东芝与天岳先进合作事件概述 - 东芝电子器件及存储设备有限公司于8月22日与中国碳化硅晶圆供应商SICC（即天岳先进）签署了技术合作谅解备忘录 [2][5] - 合作框架旨在提高半导体质量并确保晶圆的稳定供应 [2][5] - 该协议已于近期“经双方讨论”终止，但东芝未来仍将继续从SICC购买晶圆 [2] 合作终止原因分析 - 终止合作是出于对经济安全的担忧，芯片被视为经济安全的关键物资和敏感话题 [2] - 有行业顾问指出，东芝可能因考虑到与中国企业竞争、经济安全及人才流失风险而重新审视该决定 [2] - 任何超出单纯采购范围的合作都应更加谨慎 [2] 合作原定内容与目标 - 双方计划在技术协作与商业合作两方面展开深入合作，具体包括提升SiC功率半导体特性和品质，以及扩大高品质稳定衬底供应 [5] - 东芝电子元件计划通过合作进一步降低SiC功率半导体的损耗，开发高可靠性、高效率的产品，以加速服务器电源和车载用SiC器件的研发 [5] 天岳先进公司背景 - 天岳先进自2010年成立，专注于单晶SiC衬底的开发与生产，其碳化硅衬底领域的专利数量位居全球前五 [6] - 公司于2022年成为中国首家上市的SiC概念企业，并在2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底，计划在2025年实现全系产品的12英寸衬底布局 [6] 日本政府支持与行业背景 - 东芝与同胞公司罗姆将从日本经济产业省获得高达1294亿日元（8.51亿美元）的资金，用于投资功率半导体领域，这是电动汽车的关键部件 [2] - 两家公司正在商讨一项计划，东芝生产硅器件，罗姆生产碳化硅功率半导体 [3] - 罗姆是日本私募股权公司Japan Industrial Partners牵头的财团成员之一，该财团于2023年以约2万亿日元将东芝私有化 [3]

半导体晶圆市场概况 - 2023年半导体晶圆市场价值为1757亿美元，预计到2032年将达到2673亿美元，2025-2032年复合年增长率为480% [1] - 增长驱动因素包括技术创新、消费电子应用扩大及先进制造工艺投资增加 [1] 技术进步驱动因素 - 微电子和纳米技术进步推动市场增长，EUV光刻和3D堆叠技术提升芯片性能和生产效率 [2] - 晶圆尺寸从200mm向300mm过渡，450mm晶圆处于探索阶段，可降低单芯片成本并提高良率 [2] 消费电子应用 - 智能手机、平板、可穿戴设备及智能家电需求增长是主要驱动力，5G、AI和IoT普及增加高质量晶圆需求 [3] - 硅晶圆仍是芯片制造主流，砷化镓和碳化硅在高频高功率应用中日益重要 [3] 汽车行业需求 - 电动汽车和自动驾驶技术普及创造新机遇，传感器、微控制器及电源管理系统需求激增 [4] - 碳化硅和氮化镓等宽带隙材料在电动动力总成和充电系统中应用扩大，推动晶圆材料多样化 [4] 区域市场格局 - 亚太地区主导全球半导体晶圆生产和消费，中国大陆、台湾、韩国和日本拥有领先制造商和代工厂 [5] - 北美和欧洲正投资本地化供应链，形成更均衡的全球增长格局 [5] 战略投资与合作 - 行业通过并购、产能扩张及新建晶圆厂（如欧美项目）应对需求增长和供应链风险 [6] - 制造商与终端用户合作推动晶圆材料、设计及加工技术创新 [6] 未来展望 - 技术融合、需求多样化及地缘政治战略将维持市场增长，数字化转型依赖高性能晶圆 [7] - 研发投入、材料创新及产能扩张是把握未来机遇的关键 [7]