公司股价表现 - 天岳先进早盘股价上涨近7%，截至发稿时上涨6.24%，报62.15港元，成交额达1.55亿港元 [1] 碳化硅材料技术突破 - 碳化硅是光波导镜片的理想材料，但过去受限于衬底尺寸和缺陷，一片8英寸衬底仅能制造3-5副眼镜，应用局限于极高端领域 [1] - 公司发布12英寸衬底后，一片衬底可制造10-12副镜片，使碳化硅光学应用从高端走向民用市场 [1] - 公司正与全球光学头部客户紧密推进产品导入，碳化硅光学眼镜即将推向市场，未来市场规模预计可达数亿副 [1] 碳化硅在先进封装领域的应用 - 碳化硅凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热性能并降低封装尺寸 [1] - 有媒体报道称，英伟达在其新一代Rubin处理器设计中，将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提升散热性能，并预计2027年开始大规模采用 [1]

公司股价表现 - 天岳先进早盘涨近7%，截至发稿涨6.24%，报62.15港元，成交额1.55亿港元 [1] 碳化硅材料技术突破 - 碳化硅是光波导镜片的理想材料，但过去受制于衬底尺寸和缺陷，一片8英寸衬底仅能制造3-5副眼镜，导致其只能用于极高端领域 [1] - 公司发布12英寸衬底，一片可做10-12副镜片，使碳化硅光学应用从高端走向民用 [1] - 公司正与全球光学头部客户紧密推进产品导入，碳化硅光学眼镜很快将走向市场 [1] - 董事长宗艳民预计未来碳化硅光波导眼镜的市场规模可达数亿副 [1] 碳化硅在先进封装领域的应用潜力 - SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸 [1] - 有媒体报道称，英伟达在其新一代Rubin处理器设计中，将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提升散热性能 [1] - 英伟达预计2027年开始大规模采用碳化硅基板 [1]

股价表现与交易情况 - 10月9日盘中股价报83.96元/股，上涨2.19%，总市值406.89亿元 [1] - 当日成交金额4.03亿元，换手率1.13% [1] - 主力资金净流出2514.58万元，其中特大单净卖出2989.18万元，大单净买入500万元 [1] - 今年以来股价累计上涨63.98%，近20日上涨24.39%，近60日上涨49.13% [2] - 近5个交易日股价下跌1.36% [2] 公司基本业务与财务 - 公司主营业务为碳化硅衬底的研发、生产和销售，该业务占主营业务收入82.83% [2] - 2025年1-6月实现营业收入7.94亿元，同比减少12.98% [2] - 2025年1-6月归母净利润为1088.02万元，同比大幅减少89.32% [2] - 公司于2022年1月12日上市，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料 [2] 股东结构与机构持仓 - 截至2025年6月30日，股东户数为1.70万户，较上期减少6.53%，人均流通股增加6.99%至17663股 [2] - 十大流通股东中，华夏上证科创板50成份ETF持股962.79万股，较上期减少5.62万股 [3] - 易方达上证科创板50ETF持股711.96万股，较上期增加20.37万股 [3] - 银河创新混合A为新进股东，持股570.00万股，嘉实上证科创板芯片ETF持股407.90万股，较上期增加38.03万股 [3] - 香港中央结算有限公司退出十大流通股东之列 [3] 市场关注度与概念板块 - 公司所属概念板块包括碳化硅、基金重仓、华为概念、融资融券、第三代半导体等 [2] - 今年以来公司1次登上龙虎榜，最近一次为9月5日，当日龙虎榜净卖出2862.82万元 [2]

