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深圳二代豪赌存储,6个月爆赚10亿
创业家· 2026-01-24 18:18
公司业绩与市场表现 - 公司预计2025年净利润为8.5-10亿元人民币,同比增长4-5倍,上半年尚亏损2亿多元,下半年实现强劲逆转[5][6] - 2025年第四季度预计净利润为8.2-9.7亿元,按上限计算平均日赚1054万元[13] - 公司市值在1月16日收盘时约为860亿元人民币[9] - 公司股价在1月14日收报145.9元/股,创上市以来新高[25] 行业周期与市场机遇 - 存储产品价格自2024年第三季度开始逐季下滑,于2025年第一季度触底,随后在第二季度开始回升,形成“U型”曲线,提振了销售收入和毛利率[14] - AI技术发展从三个层面拉升存储需求:AI推理、端侧AI和AI新兴应用[17] - 以海力士256G DDR5内存条为例,京东单价多在4.5万元以上,一盒100条总价高昂[15] - 在高端内存领域国产化率较低,2024年国产DRAM芯片市场份额低于5%,国产NAND Flash低于10%[28] 业务模式与产品布局 - 公司是全球少有的研发封测一体化存储提供商,也是全球唯一具备晶圆级封装能力的独立存储解决方案提供商[9][29] - 产品应用于具身智能领域,例如宇树科技的Go2智能机器狗使用了公司的LPDDR4X和eMMC存储产品[18] - 产品也广泛应用于手机、PC、智能穿戴等主流领域,客户包括联想、小米等知名品牌[18] - 公司运营自主品牌“佰维”,销售SSD和内存条,在2025年双十一期间,京东平台许多产品售罄或限购[19] - 公司判断AI眼镜是下一个时代入口,其存储产品能满足高带宽、低功耗、轻薄小型化等苛刻要求,2024年面向AI眼镜的收入约1.06亿元,预计2025年该部分收入增长超500%[31] 公司战略与发展历程 - 公司由董事长孙成思的父亲孙日欣在深圳创办,早期从事ODM代工,2008年投建封装测试工厂,奠定研发封测一体化基础[21] - 孙成思于2015年(27岁时)接任董事长,决定向产业链上游突围,做强封测能力,并全面拥抱AI[21][22] - 公司战略围绕四大支柱:丰富产品组合、持续研发投入、先进封装与智慧运营管理[22] - 公司于2022年登陆科创板,并于2025年底计划冲刺港股IPO,以实现A+H双重上市[25] - 公司高管团队年轻化,例如执行董事兼总经理何瀚比孙成思还小一岁,曾任职于中信证券[23] 产能扩张与资金状况 - 2025年,公司完成约19亿元定增,募资主要用于惠州基地扩产建设及晶圆级先进封测制造项目[32] - 资金主要用于引进设备生产轻薄小巧的大容量存储产品,以及扩充东莞生产基地的产能,该基地计划于2026年投产[33] - 截至2025年9月末,公司总负债84.68亿元,资产负债率达64.18%[26] - 2025年前三季度,公司经营活动现金流净流出14.83亿元[26]
南亚科技_亚太 DDR4 供需失衡将持续至 2027 年;增持
2026-01-21 10:58
涉及的行业与公司 * **公司**:南亚科技股份有限公司 (Nanya Technology Corp., 2408.TW) [1][5][6] * **行业**:半导体, 具体为DRAM(动态随机存取存储器)行业 [6][57] 核心观点与论据 * **核心投资论点**:DDR4供需失衡将持续至2027年,南亚科技为主要受益者,给予“增持”评级,目标价298新台币 [1][4][51][57] * **供需失衡论据**: * **需求强劲**:由AI及通用服务器需求驱动的DRAM上升周期将持续,支撑2026年强劲需求 [2] * **供给受限**:尽管2026年资本支出计划为新台币500亿元,但新产能(仅增加15-20千片/月)最早于2027年第四季度投产,DDR4/LPDDR4的供需失衡可能延续至2027年上半年 [2] * **主要厂商退出**:主要存储器厂商(如三星、SK海力士)正逐步退出DDR4市场,尽管因需求强劲而略有延迟,但短缺将持续至2026年第四季度 [57] * **短缺量化**:预计DDR4在2026年第三季度将出现2%的短缺,而2025年第二季度为12%的供应过剩 [58] * **公司战略与优势**: * **定价纪律**:尽管现货市场和同行可能采取更激进的定价策略,公司将保持纪律性,公平分配产能以惠及每位客户 [2] * **受益于短缺**:作为主要的DDR4供应商,公司将受益于供应驱动的上升周期,足以抵消中国大陆厂商长鑫存储(CXMT)带来的近期竞争影响 [4][51][56] * **技术进展**:DDR5收入占比已达百分之十几,128GB DDR5 RDIMM 5600/6400功能正常,单芯片达到7200速度;1C/D开发按计划进行,客户认证目标为2026年底/2027年 [3] * **新业务提前**:晶圆堆叠(WoW)和HBM的大规模生产时间从2026年下半年提前至2026年上半年,终端市场主要为AI、智能手机、PC和服务器 [3] * **财务表现与预测**: * **2025年第四季度业绩超预期**:每股收益为新台币3.58元,较市场预期高出46%;营收环比增长60%,同比增长358%;毛利率达49.0%,营业利润率达39.1% [41][42] * **2026年第一季度展望**:预计营收为新台币376.46亿元,环比增长25%,同比增长424%;预计毛利率为53.7%,营业利润率为42.2% [43] * **盈利预测调整**:下调2026年每股收益预测46%至新台币29.87元,以反映公司更纪律性的客户策略;上调2027年每股收益预测27%至新台币56.40元,因预计涨价将持续至2027年 [44][45] * **折旧费用**:由于大部分设备已折旧,预计2026年折旧费用同比下降10% [3] * **估值依据**: * **目标价**:维持新台币298元,基于3.5倍/2.1倍2026年/2027年预期每股账面价值 [4][47][51] * **估值合理性**:鉴于公司处于存储器超级周期且是DDR4短缺的主要受益者,该估值倍数(高于2015年以来的平均水平)是合理的,且得到2026年/2027年预期43%/50%的净资产收益率支撑 [4][47] * **价格趋势数据**: * **DDR4价格预期强劲**:TrendForce预计,2026年第一季度DDR4合约价环比上涨45-50%,PC DDR4环比上涨80-85%,服务器DDR4环比上涨62.5% [23][26][28] * **现货溢价高企**:截至2026年1月19日,DDR4现货溢价达91%,DDR4 8Gb和16Gb的现货溢价分别为163%和221% [32][34][35] * **库存下降**:DRAM供应商、主要模组厂、服务器和PC OEM的库存正在缩减 [29][30] 其他重要内容 * **近期催化剂**:月度销售收入、月度披露的盈利数据、以及DRAM厂商和模组厂即将召开的2025年第四季度财报电话会议,这些会议将发布包括DDR4供应动态在内的市场展望 [48] * **风险因素**: * **上行风险**:专业DRAM定价走强、月度销售势头、同业发布的行业展望积极、供应更纪律及需求更强带动DRAM价格持续、1a/1b纳米制程进展快于预期 [67] * **下行风险**:1a/1b纳米制程进展慢于预期、4K2K电视和智能机顶盒对专业DRAM需求减少 [67] * **地域收入分布**:公司收入主要来自中国大陆(40-50%)及除日本、中国大陆和印度外的亚太地区(40-50%) [64][65] * **共识评级分布**:摩根士丹利给予“增持”评级,市场共识评级中73%为“增持”,20%为“持有”,7%为“减持” [59][60]
闪德资讯存储市场洞察报告 2025年7月
闪德资讯· 2026-01-20 16:45
报告行业投资评级 * 报告未明确给出统一的行业投资评级,但通过对各细分市场的分析,整体呈现谨慎乐观态度,认为市场处于去库存、结构改善和AI驱动的转型期 [6] 报告核心观点 * 宏观经济承压但出口结构改善,全球制造业PMI多数处于收缩区间,中国电子类产品出口连续增长且向高附加值倾斜 [6] * 存储行业上游呈现结构性紧张与分化,DDR4产能集中导致供应紧张,NAND Flash低容量颗粒因原厂减产而紧缺,BT载板等材料短缺加剧供应链压力 [6][29][35][59] * 现货市场经历6月暴涨后于7月震荡回调,DRAM价格回落,NAND价格持稳,消费级市场进入淡季,各方观望情绪浓厚 [6][67][83] * AI是核心驱动力,推动HBM、DDR5、LPDDR5X等高性能内存需求,并带动AI服务器与AI PC的增长,而低端消费电子市场则面临成本与断供挑战 [6][31][34][44] 宏观经济 * **全球制造业PMI多数收缩**:欧元区7月制造业PMI为49.8,仍处收缩区间但为2022年7月以来最慢收缩速度 [7];美国7月ISM制造业PMI降至48,连续第五个月萎缩 [8];韩国7月制造业PMI降至48,连续第六个月下降 [11];日本7月制造业PMI意外降至48.8,13个月来首次跌破荣枯线 [15];中国7月制造业PMI为49.3%,比上月下降0.4个百分点 [17] * **中国电子进出口回暖且结构优化**:6月中国中央处理部件出口353万台,环比增10.6%;存储部件出口1813万台,环比增15.6%;笔记本电脑出口1279万台,环比增26%;平板电脑出口980万台,环比增3.7% [22] * **韩国出口受半导体驱动增长**:7月韩国出口额达608.2亿美元,同比增长5.9%,其中半导体出口同比增长约31% [28] 上游市场:DRAM * **DDR4供应集中,南亚科成主力**:随着三大原厂逐步停产DDR4,南亚科成为8GB