股份發行人及根據《上市規則》第十九B章上市的香港預託證券發行人的證券變動月報表 截至月份: 2025年7月31日 狀態: 新提交 致：香港交易及結算所有限公司 公司名稱: 中國上城集團有限公司 呈交日期: 2025年8月5日 I. 法定/註冊股本變動 | 1. 股份分類 | 普通股 | 股份類別 | 不適用 | | 於香港聯交所上市 (註1) | | 是 | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 證券代號 (如上市) | 02330 | 說明 | | | | | | | | | | 法定/註冊股份數目 | | | 面值 | | 法定/註冊股本 | | | 上月底結存 | | | 30,000,000,000 | HKD | | 0.01 HKD | | 300,000,000 | | 增加 / 減少 (-) | | | | | | HKD | | | | 本月底結存 | | | 30,000,000,000 | HKD | | 0.01 HKD | | 300,000,000 | 本月底法定/註冊股本總額： HKD 300,00 ...

芯片法案与美国半导体政策 - 拜登时期起草的芯片法案面临川普政府质疑与补贴削减压力 暴露美国内部混乱与全球竞争无力感 [3] - 台积电在法案中获66亿美元补助+50亿美元低息贷款+250亿美元税务优惠 但2纳米/1.4纳米制程仍留在台湾新竹 属战略选择非技术限制 [3] - 芯片法案初衷为减少美国对亚洲供应链依赖 遏制中国AI/国安技术发展 但执行3年后出现结构性矛盾 体现"美国优先"与盟友协调的冲突 [3][4] 全球半导体产业格局变化 - 美日欧台韩五大科技重镇投入超1500亿美元建厂研发 引发补贴竞赛 市场担忧高阶产能过剩压缩利润 [4] - 实际短缺集中在40纳米以上成熟制程(汽车/医疗/军用) 但CHIPS补贴流向高阶制程 导致政策目标与执行脱节 [4] - 成熟制程产能仍集中在亚洲(台积电/联电/中芯国际) 因商业利润率仅适合维护现有晶圆厂 [4] 美国半导体技术发展动向 - 国家半导体技术中心(NSTC)在纽约启动 主导1.4纳米/量子芯片研发 被视为美国重掌科技主导权的关键 [5] - 美国半导体政策需战略清晰与国际协调 否则可能因方向错置与执行失衡失败 [5]

行业荣誉与领导力 - 台积电董事长兼首席执行官魏哲家博士和前董事长刘德音博士被选为2025年罗伯特·诺伊斯奖共同获奖者，以表彰他们对半导体行业的杰出贡献[2] - 该奖项由美国半导体行业协会(SIA)每年颁发，旨在表彰在技术或公共政策领域为半导体行业做出卓越贡献的领导者[2] - 两位获奖者将于2025年11月20日在加州圣何塞举行的SIA颁奖晚宴上接受该奖项[2] 行业影响与成就 - 在两位领导人的带领下，台积电已成为全球最大的芯片代工制造商和全球半导体供应链的基石[4] - 他们推动了无数突破性技术进步，重塑了计算性能、能效和全球供应链[4] - 这些技术进步促进了个人计算、智能手机和人工智能等领域的兴起[4] - 在他们的领导下，台积电显著扩展了全球业务，在美国和其他国家建立了重要的制造工厂[4] 获奖者背景 - 魏哲家博士拥有超过25年行业经验，曾担任特许半导体技术高级副总裁和意法半导体技术开发经理[5] - 刘德音博士曾在AT&T贝尔实验室和英特尔公司担任重要技术职位，拥有丰富的半导体研发经验[6] - 两位获奖者都拥有顶尖大学的电子工程博士学位[5][6] 行业认可 - SIA总裁John Neuffer称赞两位获奖者是行业巨头，拥有超过80年的行业经验和专业知识[4] - 诺伊斯奖是为纪念半导体行业先驱、英特尔联合创始人罗伯特·诺伊斯而设立[6] - 两位获奖者都表示这一荣誉是对台积电团队集体努力的认可[5][6]