文章核心观点 - AI服务器面临能源与散热危机，单机柜功率突破百千瓦，芯片功耗逼近千瓦，传统技术路径已达极限[2] - 碳化硅作为第三代半导体材料，正从供电和散热两个核心战场掀起变革，成为赋能未来AI产业不可或缺的核心材料[3] - 在供电战场，碳化硅功率芯片可将服务器电源电能转换效率推升至98%，解决AI集群高能耗问题[3] - 在散热战场，碳化硅封装基板凭借卓越导热性能，快速导出GPU巨量热能，解决性能瓶颈[3] - 碳化硅的渗透不仅是技术迭代，更是一场关乎未来算力成本与可持续性的关键博弈[3] AI服务器供电挑战与碳化硅机遇 - AI服务器供电系统面临效率、密度、功率的"不可能三角"难题，传统硅基器件触及物理极限[4] - 高功率PSU（>3kW）市场占比将提升至80%，服务器电源市场转向高门槛、高附加值的定制化蓝海[4] - AI训练负载是"同步"的，对供电系统动态响应能力要求极高，碳化硅MOSFET的快速开关特性可平滑电网级功率纹波[19] - 采用碳化硅方案可将效率从94%提升至98%，每100kW负载损耗从6kW降至2kW，并节省等效的散热成本[21] - 在AI数据中心，空间即算力，碳化硅可使功率密度从30 W/立方英寸提升至100 W/立方英寸，算力部署密度提升3倍以上[23] 数据中心供电架构演进 - 数据中心按功耗可分为企业级（1KW-500kW）、高性能计算中心（50KW-5MW）和超大规模数据中心（1MW-150MW，AI园区可达2GW）[7] - AI园区功耗达2GW，相当于大型核电机组输出功率，算力正成为新一代公共基础设施[15] - 数据中心配电电压正从12V向48V，再向400V/800V高压直流架构演进，以减少传输损耗[25] - 800V HVDC架构可重构数据中心供电系统，实现与可再生能源无缝对接并简化UPS，但需从基础设施层面进行顶层设计[29][30][31][33] - "Sidecar"方案作为过渡性解决方案，允许在机柜侧边增加模块，支持高功率机柜，单机架功率可扩展至600千瓦[37] 固态变压器的颠覆性价值 - 固态变压器（SST）是高频、智能、集成的电能路由器，可将10-35kV中压交流电直接转换为800V直流电[42] - SST通过"集中化"和"高频化"策略，将转换效率做得更高，并使碳化硅的价值密度从分散的PSU转移至集中的高价值SST模块[43] - 高频隔离变压器工作频率达数十kHz，其体积与频率成反比，可实现超高功率密度[43] - 头部电源厂商如台达已在2024年GTC展示SST样机，将其视为未来技术制高点[44] - SST方案将导致电源产业洗牌，传统PSU厂商需向上游SST和高压IBC技术转型[58] 碳化硅在芯片封装领域的应用 - AI芯片2.5D封装导致功率密度和热流密度急剧攀升，传统硅、玻璃中介层成为散热瓶颈[68] - 碳化硅中介层热导率达400-500 W/m·K，比硅高出约3倍，可使GPU结温降低20-30℃，散热相关成本降低约30%[66] - 碳化硅与硅芯片热膨胀系数接近，能大幅提升封装寿命和良率，其电绝缘性对HBM3/4高速信号完整性至关重要[69] - 若碳化硅完全替代传统中介层，其需求将是CoWoS产能的2倍，可能引发与车用市场争夺高质量衬底产能[5][72] - 碳化硅中介层产业化面临大尺寸薄板制造、切割研磨困难及TSV形成等挑战，需激光剥离等下一代加工技术[76] 碳化硅制造工艺与产业链 - 碳化硅产业成本结构中，衬底+外延占比远高于硅，降本核心在于降低衬底成本[81] - 衬底尺寸正从6英寸向8英寸迁移，8英寸衬底可用芯片数增加，能显著摊薄成本，其N型衬底市场年复合增长率达58%[82] - PVT法生长速率慢（<0.22mm/h）、耗时长达7-8天，是衬底高成本、低良率的主因，龙头厂商倾向于自建设备以控制品质[91][92] - 激光剥离等先进切片技术可将晶圆产出量提升约1.4倍，是降本的核心路径之一[95][96] - 碳化硅制造设备市场中，量测及检测设备规模最大、增长最快，凸显缺陷控制是产业核心痛点[111] 碳化硅市场竞争格局与国产化 - 全球碳化硅衬底市场高度集中，WolfSpeed、天岳先进、天科合达等前五家厂商占据68%份额[85] - 中国公司如天岳先进市占率从14.8%提升至16.7%，并展示12英寸样品，已进入全球竞争第一梯队[85] - 在碳化硅器件领域，意法、安森美、英飞凌等五大外企2024年市占率高达83%，国产替代空间巨大[129] - 国内厂商如芯联集成（增速+180%）、三安集成（+55%）正以数倍于行业的速度抢夺市场份额[129] - 中国已构建全球最完整的碳化硅产业链，国内投资约80亿美元，体现全产业链自主可控战略[131][140] 碳化硅市场应用与需求驱动 - 新能源汽车是碳化硅最大且最确定的驱动力，直至2030年仍将占据压舱石地位[122] - AI数据中心、低空经济等"新兴行业"成为独立的重要增长极，为碳化硅厂商提供客户多元化机会[122] - 800V平台BEV出货量占全部BEV近10%，预计2030年将提升至30%，对1200V SiC MOSFET产生刚性需求[122] - 碳化硅功率器件技术路线呈渐进式替代，从混合模块（Si-IGBT+SiC SBD）向全SiC模块演进[119] - 系统层面"混编"策略可在不同支路分别采用Si或SiC，实现系统级性价比最优化[119]

