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NCNR合约
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DDR 4,卖出天价
半导体行业观察· 2025-12-25 09:32
文章核心观点 - 三星电子等主要DRAM制造商正逐步淡出DDR4产能,导致市场供应严重短缺,DDR4现货价格飙升至历史高位[1][3] - 为追求利润最大化并应对持续强劲的需求,三星电子策略转变,计划放缓原定的DDR4停产步伐,并与特定服务器客户签订不可取消、不可退货的长期供货合约以锁定高价和产能[1][2][3] - 行业产能紧张局面预计将持续,DDR4价格在2026年可能进一步上涨,同时其他厂商如美光正寻求通过合作快速扩充产能[3][4][5] 三星电子的DDR4产能与策略调整 - 三星原计划在2025年上半年大幅减产DDR4,并在6至9个月内将产能转向DDR5及HBM,但近期策略思维转变,将以“利润最大化”优先[1][3] - 公司决定放缓原定2025年第4季的DDR4停产速度,部分旧产线将暂时保留,至少维持至2026年底,但主要供应给服务器、车用及自用品牌等特定客户[1][3] - 三星计划在2026年第1季与特定服务器客户签订“NCNR”长期供货合约,绑死供货条件不得取消或更改,以确保产能调度获得最大利润[1] - 由于HBM3E量产竞争力不如同业,三星将部分HBM3E产能转投至DDR5 RDIMM,并将1a DRAM产能的30~40%转换为1b DRAM制程,以聚焦下一代HBM4竞赛[2] DDR4市场价格与供需状况 - DDR4 16Gb现货价格已飙升至60美元的天价,并且价格已超过同规格的DDR5[1][3] - 客户因担忧后续供货缩减而竞相抢购,是推动价格上涨的主要原因[3] - 三星对DDR4 16Gb的NCNR长期供货合约要价可能在20美元以上,且不排除在2026年第1季进一步调高绑定价格[3] - 尽管三星释放部分产能,但主要锁定服务器应用,消费性业者难以获得供应,预计2026年DDR4将持续供不应求,价格上扬,整体产能严重紧缺[3][4] 行业产能动态与其他厂商动向 - 三大DRAM厂逐步淡出DDR4是长期不可逆趋势[3] - SK海力士的DDR4产能也已保留给特定的美系云端服务大厂,用于通用型服务器需求[3] - 力积电铜锣新厂目前月产能约8000多片,装机率约2成,仍有空间可扩充至月产能4万至5万片,吸引了包括美光在内的国际记忆体业者洽谈合作[4] - 美光目前急缺厂房及无尘室空间,正与力积电洽谈,希望通过迁入设备及租借厂房等方式快速扩充DRAM产能[5] - SanDisk考虑授权3D NAND技术给力积电生产,但因涉及日系合作伙伴铠侠的专利技术,难度重重[4]
两大存储巨头要闻
是说芯语· 2025-12-24 16:28
三星电子DDR4产能策略调整 - 公司原计划大幅削减DDR4/LPDDR4X产能,仅维持对长期特定客户的供应,导致其他应用市场供应急剧收缩甚至停产 [2] - 由于DDR4 16Gb现货价格飙升,公司内部策略发生转变,计划在2024年第四季度放缓DDR4的停产速度 [2] - 公司计划在2026年第一季度与特定客户签订NCNR长期供货合约,以确保产能调度获得最大利润,主要供应服务器等级订单 [2] - NCNR合约意味着“不得取消或更改”,通常在客户预期长期缺货且价格大涨时签订,供应商以此换取稳定的长期供货承诺 [2] SK海力士HBM4研发与交付进展 - 公司采用改进型电路的HBM4晶圆预计将于2024年11月底完成晶圆制造,并计划于2025年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品 [4] - 为满足英伟达紧迫的开发进度,公司在2024年9月提供首批客户样品时,跳过了内部预发布评审流程 [4] - 在后续的认证流程中,系统级封装测试暴露了速度和可靠性问题,问题根源在于为提升速度而进行的电路线路设计修改 [4] - 公司通过与英伟达、台积电进行三方合作,共享缺陷数据,已查明导致缺陷的具体机制,该缺陷未对工艺良率造成重大影响 [4] - 公司计划按原计划推进HBM4大规模量产,若2025年1月初能提交优化后的样品且质量测试迅速完成,预计将于2-3月开始全面量产,产能提升将在第二季度启动 [4]