三星电子利润下滑原因 - 第二季度初步营业利润为4.6万亿韩元（33亿美元），同比下降56% [1] - 分析师平均预期营收下降41%，实际降幅超出预期 [1] - 一次性库存相关成本和先进内存产品客户评估延迟是主要原因 [1] - 代工芯片业务运营亏损预计下半年收窄 [1] HBM芯片市场竞争格局 - 三星12层HBM3E尚未获得英伟达认证，落后于SK海力士 [2] - SK海力士获得异常长的交货时间优势 [2] - 美光科技正在快速推进市场地位 [2] - 三星芯片部门第二季度营业利润预计2.7万亿韩元，低于去年同期的6.5万亿韩元 [2] 三星HBM产品发展计划 - 已向主要客户交付增强型HBM3E样品 [5] - 计划2024年下半年开始量产HBM4芯片 [5] - 获得AMD的HBM3E订单，但未获英伟达早期认证 [5] - 伯恩斯坦预计三星HBM3E认证将推迟至第三季度 [5] 市场份额预测 - 伯恩斯坦预测2025年SK海力士将占HBM市场57%份额 [6] - 三星预计占27%，美光占16% [6] - 三星承诺加强HBM市场地位，避免在HBM4上重蹈覆辙 [6] - 大信证券预计三星可能在2025年第三季度推出HBM4产品 [6]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 虽然三星尚未证实，但有报道称，这家芯片巨头还在考虑重启其在平泽园区的第五家制造工厂 （P5）的建设。P5的建设工作于2023年启动，但于去年年初暂停。 P5 预计需要投资超过 30 万亿韩元（220 亿美元），并将建成一座能够生产 DRAM、NAND 闪存 和代工产品的综合晶圆厂。 来 源： 内容编译自theinvestor 。 受人工智能芯片领域爆炸式增长的乐观预测的鼓舞，韩国半导体巨头正在加大设施投资，以扩大未 来的市场份额。 三星电子正在审查重启韩国新芯片制造厂建设的计划，而 SK 海力士最近也开始建设新的后端处理 设施。 据业内人士周四透露，三星正准备重启去年停工的平泽园区四号线（P4）的建设。 P4是三星在建的第四座大型芯片工厂，分为四期建设。一期和三期目前已进入最后阶段，消息人 士称，二期和四期已于近期下达复工命令。预计全面开工将在两到三个月内开始。 P4工厂的两个区域最初计划用于代工生产线，但现在预计将转换为DRAM生产线，以采用10纳米 工艺生产第六代1c DRAM。这家芯片巨头本周证实，它已成功开发出这项先进技术，该技术将用 于下一代高带宽内存（HB ...

全球DRAM市场格局变化 - SK海力士首次超越三星电子成为全球DRAM市场冠军，占据36%的市场份额，三星电子以34%位居第二，美光科技以25%排名第三 [1][2][4] - SK海力士的成功主要归功于其在HBM领域的主导地位，占据70%的市场份额 [2][4][6] - 这是SK海力士自1983年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位，打破了三星电子长达30多年的统治 [4] HBM技术驱动增长 - HBM产品占SK海力士第四季度DRAM总销售额的40%以上 [7] - SK海力士独家供应12层HBM3E芯片给英伟达的AI加速器 [7] - 公司预计到2027年HBM内存芯片需求将以每年82%的速度增长 [7] - SK海力士计划在2025年将HBM销量翻一番 [7] - 公司预计HBM3E将在2024年上半年占HBM产品的一半以上，并计划在2026年推出12层HBM4作为旗舰产品 [8] 技术研发与制程优势 - SK海力士新的1c DRAM良率达到80%，开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM [10] - 1c工艺约等于11-12纳米，是目前最先进的DRAM技术 [10] - SK海力士在DRAM技术领域暂时超越三星电子 [11] - 三星电子在1c DRAM模块开发中遇到良率问题，正在重新评估以提高良率 [11][12] - SK海力士计划将1c技术应用于HBM4，可能推出性能更强大的HBM4E [10] 行业技术发展趋势 - 三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计产品商业化 [13] - 两家公司在采用EUV光刻技术方面处于领先地位 [13] - 高K金属栅极(HKMG)技术正在普及，三星、美光和SK海力士都在不同产品中集成该技术 [13] - 预计2026-2027年将推出10纳米级DRAM器件(D1d或D1δ节点) [14] - 到2030年DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点 [14] 市场竞争格局 - 中国厂商如长鑫存储、长江存储等正在技术进步，竞争格局可能发生变化 [16] - 传统DRAM需求减弱，价格下降，推动SK海力士凭借HBM优势进一步领先 [8] - 地缘政治和人工智能崛起加剧了行业竞争 [16] - DRAM技术正处于变革关键期，可能催生新的行业巨头 [16]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容综合自busikesskorea，谢谢。 三星电子副董事长全永铉表示，该公司的第五代高带宽存储器3e（HBM3e）芯片将在今年第二季 度在全球人工智能（AI）工艺市场中发挥"主导作用"。 这对三星的股价产生了负面影响，并使 DS 部门受到严格审查。 会议上的一位股东批评了股价长期低迷，称这主要是由于该公司未能向 Nvidia 供应 HBM3e 芯 片。 "我们现在正努力通过反映客户的反馈来提高产品竞争力，"Jun 表示。"因此，（我们的）12 层 HBM3e 芯片将能够在今年第二季度或不迟于今年下半年在市场上发挥主导作用。" Jun 补充说，第六代 HBM4 和定制 HBM 产品目前正在开发中，目标是在今年下半年开始量产。 "虽然我们未能把握 HBM 趋势而错过了早期市场，但 HBM4 和定制 HBM 市场不会犯同样的错 误。" Jun 在向股东发表的演讲中表示，该公司计划在 2024 年的基础上将 HBM 供应量翻一番，并专注 于高容量固态硬盘等高附加值的 NAND 产品。 股东们还质疑三星的代工和芯片设计业务，称该公司现在远远落后于全球最大的代工厂台积电 ...