哈勃投资减持天岳先进 - 股东哈勃科技创业投资有限公司计划减持天岳先进不超过387.69万股股份，约占公司总股本的0.80% [1][4] - 以天岳先进9月26日收盘价86.33元/股计算，此次减持最高可套现约3.35亿元 [1] - 减持计划执行期间为2025年10月27日至2026年1月26日，减持后哈勃投资持股比例将从5.63%降至4.83% [4] 哈勃投资历史投资与收益 - 哈勃投资于2019年8月以1.11亿元入股天岳先进，获得其当时10%的股权 [1][5] - 天岳先进上市后，哈勃投资持股调整为2726.25万股，占比5.63%，以9月26日收盘价计算，该部分持股市值为23.54亿元，较初始投资浮盈约22.43亿元，投资收益率超20倍 [1][6] - 截至上半年末，哈勃投资出现在8家A股上市公司前十大股东中，合计持股市值约为44.15亿元 [2][11] - 若三季度未减持，截至9月26日其持股市值将达64.82亿元，单季度浮盈约20.67亿元 [2][12] 天岳先进公司基本面与行业背景 - 天岳先进是国内碳化硅衬底领域的龙头企业 [4] - 碳化硅材料因其优异导热性能，正成为替代传统陶瓷基板、解决高功率芯片散热问题的理想方案 [4] - 公司股价在2023年9月一度触及99.88元/股，创年内新高，尽管近期回调，但年内累计涨幅仍超过50% [4] - 2025年上半年，公司实现营业收入7.94亿元，同比下降12.98%，实现归母净利润1088.02万元，同比大幅下降89.32% [6] 其他股东减持情况 - 2024年10月，股东辽宁中德产业股权投资基金等一致行动人合计减持天岳先进787.02万股（约占总股本1.83%），减持总金额约4.34亿元 [8] - 2025年8月，股东国材股权投资基金计划减持不超过954.91万股（不超过总股本2.00%），截至9月26日已减持约477.46万股，减持金额约3.24亿元 [8] 哈勃投资平台概况与战略协同 - 哈勃投资是华为投资控股有限公司的全资子公司，成立于2019年，是华为旗下专注于半导体领域投资的重要平台 [9] - 哈勃投资管理规模约70亿元，累计投资项目已超过100个，其中超过10家公司成功上市 [1][9] - 哈勃投资通过资本纽带构建产业链协同，例如被投企业灿勤科技在2019年对华为的销售收入占营收比例高达91.34% [14] - 哈勃投资入股后，部分被投企业对疑似华为关联方（如“客户A”、“客户B”）的销售额出现显著增长，体现了业务赋能效应 [15]

指数及ETF表现 - 上证科创板半导体材料设备主题指数上涨0.69% [1] - 科创半导体ETF（588170）上涨0.60%，最新价报1.52元，近1周累计上涨15.52% [1] - 科创半导体ETF最新规模达26.04亿元，最新份额达17.25亿份，均创成立以来新高 [1] - 科创半导体ETF近9天获得连续资金净流入，合计17.21亿元，日均净流入达1.91亿元，最高单日净流入6.32亿元 [1] 成分股表现 - 指数成分股神工股份上涨4.47%，晶升股份上涨3.39%，天岳先进上涨3.28%，中芯国际上涨3.07%，艾森股份上涨2.94% [1] 行业技术进展与市场观点 - 寒武纪、华为昇腾实现适配DeepSeek最新模型DeepSeek-V3.2，day 0适配彰显国产芯片生态建设成果 [2] - DeepSeek-V3.2通过软硬协同设计支持国产算力，其Sparse Attention机制结合国产芯片可大幅降低长序列场景训推成本 [2] - 芯片和算法的联合创新及软硬件协同将进一步加速国内AI产业发展 [2] - 市场分析认为，随着算力基础设施持续投入，国产算力在模型侧和芯片方面或将持续突破，中期有望获得领先于海外算力的增长弹性 [2] 相关ETF产品信息 - 科创半导体ETF（588170）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，聚焦半导体设备（59%）和半导体材料（25%）细分领域 [3] - 半导体设备和材料行业是重要国产替代领域，具备国产化率较低、天花板较高属性，受益于AI需求扩张、科技重组并购及光刻机技术进展 [3] - 半导体材料ETF（562590）同样聚焦半导体上游，指数中半导体设备（59%）和半导体材料（24%）占比靠前 [3]

公司通讯发布 - 2023年12月31日起采用电子方式发布公司通讯[3][9] - 公司通讯含董事会报告、年度账目、中期报告等文件[3][9] - 未来中英文版在公司网站和披露易网站提供，替代印刷本[4][9] 股东通讯收取 - 建议股东扫描回条专属二维码或签署回条交回提供电子邮箱地址[5][10] - 未收到有效邮箱地址，以印刷本发送可供行动的公司通讯[6][11][12] - 希望收取印刷版可填回条交回或发邮件，指示一年内有效[6][11] 其他信息 - 函件疑问可于工作日9:00 - 18:00致电咨询[7][11] - 此函发布时间为2025年9月30日[2][11] - 公司股票代码为2631[2]