DDR4主流容量最大供应商,月产能约5万至10万片,掌握价格话语权 [29][31];华邦电预计10月开始供应8GB DDR4,但月产能仅2000至5000片,规模较小 [31] * **DDR5渗透率快速提升**:2025年第二季度PC市场中DDR5渗透率已达60%,预计第三季度将达75%以上,在高端消费级和服务器市场甚至达到90% [32] * **应用市场分化明显**:服务器市场已基本完成向DDR5切换,但工控、电视、网通等领域因升级成本高,仍大量使用DDR3/DDR4 [31][32] * **LPDDR4X供应紧缩,价格持续上涨**:原厂减少旧世代产品生产,导致LPDDR4X供应紧张,合约价攀升,预计涨势持续至明年年初,给中低端智能手机带来成本压力 [33][34][35] 上游市场:NAND Flash * **第三季涨价确定,低容量涨幅显著**:业界预测第三季NAND Flash涨价,其中512Gb以下产品预估涨幅超过15%,1Tb以上高容量产品涨幅在5%至10%之间 [35];256Gb、512Gb与1Tb TLC Flash Wafer价格已分别上涨至每片2.8美元、3.05美元与5.60美元 [35] * **低容量紧缺原因多重**:利润偏低导致原厂首选减产、中低容量应用需求稳定、制程转向高容量QLC、渠道库存水位低、前期跌幅大提供反弹空间 [35][36] * **市场进入量缩价扬格局**:原厂通过产能管控成功推升价格,供应紧张态势预计延续至2025年下半年甚至2026年 [36] 上游市场:原厂动态 * **三星电子**:第二季度营业利润4.7万亿韩元,同比下降55.23% [39];内存业务积极扩大HBM3E和大容量DDR5销售 [39];计划2026年3月开始建设V10 NAND闪存生产线,商业化400层NAND [38];成功突破1c DRAM制程良率门槛,计划导入HBM4 [39] * **SK海力士**:第二季度营业利润9.2129万亿韩元,营业利润率41% [43];DRAM出货量环比增长约20%,NAND出货量增长超过70% [43];利川M16工厂月均晶圆投入量达17万片,较去年同期增长约70% [41];加速M15X工厂建设,预计2027年达产 [43] * **美光科技**:正在交货全球首款采用1γ制程的LPDDR5X内存产品 [37];预计为三星Galaxy S25系列供应60%的LPDDR5X DRAM [37] * **国产存储进展**:长鑫存储DRAM月产能约为20万片,计划年底提升至约25万片,受美国制裁影响产能扩张低于预期 [49];长江存储(YMTC)正建设全国产设备生产线,目标月产能20万片,并设定了2026年底全球NAND市场份额15%的目标 [50] 上游市场:供应链(晶圆代工、主控、PCB) * **成熟制程晶圆代工需求疲软**:受终端应用复苏不如预期影响,IC设计企业大幅削减成熟制程投片量,第三季投片量比第二季锐减二至三成,联电、世界先进、力积电等厂商产能利用率下滑,面临毛利率压力 [51] * **存储主控芯片需求回暖**:慧荣科技第二季度营收1.98亿美元,季增19%,其中PCIe Gen5 SSD控制芯片营收季增逾75% [55];慧荣推出采用4nm工艺的MonTitan SM8466 PCIe Gen6 SSD控制器 [54] * **BT载板严重缺货涨价,传导至封装环节**:BT载板因原料高阶玻纤布供应排挤而严重缺货,价格已调涨1至2成 [59][60];封装厂因成本压力通知客户BGA封装价格上调至少1成 [60];BT载板成本在BGA封装中占比达3成以上 [60] 国内现货市场 * **DRAM市场震荡回调**:7月内存现货价格从6月暴涨后回落,DDR4单周最大跌幅达11% [83];市场进入分化走势,DDR4价格小幅下滑,DDR5价格因供应趋紧而缓涨 [83] * **NAND Flash市场量缩价扬**:Flash颗粒市场呈现“低容量收紧,高容量稳定”走势,现货市场库存见底 [72];SSD市场变化不大,品牌SSD低容量产品偶有上涨,高容量缓跌,渠道商备货谨慎 [79] * **USB/TF卡市场进入淡季**:7月需求平淡,价格平稳,交易以刚需为主,业者普遍观望 [91] * **市场趋势展望**:消费级存储产品朝大容量发展,DDR5凭借供应稳定优势加快渗透 [94];供应链库存水位普遍较低,短期内价格难以下跌,但需求博弈下将维持震荡 [95];行业面临洗牌,资本化运作和交易规范化趋势明显 [95] 应用市场 * **PC市场**:上半年出货超预期,但受关税影响,下半年预期趋缓 [6];美国市场因关税扰动,第一季度出货年增14.7%,但预计下半年进入库存去化 [105];AI PC成为新增长点,带动高性能内存和SSD需求 [6][63] * **服务器市场**:AI服务器是核心增长点,带动HBM、高容量DDR5等高性能内存需求 [6][44];NVIDIA计划2025年生产60万至80万块新型SOCAMM内存用于AI产品 [109] * **智能手机市场**:2025年第二季度全球智能手机出货量仅年增1%,需求疲软 [111];低端产品受LPDDR4X断供影响,面临成本与技术迁移挑战 [6][34];中国市场第二季度出货量年减1%,拖累整体表现 [111]
