幅提升,原计划去年量产但为技术改进延迟一年[4] - 平泽4号工厂将量产移动/服务器DRAM,平泽3号工厂专攻HBM4用DRAM,核心结构相似性将提升HBM竞争力[5] - 公司采取快速投资策略,利用现金储备和工艺优势提前部署生产线[5] 与SK海力士的技术路线对比 - SK海力士第六代DRAM测试良率达80-90%,但推迟量产至明年年初,优先保障HBM3E现有订单[6] - 三星采取激进投资策略以重夺技术主导权,而SK海力士选择保守整合现有市场优势[6] 系统LSI与下一代产品 - 系统LSI部门讨论下月发布的Galaxy Z7折叠手机将搭载Exynos 2500处理器[3]