上市信息 - 公司A股于2022年1月12日在上海证券交易所科创板上市，代码688234[4] - 公司H股于2025年8月20日在香港联交所主板上市，代码2631[4][6] 业绩数据 - 2025年上半年收入793,805千元，较上年同期减少12.98%[21][127][129] - 2025年上半年公司拥有人应占溢利为10,880千元，较上年同期减少89.32%[21] - 2025年上半年经营活动产生的现金流量净额为272,155千元，较上年同期增长347.43%[21] - 2025年上半年基本每股收益为0.03元/股，较上年同期减少87.50%[21] - 2025年6月30日公司拥有人应占权益为5,329,796千元，较上年度末增加0.32%[21] - 2025年6月30日总资产为7,705,800千元，较上年度末增加4.75%[21] - 2025年上半年碳化硅半导体材料收入657,511千元，占比82.83%，较上年同期减少12.63%[131] - 2025年上半年其他业务收入136,294千元，占比17.17%，较上年同期减少14.62%[131] - 2025年上半年毛利135,611千元，较2024年同期减少34.43%，综合毛利率17.08%，较同期下降5.58个百分点[133][134] - 2025年6月30日资产负债率30.83%，2024年12月31日为27.78%[134][135][136] - 2025年6月30日现金及现金等价物1,533,298千元，2024年12月31日为1,155,456千元[137][142] - 2025年6月30日未偿还借款总额1,010,009千元，2024年12月31日为695,000千元[137][142] - 2025年6月30日抵押/质押资产净值90,197千元，2024年12月31日为64,317千元[139][143] 市场地位 - 2024年公司在全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率为22.8%，稳居全球前三[31][33] - 公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立业务合作关系[39][40][51][53] - 2024年度公司在碳化硅衬底专利领域位列全球前五[57][61] 产品与技术 - 公司可量产的碳化硅衬底直径从2英寸发展到8英寸，2024年推出行业首个12英寸碳化硅衬底[36][38] - 2024年11月，公司率先交付通过液相法生产的高质量低阻P型碳化硅衬底[50][52] - 公司及子公司累计获197项发明专利授权和305项实用新型专利授权，其中境外发明专利授权14项[57][61] - 公司碳化硅衬底有效厚度超60毫米，行业平均约为20毫米[68][70] - 公司碳化硅衬底达到近零微管，表现为无堆垛层错等[69][71] - 2025年上半年公司研发费用7584.67万元，同比增加34.94%，用于大尺寸产品技术突破和新兴应用拓展[105][107] 生产情况 - 公司在山东济南和上海临港形成碳化硅半导体材料生产基地，设计年产能超40万片[37][38][60][62] - 2025年上半年济南工厂产能产量提升，上海临港工厂提前达成年产30万片导电型衬底产能规划[91][95] 合作与市场 - 2025年7月公司与舜宇奥来达成战略合作，助力碳化硅衬底材料在光学领域应用[97][100] - 2025年8月公司与东芝电子元件就开发制造SiC功率半导体用衬底达成基本协议[98][100] 未来展望 - 未来SiC衬底价格下降受技术工艺升级和规模效应推动[158] - 公司计划引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建立稳定的碳化硅生态系统[161] - 公司将持续加强研发能力，聚焦材料性能等研究，研发下一代变革性技术[163][165] - 公司将持续强化有效产能，聚焦大尺寸碳化硅衬底，投资现有生产基地并进行技术升级[167][170] - 公司将提升供应链稳定性，开发领先设备，改进生产流程等[168][170] - 公司将继续落实Z计划，提升产品交付质量和效率[171][173] - 公司通过与上下游合作建立共赢的碳化硅生态系统，扩大市场规模和渗透率[172][174] - 2025年下半年公司坚持以成为国际著名半导体材料公司为战略目标[184][186] - 未来计划对半导体行业进行战略性投资、合作或收购以驱动增长[183][185]

公司通讯发布 - 自2023年12月31日起公司以电子方式发布通讯[2][6] - 公司通讯含董事报告等多种文件[2][6] 公司通讯获取 - 公司通讯中英文版将在公司和披露易网站提供[3][6] - 非登记股东联络中介提供邮箱或申请印刷版[4][7] 咨询方式 - 对函件有疑问可工作日致电咨询[5][7]

未来展望 - 自2023年12月31日起以电子方式发布公司通讯[2][6] - 公司通讯英、中文版将在公司网站和披露易网站提供[3][6] 其他新策略 - 非登记股东联系中介提供邮箱[4][7][8] - 需印刷版填回条交过户登记处或发邮件[4][7][8] - 查疑问工作日9:00 - 18:00致电(852) 2862 8555[5][7]