长鑫存储,未来已来
新财富· 2026-01-20 16:06
公司背景与市场地位 - 公司是中国规模最大、技术最先进的DRAM制造商,于2016年在安徽合肥成立,计划于2026年以“中国DRAM第一股”身份登陆科创板,拟募资295亿元 [2] - 公司预计2025年实现营收550亿元至580亿元,较2024年增长约128%至140%,净利润预计首次转正,为20亿元至35亿元 [2] - 全球DRAM市场长期由三星、SK海力士和美光三家垄断,合计市场份额超过90% [2] - 到2026年,公司全球DRAM市场份额预计将逐步上升至10%,推动市场形成“三星、SK海力士、美光、长鑫”四强格局 [29] 发展历程与关键策略 - 公司诞生是创始人朱一明与合肥市政府历史性合作的结果,合肥国资以战略投资者身份承担了创业初期的资金压力,并撬动了国家集成电路产业投资基金等资本入局 [4] - 公司自成立起就明确聚焦DRAM、采用IDM模式、对标国际主流、建设12英寸晶圆厂的战略路径 [5] - 2018年,公司通过商业与法律操作,获得了已破产的德国芯片巨头奇梦达(Qimonda)的2.8TB技术文件和约20000份专利(含5000份以上美国专利),以此为基础进行自主创新 [9] - 公司采取了跨代研发策略,跳过早期技术代次,直接瞄准当时市场主流的19nm工艺平台进行攻坚 [9] - 2019年,公司采用19nm工艺的8GB DDR4芯片正式量产,月产能达到2万片,标志着中国企业在主流DRAM产品上实现历史性突破 [9][10] 技术进展与产能扩张 - 在实现19nm量产后,公司向17nm节点发起冲击,攻克了HKMG技术与DRAM复杂结构兼容的难题 [12] - 公司在DDR5产品上直接跳过17nm,采用了更先进的16nm工艺,并于2024年实现DDR5量产 [12][16] - 公司计划在2026年开始全面量产HBM3产品,预计月产能至少达5万片 [16] - 公司月产能从2020年的4.5万片晶圆,攀升至2021年的8.5万片、2022年的12万片,产能利用率从2022年的86%提升至2025年上半年的95% [12] - 公司在北京投建新DRAM项目,形成两地三座12英寸晶圆厂格局,预计到2026年,合肥工厂月产能将至少达18万片,北京工厂至少12万片,总月产能将突破30万片 [13] 市场拓展与客户结构 - 公司采取灵活务实的发展策略,先从消费电子(尤其是智能手机)切入,再向服务器领域拓展 [13] - 公司的LPDDR4X等产品成功打入小米、荣耀等国内一线手机品牌供应链 [14] - 2025年,公司全球市场份额已接近5%,主要客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想及各大主流手机品牌 [14] - 从产品结构看,LPDDR系列(主要用于移动设备)长期占据营收大头,2022年至2024年,该系列营收从64亿元飙升至198亿元,两年增长三倍 [26][27] - 2025年上半年,主要用于服务器的DDR系列营收已超过2024年全年,营收占比从2024年的13%快速拉升至28%,显示业务重心正快速向数据中心市场倾斜 [26][27] 财务表现与IPO募资 - 公司营收从2022年的81亿元增长至2024年的239亿元,复合年均增长率超过70% [23] - 截至IPO前,公司累计亏损高达415亿元,主要源于巨额固定资产折旧和高强度研发投入 [23] - 2022年至2025年间,公司累计研发投入达190亿元,占累计营收比例超过33% [23] - 2025年上半年研发费用率达23.7%,高于行业平均值的10.4%及三星、SK海力士、美光同期的11.7%、7.4%、10.7% [23] - 2025年前三季度,公司营收达321亿元,同比暴增98%,第三季度毛利率回升至35%,并首次实现扣非后季度盈利 [24] - 公司IPO拟募资295亿元,将投向三个项目:存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目(投资75亿元)、DRAM存储器技术升级项目(投资180亿元)、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目(投资90亿元),总投资计划345亿元 [20][22] 产业链合作与国产化 - 公司与兆易创新通过“兆易创新设计+长鑫制造”的模式实现优势互补,兆易创新为长鑫提供稳定的产品出口和技术验证,长鑫为兆易创新提供可靠的产能保障和工艺协同开发 [29] - 兆易创新将持有公司约1.62%股权,且兆易创新董事长朱一明同时担任公司董事长,确保战略高度统一 [29] - 2026年,公司设备国产化率已达近40%,部分环节如刻蚀设备的国产化率超过50% [29]