核心观点 - 人工智能和高性能计算对逻辑到内存集成的需求推动超大格式封装发展，预计未来几年将接近最大光罩尺寸的10倍[2] - 扇出型面板级封装(FOPLP)因成本低、能容纳大尺寸芯片和高I/O数量成为最佳方案，但需改进设备以解决层间对准、翘曲等问题[2] - 面板级封装市场规模预计从2024年1.6亿美元增长至2030年6.5亿美元，面板数量从8万块增至22万块[4] 技术发展 封装技术 - 扇出型面板级封装已成功降低智能手表、电源管理IC等小型设备成本，如意法半导体用RDL取代QFN封装中的引线框架[2] - 芯片制造商围绕有机中介层整合，玻璃芯基板取得进展，成为有机中介层的延伸[3] - 面板级封装载体利用率高于晶圆级，中介层尺寸增大时优势更明显：3.5倍光罩尺寸下面板浪费减少56%，5.5倍时达78%[3] 材料与工艺 - 面板尺寸多样化，从310x310mm到700x700mm不等，取决于供应商背景(显示器制造商、IC载板商或代工厂)[6] - 翘曲问题因材料热膨胀系数差异产生，新型聚酰亚胺材料可将硅基板翘曲降低79%，陶瓷基板降低95%[18] - 光刻技术中步进式光刻机更适合补偿芯片偏移，LDI系统成本效益低且吞吐量不足[10][11] 应用与案例 - 台积电计划使用面板载板支持9.5倍光罩尺寸的NVIDIA Rubin Ultra封装，考虑515x510mm更大面板[3] - 日月光测试310x310mm面板工艺，包含10个芯片和10个桥接器，证实面板在大于3.5倍光罩尺寸时质量优于晶圆[6] - SpaceX计划推出700x700mm面板，Amkor开发650x650mm面板，每块可容纳4块300x300mm面板[6] 工艺流程 - Chip-first方法成熟但良率低，Chip-last方法支持更细间距RDL但成本高且工艺复杂[14] - Mold-first工艺易于集成不同元件，RDL-first类似先进柔性倒装芯片工艺[14] - 热压键合对翘曲容忍度高，大规模回流焊因生产率更受青睐[20]

芯片制造技术进展 - 中国北京大学展示FlipFET设计 实现与CFET类似PPA而无需单片或顺序集成难题 [2] - FlipFET工艺在晶圆正面形成FinFET NMOS 背面形成FinFET PMOS 两者性能良好 [8] - FlipFET关键工艺步骤包括晶圆翻转和背面晶体管形成 共8个主要步骤 [11] - FlipFET优势在于自对准晶体管堆叠 无需高纵横比工艺 但面临成本和良率挑战 [12] - 中国实验室进一步创新FlipFET设计 包括自对准栅极和4堆叠晶体管方案 [13] DRAM技术发展 - DRAM面临4F2和3D两个拐点 6F2架构只能扩展到1D节点 [16] - 4F2单元尺寸为6F2三分之二 理论上密度可提高30% [23] - 4F2关键推动因素是垂直沟道晶体管 但制造难度更高 [24] - 4F2架构面临高纵横比蚀刻和沉积挑战 需EUV图案化 [31] - 3D DRAM同步开发中 中国芯片制造商可能成为该领域颠覆者 [36] 台积电技术创新 - 台积电研发BEOL金属层内eDRAM阵列 释放前端晶体管和底层金属层 [38] - 台积电4Mbit宏位密度63.7 Mb/mm² 未来几代技术潜力巨大 [41] - 台积电展示CVD生长二维材料NSFET 采用新颖"c形"接触方案降低电阻 [50][52] - 台积电广泛讨论forksheet架构 可能预示未来技术路线 [59] 二维材料应用 - 二维材料预计将在10A节点(约2030年)成为必要 聚焦TMD单层材料 [47] - 台积电展示NMOS器件 英特尔展示PMOS和NMOS器件 并在300mm晶圆试产 [52] - 二维材料生长是工业化关键障碍 目前主要采用CVD直接生长方案 [50] - 英特尔改进二维晶体管接触工艺 但仍依赖材料转移而非生长 [55] 先进晶体管架构 - Forksheet是GAA演进 通过介电壁使NMOS和PMOS更紧密连接 [56] - Forksheet面临制造挑战 需开发能承受工艺处理的超低k材料 [58] - CFET预计2030年左右推出 台积电/英特尔/三星/IMEC方案趋同 [63][64] - 英特尔展示CFET+背面供电集成方案 解决供电难题 [67] 英特尔18A工艺 - 英特尔18A工艺SRAM尺寸比Intel 3缩小30% [72] - 结合GAA晶体管和PowerVia背面供电 形成新金属堆叠架构 [74] - 在1.1V下时钟速度提高25% 0.75V下性能提高18%功耗降40% [74] - 预计2025年下半年量产 密度略低于台积电N3P [78] 数字孪生技术 - 数字孪生涵盖原子级到晶圆厂级模拟 加速设计优化 [79][80] - 新思科技QuantumATK套件用于原子级材料工程模拟 [82] - Lam Research SEMulator3D软件用于虚拟晶圆制造优化 [87] - 目标实现"无人值守"晶圆厂 设备需具备预测性维护能力 [89][92]

