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存储芯片周度跟踪:现货市场整体价格趋稳,NAND产能加速切换-20250911
甬兴证券· 2025-09-11 16:14
行业投资评级 - 增持(维持) [6] 核心观点 - NAND产能加速切换至新制程 旧制程产出明显缩减 尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少推动现货价格逐渐上扬 而新旧制程切换下高容量NAND供应充足使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整 [1] - DRAM产业2025年第二季整体营收达316.3亿美元 环比增长17.1% 主要受益于一般型DRAM合约价上涨 出货量显著增长及HBM出货规模扩张 [2] - HBM领域SK海力士预计到2030年定制HBM市场规模将增长至数百亿美元 HBM4产品将采用客户特定逻辑芯片或基础芯片技术 [3] - 渠道DDR5内存条因资源供应趋紧价格继续小幅上涨 存储现货市场整体价格趋稳 DDR4与DDR5价差已缩小至20%以内 但渠道内存条仍以DDR4为基本盘 [3] 存储芯片周度价格跟踪 - NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.97%至6.14% 平均涨跌幅为-0.03% 其中12个料号价格持平 5个上涨 5个下跌 [1] - DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.24%至2.76% 平均涨跌幅为0.68% 上周13个料号上涨 4个下降 1个持平 [2] 行业新闻 - TrendForce报告显示2025年第二季DRAM产业营收环比增长17.1%至316.3亿美元 主要因合约价上涨 出货量增长及HBM扩张 [26] - CFM报道指出原厂NAND产能加速向新制程切换 旧制程产出缩减推动256Gb TLC NAND价格上扬 而高容量NAND供应充足导致1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格下调 [26] - SK海力士预计2030年定制HBM市场规模达数百亿美元 HBM4将采用差异化技术构建 [27] - 渠道市场DDR5资源供应趋紧推动价格小幅上涨 DDR4处于高位横盘 NAND Flash价格分化明显 低容量供应吃紧推升256Gb及以下容量Flash Wafer价格 [27] 公司动态 - 江波龙SOCAMM专为AI数据中心设计的高性能内存产品已成功点亮 可提供数倍于传统RDIMM的带宽 [30] - 华海诚科子公司衡所华威产品覆盖基础到先进封装多个层次 在汽车电子 新能源 第三代半导体等领域处于领先地位 [30] - 东芯股份参股公司砺算科技已向部分客户送样 持续优化产品并推进生产销售工作 [31] 公司公告 - 恒烁股份截至2025年8月31日回购股份813,407股 占总股本0.98% 回购金额29,313,021.08元 [33] - 兆易创新股权激励股份上市流通数为2,286,334股 上市流通日期为2025年9月10日 [33] 投资建议 - 持续看好受益先进算力芯片发展的HBM产业链 建议关注赛腾股份 壹石通 联瑞新材 华海诚科等 [4] - 存储芯片受益供应端推动涨价 库存回归正常及AI带动需求上升 推荐东芯股份 建议关注兆易创新 恒烁股份 佰维存储 江波龙 德明利等 [4]
存储芯片周度跟踪:CFM称大容量NAND供应或增加,DDR4高位横盘-20250630
甬兴证券· 2025-06-30 15:54
报告行业投资评级 - 电子行业投资评级为增持(维持) [7] 报告的核心观点 - NAND方面,CFM称部分原厂产能转向先进制程,预计2025年下半年1Tb NAND供应增加;上周22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至3.82%,平均涨跌幅为1.56%;未来原厂产能向大容量倾斜,国内厂商产能爬坡,市场竞争将加剧 [1] - DRAM方面,美光在1 - gamma DRAM技术节点进展显著,良率提升超1 - beta节点;上周18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.14%至24.70%,平均涨跌幅为9.19% [2] - HBM方面,AMD发布新AI芯片MI350系列,MI355X HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍 [3] - 市场端,LPDDR4X供应趋紧价格上调,渠道市场理性下DDR4内存条高位横盘 [4] 各部分总结 存储芯片周度价格跟踪 - 展示NAND、DRAM不同容量现货价格图表,资料来源于iFind和甬兴证券研究所 [14][18][20] 行业新闻 - 美光在1 - gamma DRAM技术节点进展显著,良率提升超1 - beta节点,该季度完成多项关键产品里程碑,将应用于整个DRAM产品组合 [2][28] - CFM称部分原厂NAND产能转向先进制程,2025年下半年单die 1Tb NAND供应增长,市场竞争将加剧;QLC NAND市场渗透率偏低,大容量出货压力大 [1][28] - AMD发布新AI芯片MI350系列,MI355X HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍,内存带宽基本持平,峰值FP64/FP32性能有2倍优势 [3][29] - LPDDR4X供应趋紧价格上调,渠道市场理性下DDR4内存条高位横盘,部分产品“有价无市”,渠道PCB板缺货,DDR4内存条交付期长 [4][30] 公司动态 - 兆易创新2025年一季度收入同比增长17.3%至19.09亿元,归母净利润同比增长14.6%至2.35亿元;DRAM利基型产品价格回升 [31] - 华海诚科主营环氧塑封料与电子胶黏剂,覆盖传统与先进封装领域 [31] 公司公告 - 2025年6月27日德明利14名激励对象的限制性股票解除限售,数量合计165,438股,占总股本0.1023%,7月1日上市流通 [34] - 2025年6月24日兆易创新以663,456,170股为基数,拟派发现金红利225,575,097.80元 [34] 投资建议 - 看好HBM产业链和半导体周期复苏主线 [5] - HBM产业链建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等 [5] - 存储芯片产业链推荐东芯股份,建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等 [5]