涉及的行业与公司 * 行业：半导体设备行业 光刻机行业 [2][5][13] * 公司：ASML（阿斯麦）[1][4][6] 核心财务表现与展望 * 2025年第三季度收入为75亿欧元，略低于市场预期的77亿欧元，但处于公司指引的74-79亿欧元区间内 [4] * 第三季度新签订单54亿欧元，高于市场预期的50亿欧元 [2][4][8] * 毛利率处于公司指引上限，净利润优于市场预期 [2][4] * 公司预计2026年收入不低于2025年，意味着至少持平或小幅增长 [2][6] * 公司计划在2025年第四季度结束后重申2026年的指引，并预计会给出成长性指引 [16] 区域市场分析 * 第三季度中国大陆收入占比显著提高至47%，主要由于去年第三季度订单增加以及紧急订单交付 [2][6][7] * 基于高基数，公司预计2026年中国区收入将同比下降10%以上 [6] * 中国半导体设备市场受国产替代需求驱动保持强劲，预计2026年国产设备订单将保持高速增长 [5][14] * 美国和日本的大规模晶圆厂建设将推动先进逻辑芯片对光刻机需求的增长 [11][17] 客户需求与产品结构 * 新签订单增长主要得益于存储器客户（尤其是DRAM）的需求增加，以及EUV设备订单环比提升 [2][8] * 按客户类型，逻辑客户占公司60%以上的收入，存储器客户约占30% [7] * 本季度Immersion DUV设备占比较高，这与中国大陆购买的大部分设备类型一致 [7] * 有传闻称海力士可能会向中芯国际增加接近20台EUV设备订单 [2][8] 技术进展与行业趋势 * ASML推出用于先进封装的新型i线光刻机，其产能较之前提升了约4倍 [2][9] * 海力士已经开始安装第一台5,200型号EUV光刻机，用于DRAM制造（包括HBM等高端应用） [2][9] * 先进逻辑芯片对EUV的需求有所提升，例如台积电2025年对EUV设备的采购量比预期增加了一两台 [2][11] * 尽管3D DRAM技术可能推迟EUV引入，但业内普遍认为其结构变化不会减少对EUV光刻机的需求，反而可能提升 [2][9][10] 宏观市场与周期动态 * AI基础设施建设的显著增长将提升对DRAM的需求，但这种需求将逐步传导至2026年及以后的表现 [2][3][12] * 目前DRAM市场处于上行周期，而NAND闪存市场尚未出现明显上修 [3][12][13] * 全球WFE（晶圆厂设备）市场在2025年9月后出现显著涨幅，预计2026年和2027年将是WFE公司强劲增长的一年 [5][13][17] * 中国2026年的强劲需求主要来自存储器扩产和先进逻辑制程扩展 [5][14] 其他重要内容 * ASML目前估值较高，但股价近期表现滞后于其他设备公司，随着正面因素显现仍有向上空间 [16] * 英特尔由于其代工业务前景不明，其资本支出存在不确定性，但英伟达对英特尔的资金投入可能缓解部分担忧 [11]

行业与公司 - 行业为高端光学设备，聚焦光刻机技术[1] - 涉及公司包括ASML（i线/DUV/EUV设备制造商）、京上微装（LDI光刻机厂商）及国内光学加工设备厂商（成都、长沙等地）[16][19][22] --- 核心技术参数与原理 **光刻机基础原理** - 投影式光刻依赖波长、数值孔径（NA）、工艺因子三要素[2] - 波长演进：i线（365nm）→DUV（248nm/193nm）→EUV（13.5nm），EUV需反射镜系统[2][7] **分辨率提升路径** - NA与分辨率成正比，浸没式技术（水介质）提升NA，28nm以下节点必备[5] - 工艺因子优化包括离轴照明、掩模板设计等，需Fab厂协同[6] **关键子系统要求** - **照明系统**：均匀性需<1%，离轴照明滤基频光保留高频信息[9] - **物镜**：波像差控制在几纳米（λ/100），需解决热效应[10][14] - **工件台**：纳米级定位精度，支撑大面积曝光[11] - **光源系统**：功率稳定性关键，DUV用氟化氪/氩，EUV用等离子体激发[3][12] --- 技术难点与供应链 **光学材料挑战** - EUV无透射材料，依赖反射镜系统，研发难度高[7][8] - DUV/EUV镜片加工精度：DUV需几纳米面型精度，EUV需原子级评估[17][18] **国内供应链进展** - 高精度镜片加工仍依赖国家队，但国产设备（磁流变/离子束）已进入量产体系[19][25] - 国内光学加工能力接近海外水平，但高级镜片加工周期长（如离子束打磨DUV镜片需1个月）[19][28] --- 设备价值与应用场景 **光刻机类型与制程** - i线：微米级；DUV通过工艺优化可达7/5nm；EUV专攻10nm以下节点（已应用至3nm）[15] - 逻辑/存储芯片制造差异：按需求选择技术类型[15] **设备成本结构** - 售价：i线（千万级）→DUV（数千万至近亿美金）→EUV（数亿美金）[16] - 光学系统占比：DUV占整机成本50%，EUV更高[16] **LDI光刻机趋势** - 先进封装用LDI成本低（无需大口径物镜），但曝光面积小需多激光头并行[22] - 国内京上微装已发货500台，未来需求涵盖封装载板、光子芯片等[22] --- 其他关键信息 **设备维护与寿命** - i线易损件：反光碗（镀膜损坏）；DUV需每3-5年更换扩束镜等[21] **设计协作模式** - 国内系统设计能力初具，但分工合作仍存（如初抛外包、精抛自研）[23][24] **竞争对手** - 海外先进厂商未具体提及，需外部查询[29]