氮化镓行业发展趋势 - 氮化镓(GaN)正在数据中心和汽车领域获得重要应用，NVIDIA推动800V HVDC数据中心电力基础设施过渡，预计从2027年开始支持1MW及以上IT机架，GaN将扮演关键角色 [1] - Yole Group预测功率GaN器件市场将在2023-2029年间增长十倍，市场规模超过20亿美元，复合年增长率达41% [1] - 汽车厂商开始引入GaN技术，看重其更高开关频率、功率密度和低导通电阻带来的能量损耗降低优势 [1] GaN代工模式争议 - 台积电将于2027年7月底停止GaN代工生产，主要因低毛利前景不被看好 [6] - 行业分析认为GaN代工在6英寸上性价比低，产能小难以实现技术迭代，8英寸才是可行方向 [6] - 英诺赛科CEO指出IDM模式更适合GaN生产，因其需与设计、应用深度协同 [7] - 英诺赛科2024年GaN器件出货量达6.6亿颗，呈几何级数增长，8英寸月产能1.3万片，良率超95% [7][12] 12英寸GaN发展前景 - 12英寸GaN晶圆可带来明显价格优势，英飞凌预计300mm晶圆芯片产量比200mm提高2.3倍 [10] - 英飞凌计划2025年第四季度提供首批12英寸GaN样品 [10] - 8英寸是GaN生产分水岭，从6英寸到8英寸制造难度指数级增长，12英寸挑战更大 [11] - 英诺赛科计划将8英寸月产能从1.3万片提升至2万片，中长期目标7万片/月 [12] GaN在消费电子外的新机会 - 汽车领域：GaN可用于电池测试系统，宁德时代已采用并实现高效测试和能源节省 [15] - 数据中心：NVIDIA 800V HVDC推动GaN进入服务器电源和GPU供电市场 [17] - 人形机器人：英诺赛科已提供150V/100V全系列GaN产品，100W关节电机驱动产品量产 [17] - 分布式电网：未来汽车电池可作为储能系统，GaN在充放电环节具优势 [16] 行业合作与供应链布局 - 英诺赛科与ST达成氮化镓技术开发与制造协议，将共享制造产能 [18] - ST对英诺赛科进行基石投资锁仓，验证其技术实力 [18] - 英诺赛科开展晶圆合作业务，为南芯、杰华特等客户提供标准化GaN晶圆 [17]

台积电全球扩张战略分析 核心观点 - 台积电作为全球芯片制造龙头，正面临多国扩张带来的战略执行与地缘政治平衡挑战，其海外工厂技术滞后于台湾本土可能削弱全球化效果 [1][3][4] 美国扩张计划 - 承诺投资1650亿美元在美国建设三座芯片厂，亚利桑那州工厂目标2028年量产2纳米芯片，但技术落地时间晚于台湾同类技术数年 [2] - 资源倾斜导致日本熊本县第二工厂200亿美元项目延期，反映多线推进的优先级冲突 [2] 台湾本土技术保护政策 - 台湾立法要求海外工厂技术至少落后本土一代，强化台湾战略优势但限制海外工厂尖端芯片生产作用 [3] - 全球扩张无法完全解决西方国家半导体依赖问题，供应链仍与台湾深度绑定 [3] 执行风险与投资者担忧 - 多国项目同步推进可能引发产能利用不足和执行风险，日本工厂延期印证资源分配难题 [4] - 公司声称扩张基于客户需求，但实际需权衡政治、物流与技术领先的多重目标 [4] 关税与市场不确定性 - 美国商务部正评估是否对进口芯片加征国家安全关税，增加供应链不确定性 [5] 资本市场反应 - 台北股价单日跌幅0 5%，反映投资者对地缘政治对冲与多国制造能力复杂性的权衡 [6] - 公司需证明其能维持全球多地的技术领先与不可替代性 [6] 行业动态关联 - 半导体设备行业工资暴涨40%，反映产能扩张下的人才竞争 [10] - 美国拟限制中国汽车软硬件，或间接影响芯片供应链布局 [10]