长鑫科技IPO:计划募资金额为科创板历史第一 半年估值实现翻倍 PS法核算估值或超7000亿
新浪财经· 2026-01-08 15:51
文章核心观点 - 长鑫科技于2025年12月30日申报科创板IPO获受理,其上市在制度创新、融资规模及标的稀缺性方面具有划时代意义 [1][11] IPO制度创新 - 公司成为科创板第一家采用IPO预先审阅机制申报上市的公司,该机制于2025年6月由证监会推出,旨在减少上市“曝光”时间以规避竞争风险 [1][11] - 在该制度下,上交所在受理招股书同一日便同步披露了两轮预先审阅问询与回复,极大缩短了正式受理后的审核周期 [1][11] 融资规模与历史地位 - 公司此次上市拟募资295亿元(扣除发行费用后),计划募资金额在科创板历史上位列第一 [1][11] - 募资用途具体为:75亿元用于晶圆产线改造升级、130亿元用于DRAM技术升级、90亿元用于前瞻技术研发 [1][11] - 科创板此前计划募资金额最高的为中芯国际,为207.15亿元(包含发行费用),远低于长鑫科技此次拟募资总额 [2][11] - 中芯国际上市时曾实现巨额超募,最终实际募资532.30亿元,但该案例在科创板较为罕见 [2][12] - 科创板IPO融资额TOP10企业中有7家为半导体企业,其中华虹公司、晶合集成、海光信息等均实现超募,但超募金额均未超过20亿元 [2][12] - 若长鑫科技最终实际募资金额未远超计划金额,则其实际募资额可能位列科创板历史第二位 [2][13] 标的稀缺性与市场定位 - 公司上市将为资本市场带来稀缺的通用DRAM优质标的,弥补了A股市场缺乏世界级通用DRAM龙头的空白 [3][14] - 随着半导体自主可控战略深入,A股在逻辑芯片、传感器、半导体设备等领域已有优质标的,但存储芯片领域仍以兆易创新、佰维存储等利基或中小型DRAM厂商为主 [3][14] 公司发展历程与竞争优势 - 公司成立于2016年,通过从加拿大知识产权公司WiLAN手中收购大量奇梦达DRAM专利进入市场 [5][16] - 公司生产的DDR4、LPDDR4、LPDDR4X等产品价格比国际巨头低10%-15% [5][16] - 公司的成本优势倒逼了DRAM技术迭代,三星、海力士等国际巨头已明确通知将停止生产DDR4,加速向高端存储器结构调整 [5][16] - 公司已推出DDR5产品,选择与国际巨头在高端市场正面竞争 [5][16] 近期财务与经营表现 - 2025年前三季度,公司录得营收320.84亿元,同比增长97.79%,营收已超过2024年全年 [5][16] - 2025年前三季度,公司归母净利润亏损52.80亿元,仍未扭亏 [5][16] - 公司毛利率呈现优化趋势:2024年毛利率首次转正,为5.58%;2025年上半年毛利率提升至13.00% [5][16] 未来盈利优化驱动力 - **DDR系列产品占比提升**:DDR芯片多用于服务器、个人电脑,毛利率比主要用于智能手机、平板电脑的LPDDR产品高出约1个百分点 [6][17] - 报告期内公司LPDDR系列产品营收贡献常年在70%以上 [6][18] - 随着消费电子需求增速趋缓及AI服务器需求放量,公司DDR系列产品营收达到新高 [6][18] - 2025年上半年,公司DDR产品营收为42.3548亿元,已超过2024年全年,占总营收比例达到27.82%,较2024年全年实现翻倍 [6][18][19] - **产品向高端型号迭代**:公司于2024年停止生产DDR4产品,LPDDR5、DDR5、LPDDR5X产品已分别于2023年、2024年、2025年上半年实现量产 [7][19] - **市占率提升摊匀固定成本**:公司采用IDM模式,伴随巨额折旧 [8][20] - 截至2025年上半年,公司在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,固定资产总额1716亿元 [8][20] - 2024年、2025年上半年固定资产折旧分别为149亿元、113亿元,该数额占到同期营收的一半以上 [8][20] - 公司表示,若产能爬坡顺利且产品平均价格维持在略低于2025年9月实际均价水平,则2026年有望实现盈利 [8][20] 估值分析 - 此次IPO拟募资295亿元,占发行后总股本比例不低于10%,对应拟发行后估值约2950亿元,较2025年6月最近一次融资估值已实现翻倍 [8][20] - 采用市场法估值,可比公司市销率PS多在10-20区间,去除三星电子和华润微极端值后,平均市销率为15.32 [9][21] - 若公司2025年营收全年增速等同于前三季度增速(98%),则全年营收推算约为478亿元 [9][21] - 按平均市销率15.32估算,对应总市值约为7325亿元 [9][21][22] - 截至目前,科创板市值最高的上市公司为中芯国际,市值约10400亿元,其次是寒武纪,市值约5900亿元 [10][24]
