文章核心观点 - 三星电子和SK海力士在向英伟达供应下一代HBM4内存的竞争中处于领先地位，均已进入付费样品供应和最终验证阶段，预计供货量和价格将在明年第一季度确定 [2] - SK海力士在HBM4供应上进展迅速，已与英伟达完成明年供货量和价格的框架谈判，并计划在平台投产后立即开始供货 [3] - 三星电子正通过战略举措（如采用4纳米代工工艺）提升HBM4竞争力，力图从HBM4开始重振市场地位，并正在扩建产能 [4] - 美光在HBM4的竞争中因技术难题和性能局限而落后，预计将位列第三供应商 [4] HBM4供应竞争格局 - 三星电子和SK海力士实际上正在向英伟达供应第六代高带宽内存HBM4样品，并已进入最终协调阶段 [2] - 两家公司均已进入付费提供最终样品的阶段，这被视为正式合同签订前的信号，且它们在付费样品供应和最终验证方面处于同一水平 [2] - 尽管最终质量验证环节尚未完成，但业内人士预计具体的供货量和价格将在明年第一季度确定 [2] - 美光似乎仍将位列第三供应商，落后于SK海力士和三星电子，主要是由于遭遇技术难题导致谈判延期 [4] SK海力士的HBM4进展 - SK海力士已建立HBM4芯片量产体系，并将在年内向英伟达批量供应HBM4显存芯片 [3] - 该公司已完成与英伟达关于明年HBM4总供应量及大致合同单价的框架内谈判，并同意尽可能满足英伟达的最大产能需求 [3] - 英伟达已进入最终验证阶段，在Rubin平台上安装SK海力士的HBM4芯片以确认运行正常，平台全面投产后将立即开始供货 [3] - SK海力士在第三季度财报中预测，明年第四季度将开始出货，并全面扩大销售规模 [3] 三星电子的HBM4战略与进展 - 三星电子与英伟达就明年HBM4芯片供应的谈判也接近尾声，很可能成为继SK海力士之后的第二大供应商 [4] - 该公司已向英伟达提供了付费的HBM4芯片样品，英伟达正在Rubin芯片上进行质量验证 [4] - 三星电子正采取战略举措，通过建立自有4纳米工艺的晶圆代工厂来生产领先竞争对手一代的DRAM，以重振HBM4市场竞争力 [4] - 该公司正在平泽园区扩建HBM4产能，以满足市场需求 [4] 美光面临的挑战 - 美光在HBM4供应竞争中落后，主要是由于遭遇技术难题，包括对HBM4进行部分重新设计，导致谈判延期 [4] - 尽管美光提供的最终样品符合英伟达要求的HBM4产品标准，但其性能仍逊于竞争对手 [4] - 美光采用自主研发的DRAM工艺，而非代工厂工艺来制造HBM的核心逻辑芯片，分析显示其在性能提升方面存在局限性 [4]