AI算力需求推动数据中心电力架构升级 - 随着AI算力需求暴增，数据中心电力架构正迎来十年最大升级，英伟达领军的800V高压直流（HVDC）技术预计2027年全面导入兆瓦级AI机柜[1] - 800V直流电技术可使相同尺寸导线传输功率增加85%，相较于传统架构，英伟达800V HVDC需多一道800V直流电降压至54V直流电的程序[1] - 该架构需使用高规格耐高压PMIC，但在个别Compute Tray中仍沿用原先中低压PMIC即可[1] 第三代半导体代工版图重组 - 台积电宣布两年内逐步退出氮化镓（GaN）市场，其大客户纳微半导体急寻新来源[1] - GaN应用于数据中心仍有安全性疑虑，因GaN on Si制程中两种材料晶体结构及热膨胀系数不匹配，遇高压易被击穿[2] - 不直接使用GaN衬底因主流仅发展到6吋且成本高，70%原材料如铝土矿或闪锌矿产能掌握在中国大陆业者手中[2] 台系供应链竞争格局变化 - 未来Compute Tray中Power IC需求将提升，如记忆体电压必须由54伏转到12伏，目前海外业者如英飞凌、MPS占据主要市场[2] - 台厂致新、茂达持续抢攻，从一般型伺服器入局，有望抢占相关商机[2] - 台积电进行产能最佳化，将老厂人力调往先进封装支援，在部分成熟、特殊制程节点进行取舍，使力积电等晶圆代工业者有机可乘[2] 台系PMIC厂商发展机会 - 海外PMIC大厂根据客户需求调整产品组合，使台系供应链有机会打入Tier 1客户[3] - 尽管短期未见明显业绩挹注，但依循正确产业方向投入研发将有机会大放异彩[3]

公司动态 - 台积电宣布将在两年内退出氮化镓业务 [1]

英特尔晶圆代工策略调整 - 英特尔新任执行长陈立武考虑对晶圆代工策略进行重大调整，可能放弃Intel 18A制程，集中资源发展下一代14A制程 [1] - 最快7月董事会讨论是否停止向新客户推销18A，但可能延至秋天定案，因涉及金额庞大且情况复杂 [1] - 公司看好14A制程有机会在部分技术超越台积电，目标是吸引苹果及英伟达等大客户转单 [1] - 英特尔18A制程已进入风险试产阶段，今年将达量产规模，但可能被搁置 [1][2] 制程技术对比与规划 - 英特尔18A制程大致等于台积电2022年底量产的N3制程 [1] - 台积电2纳米制程预计2024年下半年量产，英特尔14A与14A-E制程规划2027年进入风险试产 [1] - 业界认为英特尔14A制程对标台积电的埃米级A16制程 [1] - 台积电表示其2纳米和A16制程在节能运算方面领先业界，N2P制程规划2026下半年量产 [3] 财务与客户影响 - 若放弃18A制程，英特尔可能需提列数亿至数十亿美元的帐面损失 [2] - 18A主要客户为英特尔自身，规划下半年量产Panther Lake笔电芯片 [2] - 公司已向亚马逊与微软保证用18A制程生产芯片并定下交货期限 [2] - 吸引外部客户使用代工服务仍是未来发展关键 [2] 管理层决策背景 - 陈立武上任后积极寻找振兴途径，上个月对前任力推的18A制程提出质疑 [2] - 认为18A制程对新客户吸引力正在减弱 [2] - 公司正针对关键客户需求量身打造14A制程技术 [2] - 最终可能维持既定18A计划，因14A研发进度与客户接受度仍存不确定性 [2]