公司业务与产品 - 公司是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商，核心产品覆盖PECVD、ALD、Flowable CVD、HDPCVD等多类工艺，已在先进逻辑与存储产线实现规模化交付 [1] - 公司前瞻布局混合键合及配套量检测设备，切入异构集成与三维集成核心环节，业务由单一沉积设备向“沉积+键合”双引擎平台化演进 [1] 行业市场与需求 - 在晶圆厂扩产与国产替代推动下，中国市场预计仍将保持全球最大半导体设备市场 [1] - HBM、Chiplet与三维堆叠加速落地，芯片间互连密度和界面质量要求显著提升，沉积与键合工艺在系统性能中的重要性持续上升，使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑 [1] 公司估值与评级 - 从PEG角度看，公司2025E-2027E PEG为1.3/0.8/0.9 [1] - 综合考虑公司在薄膜沉积和混合键合工艺环节的技术壁垒及中长期盈利弹性，认为公司具备较高的中长期配置性价比，首次覆盖，给予“买入”评级 [1]

光刻机技术趋势 - High-NA EUV光刻机从"天价顶配"变为"仓库积灰"，英特尔、台积电、三星均推迟使用计划 [1][3][6] - High-NA EUV售价3.78亿美元，比普通EUV贵近一倍，台积电通过现有EUV+多重曝光技术实现1.4nm制程 [6] - 三星将DRAM生产中的High-NA EUV应用推迟至2030年，因3D DRAM架构无需光刻技术 [6] 刻蚀技术崛起 - 3nm以下制程中刻蚀步骤占比超50%，GAAFET架构依赖刻蚀机完成三维结构雕琢 [7][8] - 刻蚀机厂商Lam Research和东京电子订单排至2026年，ASML 2024年EUV出货量仅44台，低于预期10台 [8] - 芯片制造逻辑从"二维压缩"转向"三维堆叠"，刻蚀技术成为核心 [8] ASML市场地位变化 - 2024年ASML光刻机总销量418台，中国大陆贡献36.1%收入（约797亿人民币），DUV需求旺盛 [9] - High-NA EUV面临销售困境，ASML路线图显示现有EUV技术仅能支持至2027年1.4nm制程 [10] - 新兴技术如EUV-FEL光源、原子光刻、纳米压印可能颠覆ASML垄断地位 [11] 半导体行业新逻辑 - 摩尔定律逼近物理极限，行业转向三维堆叠、Chiplet和新材料以提升性能 [12] - 光刻技术重要性下降，行业竞争焦点转向架构优化和成本控制 [12][14] - 中国在成熟制程设备自主化进展显著，未来可能改变全球供应链格局 [11][14]