下一代DRAM技术发展 - 三星电子正在大力开发可接替HBM的下一代DRAM解决方案，包括PIM（存内计算）、VCT（垂直晶体管通道）、CXL（Compute Express Link）和LLW（低延迟、高带宽）DRAM等技术 [1] - PIM技术正处于半导体标准化组织中的规范讨论阶段，未来有望明确商用化路径 [1] - AI产业对内存性能的需求已经超越了当前的开发速度，DRAM厂商正积极开发新技术以提升内存集成度，晶体管和电容器持续向更精细方向演进 [1] HBM替代方案 - HBM虽将在服务器中持续使用，但由于高成本和高功耗特性，LPDDR-PIM和CXL等将成为重要替代解决方案 [2] - LPDDR目前已商用至LPDDR5X代，下一代LPDDR6的标准化工作已接近完成 [2] - PIM与LPDDR结合有望实现高能效DRAM产品 [2] CXL技术特点 - CXL是一种面向高性能服务器的下一代互连接口，用于高效连接CPU与GPU加速器、DRAM和存储设备 [2] - CXL以PCIe为基础，实现各类芯片接口的统一，从而拓展内存的带宽和容量 [2] 标准化进展 - LPDDR6规范已经大致定型，开发工作正在积极推进 [2] - PIM和LLW DRAM等产品正在半导体标准化组织JEDEC中进行规范讨论 [2] - LLW DRAM通过增加I/O端子来提高数据传输通道（带宽） [2] 定制化HBM市场 - 从HBM4开始，底层芯片将通过代工厂制造，可根据客户需求定制产品 [3][4] - 这是三星内存事业部为客户量身打造内存产品的重要起点 [4]