大为股份:公司积极推进LPDDR5认证与试产工作
新浪财经· 2026-01-07 12:01
公司产品与技术布局 - 大为股份全资子公司大为创芯的DRAM产品线覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X及DDR5 [1] - 大为创芯的Nand Flash产品线包括eMMC和BGA NAND Flash [1] - 公司产品广泛应用于多个领域 [1] 公司研发与业务进展 - 公司正积极推进LPDDR5的认证与试产工作 [1] - 公司正在开展高性能存储芯片产品及解决方案的研发 [1] - 相关研发工作旨在为后续业务发展奠定基础 [1]
TrendForce集邦咨询:预计2026年第一季度各类存储器产品价格全面持续上涨
智通财经· 2026-01-05 17:23
2026年第一季度存储芯片市场展望 - 预计2026年第一季度,整体DRAM合约价将季增55%至60%,其中HBM(高带宽存储器)价格季增50%至55% [1] - 预计2026年第一季度,整体NAND Flash合约价将季增33%至38% [1] DRAM市场动态 - 尽管PC整机出货下修,但原厂收紧供应,导致PC OEM需向模组厂高价采购,预计将大幅推升PC DRAM价格 [2] - AI推理带动服务器建设,美系云端服务业者持续提前拉货或追加Server DRAM需求,加剧供不应求,预计第一季度Server DRAM价格季增逾60% [3] - 手机品牌在淡季维持较强拉货力道,LPDDR4X与LPDDR5X供不应求且资源分配不均,价格走强 [3] - 尽管Graphics DRAM需求动能转趋保守,但其产能受DDR5排挤,供应偏紧带动价格上涨 [3] - Consumer DRAM客户愿以较高价格换取优先供应,但供给仍低于需求,支撑价格上涨 [3] NAND Flash市场动态 - 预计2026年Enterprise SSD(企业级SSD)需求将首度超越手机应用,成为NAND Flash最大应用 [4] - 尽管Client SSD(客户端SSD)需求受笔电出货季减及部分SSD容量降级影响,但因供给受数据中心SSD排挤,预计第一季度合约价仍将季增至少40%,涨幅为各类NAND Flash产品之最 [4] - 北美云端服务业者加码AI基础建设,带动Enterprise SSD需求,但供应商因产能有限采取控制出货策略,供给紧缩推升价格 [4] - eMMC/UFS需求因手机出货季减而疲弱,但原厂产能占比缩减导致整体供不应求 [5] - NAND Flash Wafer因消费市场低迷需求走弱,但原厂优先保障高毛利产品线,压缩对模组厂供应,价格持续上涨 [5]
长鑫科技科创板IPO获受理,拟募资295亿
搜狐财经· 2026-01-03 09:58
IPO发行概况 - 公司计划发售不超过106.22亿股新股,募集资金总额高达295亿元人民币 [2] 上市进程与制度意义 - 此次IPO是科创板试点IPO预先审阅机制实行后的首单获受理项目,具有特殊意义 [3] - 公司已完成两轮预先审阅,分别在2025年11月5日和11月19日收到问询,并在正式申报时同步披露了预审问询回复 [5] - 预先审阅机制旨在减少上市“曝光”时间,保护企业敏感信息,提高申报文件质量,压缩审核周期 [3][5] 公司行业地位与业务 - 公司是中国第一、全球第四的DRAM厂商 [6][9] - 公司成立于2016年,专注于DRAM设计、研发、生产和销售,采取“跳代研发”策略,已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产 [6] - 产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流系列,广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等领域 [6][7][8] 财务与增长表现 - 2022年至2024年,公司主营业务收入复合增长率达72.04% [9] - 2025年前九个月营收超320亿元 [9] - 2022年至2025年9月,公司累计营收达736.36亿元,其中2024年营收239.29亿元,2025年上半年营收152.24亿元 [9] - 2025年一季度营收突破10亿美元大关 [9] 研发投入 - 2022年至2025年上半年,公司累计研发投入为188.67亿元,占累计营业收入的33.11% [11] - 2025年上半年,研发费用率达23.71%,明显高于国际DRAM巨头三星电子、SK海力士、美光同期的研发费用率 [11] 募集资金用途 - 募集资金295亿元将主要用于三个项目:存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目(投资75亿元)、DRAM存储器技术升级项目(投资130亿元)、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目(投资90亿元) [12][13] 股东结构与管理层 - 合肥清辉集电企业管理合伙企业持股21.67%为第一大股东,公司无控股股东 [14][15] - 股东阵容强大,包括大基金二期、安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等 [14] - 董事长朱一明合计持股比例为2.67%,其同时是A股上市公司兆易创新的董事长 [15] 市场前景与产能规划 - 市场分析机构Counterpoint预测,公司在2024年大幅增产基础上,2025年有望实现近50%的产能增长 [16] - 预计到2025年末,公司按比特出货量计市占率将从一季度的6%提升到8% [16] - 预计到2025年末,公司DDR5市场份额将从一季度的1%左右提升到7%,LPDDR5市场份额将从1%左右提升到9% [16] 产品收入结构 - 2025年1-6月,LPDDR系列产品收入为106.17亿元,占总收入的69.74%;DDR系列产品收入为42.35亿元,占总收入的27.82% [17] - 2024年度,LPDDR系列产品收入为197.98亿元,占总收入的82.74%;DDR系列产品收入为31.74亿元,占总收入的13.26% [17]
科创板第二大,芯片巨头冲IPO
搜狐财经· 2026-01-01 08:00
公司IPO进程与募资用途 - 国产DRAM龙头长鑫科技IPO于12月30日获受理,是科创板首单获受理的“预先审阅”项目,监管层已于2025年11月5日及11月19日发出两轮预先审阅问询 [1] - 公司本次IPO拟募资295亿元,有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO,仅次于中芯国际的532.3亿元,并有望成为A股存储芯片第一股 [1] - 募集资金中,130亿元用于长鑫存储二期晶圆制造项目,90亿元用于下一代DRAM前瞻技术研究与开发项目,75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目 [1] 公司基本情况与股权结构 - 公司成立于2016年6月,总部位于安徽合肥,采用IDM模式,集芯片设计、制造、封装测试及销售于一体,创始人朱一明亦是兆易创新创始人 [1] - 公司目前无控股股东和实际控制人,股权结构分散,第一大股东清辉集电持股21.67%,第二大股东长鑫集成持股11.71% [2] - 其他主要股东包括国家集成电路产业投资基金二期持股8.73%、合肥集鑫持股8.37%、安徽省投持股7.91%,阿里、腾讯、小米产投等也位列股东行列 [2] 产品技术与研发进展 - 公司采取“跳代研发”策略,已连续推出四代工艺技术平台,产品覆盖从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X [2] - 公司发布的LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps,较上一代提升66%,首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps [2] - 产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑及智能汽车等领域 [2] 市场地位与产能情况 - 按2024年产能和出货量计算,公司是中国第一、全球第四的DRAM厂商,2025年第二季度全球市场份额增至3.97% [3] - 全球DRAM市场前三巨头为三星电子、SK海力士和美光科技,2024年市场占有率分别为40.35%、33.19%和20.73%,合计占全球90%以上份额 [3] - 公司在合肥、北京共有3座12英寸DRAM晶圆厂,各期产能利用率分别为85.45%、87.06%、92.46%和94.63% [3] - 主要DRAM产品按容量口径统计的产销率分别为98.29%、99.45%、97.94%和89.30% [3] 财务表现与业绩预测 - 公司营收呈现爆发式增长,2022年至2024年营业收入分别为82.87亿元、90.87亿元和241.78亿元,年均复合增长率高达70.81% [3] - 受行业重资产投入及周期下行影响,公司报告期内尚未盈利,2022年至2024年归母净亏损分别为83.28亿元、163.40亿元和71.45亿元 [4] - 2023年亏损扩大主要因行业深度下行周期导致DRAM产品价格大幅下滑及存货跌价损失计提增加 [4] - 受益于市场回暖、产品价格上涨及产能提升,公司2025年1-9月营收达320.84亿元,同比增长97.79% [4] - 公司预计2025年度实现营业收入550亿元至580亿元,同比增长127.48%至139.89%,预计净利润将扭亏为盈,达到20亿元至35亿元 [4] 行业环境与公司战略 - 全球DRAM市场正处于从传统DDR4向DDR5及HBM转型的关键时期 [5] - 公司面临国际贸易摩擦加剧的外部环境,美国政府限制中国企业获取制造18纳米及以下制程DRAM所需设备 [4] - 公司将利用募投项目加速本土及新型设备、材料的验证开发,以构筑更具韧性的供应链体系 [4] - 募资将重点用于先进制程升级和产能建设,“DRAM存储器技术升级项目”旨在将工艺技术平台提升至更新一代,生产更高性能、更低功耗的产品 [5] - 在AI大模型爆发背景下,尽管公司在HBM等高端领域尚未披露相关信息,但其DRAM产品已切入主流市场 [5] - 随着国产化替代加速和AI算力需求增长,国产存储厂商被认为将在未来数年内迎来关键市场窗口期 [5]
科创板第二大,芯片巨头冲IPO
DT新材料· 2026-01-01 06:06
公司IPO与募资 - 国产DRAM龙头长鑫科技IPO获受理,是科创板首单获受理的“预先审阅”项目 [1] - 公司拟募资295亿元,有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO,仅次于中芯国际的532.3亿元 [1] - 募集资金用途:130亿元用于长鑫存储二期晶圆制造项目,90亿元用于下一代DRAM前瞻技术研究与开发项目,75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目 [1] 公司业务与模式 - 公司采用IDM(垂直整合制造)模式,集芯片设计、制造、封装测试及销售于一体,不同于Fabless轻资产模式 [2] - 公司成立于2016年6月,总部位于安徽合肥,创始人为兆易创新创始人朱一明 [2] - 公司无控股股东和实际控制人,股权结构分散,前十大股东多为国资背景或产业基金,第一大股东清辉集电持股21.67% [2] - 股东包括国家集成电路产业投资基金二期(持股8.73%)、阿里、腾讯、招银国际、小米产投等 [2] 产品技术与市场地位 - 公司采取“跳代研发”策略,连续推出四代工艺技术平台,产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X [3] - LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps,较上一代提升66%;首款国产DDR5产品速率达8000Mbps [3] - 按2024年产能和出货量计算,公司是中国第一、全球第四的DRAM厂商 [3] - 2025年第二季度,公司全球市场份额增至3.97% [3] - 全球DRAM市场前三巨头为三星电子(2024年市占率40.35%)、SK海力士(33.19%)和美光科技(20.73%),合计占全球90%以上份额 [3] 产能与运营数据 - 公司在合肥、北京共有3座12英寸DRAM晶圆厂 [4] - 各期产能利用率分别为85.45%、87.06%、92.46%和94.63% [4] - 主要DRAM产品按容量口径统计的产销率分别为98.29%、99.45%、97.94%和89.30% [4] - 2022年至2024年,公司营业收入分别为82.87亿元、90.87亿元和241.78亿元,年均复合增长率高达70.81% [4] 财务表现与行业周期 - 受行业重资产投入及周期下行影响,公司报告期内尚未盈利:2022年至2024年归母净亏损分别为83.28亿元、163.40亿元和71.45亿元 [5] - 2023年亏损扩大主要因行业深度下行周期导致DRAM产品价格大幅下滑及存货跌价损失计提增加 [5] - 2025年市场回暖,1-9月营收达320.84亿元,同比增长97.79% [5] - 预计2025年度营业收入为550亿元至580亿元,同比增长127.48%至139.89% [5] - 预计2025年度净利润将扭亏为盈,达到20亿元至35亿元 [5] 行业趋势与公司战略 - 全球DRAM市场正处于从DDR4向DDR5及HBM(高带宽内存)转型关键时期 [6] - 募投项目将用于先进制程升级和产能建设,通过技术改造提升工艺技术平台,生产更高性能、更低功耗的产品 [6] - 存储芯片标准化程度高、周期性强,AI大模型爆发带来算力需求增长 [7] - 随着国产化替代进程加速和AI算力需求增长,国产存储厂商将在未来数年内迎来关键市场窗口期 [7] - 公司面临国际贸易摩擦加剧的外部环境,美国管制限制获取18纳米及以下制程DRAM所需设备 [5] - 公司将利用募投项目加速本土及新型设备、材料的验证开发,以构筑更具韧性的供应链体系 [5]