三星电子NAND V10量产延迟 - 下一代V10 NAND量产投资推迟至明年上半年 原计划今年下半年启动 主要因高层堆叠需求不确定性和新技术成本负担[1] - V10采用430层堆叠技术 较当前商用V9（290层）提升48% 需建立-60至-70°C超低温蚀刻环境[1] - 低温蚀刻设备评估遇阻 需与Lam Research、TEL合作调整温度参数 供应链确认延至明年Q1[2] - 设备多元化导致兼容性问题 现有Lam设备利用率下降 新增TEL设备需重新评估投资成本效益[2] 三星HBM业务突破 - 获得AMD HBM3E 12层芯片订单 用于MI350 AI加速器 打破此前在英伟达竞争中的失利局面[3] - 12层HBM3E性能提升50%以上 支持1,280GB/s带宽 采用TC NCF技术将芯片间隙压缩至7微米[4] - AMD MI400系列或采用三星HBM4 单个GPU配备432GB 服务器机架AI处理能力达当前10倍[5] - 三星计划用1c工艺生产HBM4 较竞争对手1b工艺更先进 目标年底前实现量产以重夺市场地位[5] 技术细节 - V10 NAND蚀刻工艺需在-60至-70°C环境完成 较传统工艺温度降低67% 实现无保护膜精确蚀刻[1] - HBM3E通过TSV技术堆叠24Gb DRAM芯片 单封装36GB容量 I/O速度达10Gbps[4] - HBM4标准已由JEDEC敲定 行业竞争聚焦于工艺制程 三星与SK海力士均加速量产进程[5]

三星电子NAND V10量产延迟 - 三星电子下一代NAND V10（第10代）量产投资预计推迟至明年上半年，比最初预期晚[2] - V10 NAND单元堆叠层数为430层，比当前V9（290层）高出100层[2] - 延迟原因包括高层NAND需求不确定性、新技术引入及成本负担[2] - 核心蚀刻设备供应链评估预计今年下半年进行，量产投资最早明年第一季度确认[3] - 低温蚀刻工艺需在-60至-70°C超低温环境进行，但评估显示难以立即应用于量产[2][3] 三星电子HBM业务突破 - 三星电子与AMD达成HBM3E 12层芯片供应协议，用于AMD MI350 AI加速器[6] - 该芯片采用36GB 12层DRAM，垂直堆叠24Gb芯片，性能比八层版本提升50%以上[7] - 支持1,280GB/s带宽和10Gbps I/O速度，芯片间间隙缩小至7微米[7] - 此次合作缓解了市场对三星HBM技术可靠性的担忧[6] - AMD MI400系列可能采用三星HBM4，每个GPU配备432GB HBM4[7] HBM4市场竞争 - HBM4被视为三星、SK海力士和美光争夺AI内存市场主导地位的关键[8] - 三星计划采用第六代（1c）工艺生产HBM4，相比竞争对手第五代（1b）工艺更具优势[8] - AMD Helios服务器机架将配备72个MI400 GPU，拥有31TB HBM4，AI处理能力是当前10倍[7] - JEDEC近期敲定HBM4标准，三星和SK海力士计划今年年底前实现量产[8]