AI浪潮驱动存储芯片需求与扩产 - AI服务器对DRAM（内存）的需求是普通服务器的8倍，对NAND（闪存）的需求是普通服务器的3倍，驱动对HBM和DDR5等高带宽、高密度存储产品的需求[1] - 国内DRAM龙头长鑫科技于今年10月完成上市辅导，NAND龙头长江存储于今年9月5日成立三期项目，预示国产存储芯片项目加速扩产在即[1] 3D堆叠技术成为存储芯片核心趋势 - 存储芯片的3D化是当前半导体行业最核心、最确定的技术趋势之一，是延续摩尔定律、提升存储性能与容量的关键手段[2] - 3D NAND通过将存储单元垂直堆叠，在不追求极小制程的情况下通过增加层数来大幅提升密度和容量[2] - HBM将多个DRAM芯片通过硅通孔和微凸块技术垂直堆叠，并与逻辑芯片通过中介层并列封装（2.5D封装），随着堆叠层数增加，内存带宽呈指数级增长[2] 无损检测技术为先进封装良率保驾护航 - 在3D堆叠工艺中，芯片之间的界面和内部连接点（如硅通孔、微凸点）完全被遮挡，无法被直接识别，良率稳定性至关重要[2] - 以超声波、X光为代表的无损检测方式为产品良率保驾护航，X光主要检测内部三维结构形态（如TSV、微凸点），超声波主要检测界面粘贴完整性（如分层或空洞），两者均为在线检测[2] 重点公司技术进展与市场机会 - 骄成超声自主研发的晶圆级超声波扫描显微镜主要用于半导体封测环节，可对半导体晶圆、2.5D/3D封装等产品进行无损检测，已取得国内知名客户订单并陆续交付[3] - 随着设备技术指标持续优化，骄成超声的超声波扫描显微镜有望在半导体封测领域释放更大价值，该市场目前主要由德国PVA公司、美国Sonoscan公司等占据多数份额[3] - 日联科技近期发布开放式射线源，通过控制电子束观察芯片内部深层缺陷，成为支撑半导体制造业向更小、更复杂、更集成方向发展的关键质控工具[3]

文章核心观点 - AI浪潮驱动存储芯片需求爆发，导致全球性短缺并引发涨价，国际原厂将资本开支倾斜于HBM等高端产品，使得传统存储供需缺口预计持续至2026年 [3][5][7] - 存储短缺催生了国内厂商的扩产预期，半导体设备作为扩产前置环节率先受益，设备国产化浪潮在资本市场掀起波澜 [3][6] - 国产半导体设备商三季度业绩表现亮眼，营收、净利润高速增长，存货与合同负债指标持续攀升，显示订单饱满，技术已在刻蚀、薄膜沉积等关键工艺取得突破 [8][9][10] 存储短缺催生扩产预期 - 存储芯片本轮上行周期由AI服务器、多模态应用等需求爆发带动，导致缺货涨价 [5] - 10月各存储型号价格加速上涨，环比涨幅从40%至100%不等，11月涨价势头未减，全球龙头闪迪宣布NAND闪存合约价格大幅上调50% [6] - 国际原厂将产能转向高阶服务器DRAM和HBM，退出低端市场，挤压了手机、PC等消费电子产能，造成结构性缺货 [6] - 市场共识认为AI带来的存储缺货将持续，招商证券研报指出2026年上半年存储行业供需缺口或将进一步扩大，价格涨势有望延续 [7] 国产设备三季报亮眼 - 半导体中信成份板块2025年前三季度实现营业收入总和852.07亿元，同比增长31.54%，归母净利润总和120.55亿元，同比增长32.63% [8] - 多家设备公司实现高速增长：拓荆科技前三季度营收42.2亿元同比增长85.27%，净利润5.57亿元增幅达105.14%；中微公司营收80.63亿元同比增长46.4%，净利润12.11亿元增长32.66%；长川科技归母净利润同比增幅高达142.14% [8] - 存货指标显示订单饱满：北方华创存货为301.99亿元，较年初增长近80亿元；中微公司存货达81.94亿元，拓荆科技为80.69亿元，均较年初增长逾10亿元 [8] - 合同负债指标预示高能见度：拓荆科技、北方华创、中微公司三季度末合同负债金额均超过40亿元，其中拓荆科技合同负债较年初增长19.1亿元或64% [9] 设备技术突破与市场需求 - 存储芯片制造是半导体工艺的皇冠，其扩产将显著带动刻蚀与薄膜沉积两大类核心设备的需求 [9] - 北方华创今年上半年迎来立式炉、物理气相沉积装备的第1000台整机交付里程碑，并发布离子注入设备、电镀设备等新产品 [10] - 中微公司前三季度刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长约38.26%，其超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产，新开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [10]