公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 超高带宽 DRAM 模块技术 HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器) 的移动设备版本——移 动 HBM (Mobile HBM)，近期在科技媒体中引起关注。多家来自韩国和美国的媒体在 2025 年 5 月 之后相继报道称，2027 年款的旗舰智能手机将采用这种技术（尚未得到确认）。 那么，移动 HBM 模块与传统的 HBM 模块有什么不同？本文将先对原本的 HBM 模块进行简要说 明，再揭示所谓"移动 HBM"的真相。 HBM 的特点：DRAM 的 3D TSV 堆叠与超宽 I/O 总线 HBM 模块的主要用途是作为 AI/机器学习用 GPU、TPU 等超高性能处理器的外部存储器。处理器与 多个 HBM 模块（通常为 4/6/8/12 个）被紧密集成在同一个硅中介层（Interposer）上，并封装在一 个 BGA 封装内。这样，处理器与 HBM 模块之间的数据传输速度极快，与其他 DRAM 模块相比， 可显著提升机器学习的训练和推理性能。 HBM 采用 3D 堆叠结构：底层为逻辑芯片 Base Die，其上堆叠多个 DRAM Co ...

下一代DRAM技术发展 - 三星电子正在大力开发可接替HBM的下一代DRAM解决方案，包括PIM（存内计算）、VCT（垂直晶体管通道）、CXL（Compute Express Link）和LLW（低延迟、高带宽）DRAM等技术 [1] - PIM技术正处于半导体标准化组织中的规范讨论阶段，未来有望明确商用化路径 [1] - AI产业对内存性能的需求已经超越了当前的开发速度，DRAM厂商正积极开发新技术以提升内存集成度，晶体管和电容器持续向更精细方向演进 [1] HBM替代方案 - HBM虽将在服务器中持续使用，但由于高成本和高功耗特性，LPDDR-PIM和CXL等将成为重要替代解决方案 [2] - LPDDR目前已商用至LPDDR5X代，下一代LPDDR6的标准化工作已接近完成 [2] - PIM与LPDDR结合有望实现高能效DRAM产品 [2] CXL技术特点 - CXL是一种面向高性能服务器的下一代互连接口，用于高效连接CPU与GPU加速器、DRAM和存储设备 [2] - CXL以PCIe为基础，实现各类芯片接口的统一，从而拓展内存的带宽和容量 [2] 标准化进展 - LPDDR6规范已经大致定型，开发工作正在积极推进 [2] - PIM和LLW DRAM等产品正在半导体标准化组织JEDEC中进行规范讨论 [2] - LLW DRAM通过增加I/O端子来提高数据传输通道（带宽） [2] 定制化HBM市场 - 从HBM4开始，底层芯片将通过代工厂制造，可根据客户需求定制产品 [3][4] - 这是三星内存事业部为客户量身打造内存产品的重要起点 [4]