ASML20251016 摘要 ASML 第三季度新签订单 54 亿欧元，略高于市场预期，毛利率处于公司 指引上限，净利润优于预期。公司预计 2026 年收入不低于 2025 年， 但中国市场收入或显著下滑，此前中国大陆收入占比已升至 47%。 存储器客户（尤其是 DRAM）需求增加及 EUV 设备订单提升是新签订 单增长的主要驱动力。海力士可能向中芯国际增加近 20 台 EUV 设备订 单，表明存储器领域对高端光刻设备的需求正在增长。 ASML 推出用于先进封装的新型 i 线光刻机，产能提升约 4 倍。海力士 已开始安装首台 5,200 型号 EUV 光刻机，用于 DRAM 制造，包括 HBM 等高端应用，预示着先进封装和 DRAM 技术对光刻设备提出更高 要求。 尽管 3D DRAM 技术可能推迟 EUV 引入，但业内普遍认为其结构变化不 会减少对 EUV 光刻机的需求，反而可能会有所提升，先进逻辑芯片对 EUV 的需求有所提升，台积电今年（2025 年）对 EUV 设备的采购量比 预期增加了一两台。 AI 基础设施建设正在显著增长，这将提升对 DRAM 的需求，这种需求不 会立即反映在 2025 年的订 ...

行业与公司 - 行业为高端光学设备，聚焦光刻机技术[1] - 涉及公司包括ASML（i线/DUV/EUV设备制造商）、京上微装（LDI光刻机厂商）及国内光学加工设备厂商（成都、长沙等地）[16][19][22] --- 核心技术参数与原理 **光刻机基础原理** - 投影式光刻依赖波长、数值孔径（NA）、工艺因子三要素[2] - 波长演进：i线（365nm）→DUV（248nm/193nm）→EUV（13.5nm），EUV需反射镜系统[2][7] **分辨率提升路径** - NA与分辨率成正比，浸没式技术（水介质）提升NA，28nm以下节点必备[5] - 工艺因子优化包括离轴照明、掩模板设计等，需Fab厂协同[6] **关键子系统要求** - **照明系统**：均匀性需<1%，离轴照明滤基频光保留高频信息[9] - **物镜**：波像差控制在几纳米（λ/100），需解决热效应[10][14] - **工件台**：纳米级定位精度，支撑大面积曝光[11] - **光源系统**：功率稳定性关键，DUV用氟化氪/氩，EUV用等离子体激发[3][12] --- 技术难点与供应链 **光学材料挑战** - EUV无透射材料，依赖反射镜系统，研发难度高[7][8] - DUV/EUV镜片加工精度：DUV需几纳米面型精度，EUV需原子级评估[17][18] **国内供应链进展** - 高精度镜片加工仍依赖国家队，但国产设备（磁流变/离子束）已进入量产体系[19][25] - 国内光学加工能力接近海外水平，但高级镜片加工周期长（如离子束打磨DUV镜片需1个月）[19][28] --- 设备价值与应用场景 **光刻机类型与制程** - i线：微米级；DUV通过工艺优化可达7/5nm；EUV专攻10nm以下节点（已应用至3nm）[15] - 逻辑/存储芯片制造差异：按需求选择技术类型[15] **设备成本结构** - 售价：i线（千万级）→DUV（数千万至近亿美金）→EUV（数亿美金）[16] - 光学系统占比：DUV占整机成本50%，EUV更高[16] **LDI光刻机趋势** - 先进封装用LDI成本低（无需大口径物镜），但曝光面积小需多激光头并行[22] - 国内京上微装已发货500台，未来需求涵盖封装载板、光子芯片等[22] --- 其他关键信息 **设备维护与寿命** - i线易损件：反光碗（镀膜损坏）；DUV需每3-5年更换扩束镜等[21] **设计协作模式** - 国内系统设计能力初具，但分工合作仍存（如初抛外包、精抛自研）[23][24] **竞争对手** - 海外先进厂商未具体提及，需外部查询[29]