台积电美国工厂布局与工艺升级 - 台积电将2nm及1 6nm工艺（A16）从本土转移至美国生产 标志着核心技术外流[2][3] - 美国亚利桑那州第一座晶圆厂已投产4nm工艺 AMD等客户确认采用 成本较本土高5%-20%[2] - 第二座晶圆厂原计划2026年量产3nm 现推迟至2028年[2] - 第三座晶圆厂F21 P3将于2028年建成 配套SoIC CoPos先进封装技术 实现生产封装一体化[2][3] - 第四座晶圆厂初期工艺与P3一致 预留升级至A14（1 4nm）的空间[3] - A14工艺较N2制程同功耗下速度提升15% 同速度下功耗降30% 逻辑密度增20%[3] - A16工艺较N2P制程同电压下速度增8-10% 同速度下功耗降15-20% 芯片密度提升1 10倍[3] 台积电营收与市场动态 - 公司第4季美元营收预计季减高个位数至中双位数百分比 为近十年首次旺季环比下滑[5][6] - 消费电子终端需求受关税冲击 PC 智能手机等产品圣诞旺季销量或低于预期[5] - 消费类应用占营收近四成 HPC（含AI）占比六成仍保持强劲[5] - 2025年美元营收预期增长30% 主要依赖3nm 5nm需求及HPC增长[5] - 2025上半年美元营收已同比增长40% 第3季美元营收指引中值324亿美元（季增8%）[6]