DRAM市场趋势 - 行业整体现货价格维持强势上涨趋势 尽管年底工厂盘点和部分获利了结行为使采购力度略有收敛 [1][2] - DDR4价格涨幅显著高于DDR5 且三星公司明确表示不会推迟其DDR4产品生命周期结束计划 [1][2] - DDR4供应量预计在2026年将快速下降 这将推动其每Gb价格达到最高水平 [1][2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s现货价格在12月24日至30日当周上涨6.80% 单价从22.235美元上涨至23.746美元 [2] NAND Flash市场趋势 - 在2026年第一季度合约价格预计上调的预期影响下 NAND Flash现货市场价格进一步走高 [1][5] - 由于当前现货价格明显偏高、消费类需求不佳以及临近中国春节假期等因素 部分买家采取观望态度 导致市场交易量有限 [5] - 现货商基于对后续价格走势的乐观判断 没有选择降价出货 进一步导致市场成交量平淡 [5] - 512Gb TLC wafer现货价格在12月24日至30日当周大幅上涨13.35% 单价达到13.055美元 [5]

存储现货市场价格趋势 - 根据TrendForce集邦咨询报告，DDR4、DDR5内存及相关模组价格持续攀升，但涨幅较先前略有放缓 [2] - 整体DRAM现货价格未见疲软迹象 [2][4] - NAND闪存现货市场在合约价格上涨预期下呈现看涨情绪 [2][5] DRAM市场动态 - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周（12/17-12/23）价格上涨9.52%，从US$1.986上涨至US$2.175 [4] - 市占最大的模组厂金士顿（Kingston）本周大幅调涨DRAM报价 [4] - 价格上涨并非缺货现象舒缓，更倾向为部分中间交易商为年底结算而释出较多库存的短期现象 [2] NAND市场动态 - 在合约价格看涨预期下，部分现货供应商采取惜售策略，延后释出库存，导致市场可流通货源收紧 [5] - 本周（12/17-12/23）512Gb TLC wafer现货价格上涨19.73%，单价达到US$11.517 [5] - 晶圆现货价格持续攀升，上行压力仍然存在 [5]