文章核心观点 - 英伟达暂停了使用英特尔18A先进制程工艺的测试，此消息导致英特尔股价下跌约2.2% [1] - 英特尔正大力推进其18A和14A等先进制程技术，旨在挑战台积电并重获行业领导地位，但其代工业务的发展策略和客户获取面临挑战 [1][2] 英特尔18A制程技术进展与影响 - 英伟达暂停了使用英特尔18A工艺制造先进芯片的测试 [1] - 受此消息影响，英特尔公司股价在纽约股市开盘后下跌约2.2% [1] - 英特尔发言人表示其18A制造技术“进展顺利” [1] - 英特尔已在亚利桑那州奥科蒂洛开设了首家采用18A工艺进行量产的Fab 52工厂，称这是美国最尖端的生产技术 [1] - 18A技术包含两项创新：率先采用“全环栅”晶体管技术以提升芯片效率并降低功耗，以及改进芯片供电方式 [2] - 18A策略是初期大幅提升产能，但外部客户兴趣寥寥 [2] 英特尔14A制程技术策略 - 14A可能是英特尔对外代工的新重点和转折点 [2] - 英特尔表示在看到市场需求之前，不会为14A增加产能，这与过去“建好了，市场就会来”的策略不同 [2] - 过去三四年，英特尔在建项目的投资额从200亿美元飙升至500亿美元，被其视为过度支出的例子 [2] - 英特尔正全力投入14A制程节点的研发，但初期计划将产能控制在较低水平 [2] - 14A节点是与合作伙伴和客户共同设计的，从一开始就更适合外部代工厂客户，能更早获得外部反馈 [3] - 14A的一些关键设计选择可能需要在2026年下半年到2027年上半年进行验证 [3] 英特尔与英伟达的合作关系 - 英伟达于9月同意向英特尔投资50亿美元，这被视为对英特尔的一大提振 [1] - 此项投资发生在美国政府决定收购英特尔约10%的股份之后 [1] - 然而，这项交易并未包含英特尔代工英伟达芯片的承诺 [1] 英特尔的整体战略目标 - 英特尔大力推进先进芯片的本土化生产，旨在挑战全球芯片制造巨头台积电，并重申美国在该行业的领导地位 [1] - 18A是英特尔重拾自主研发最佳产品的尝试 [2]

全球晶圆代工市场格局 - 2025年第三季度，全球前十大晶圆代工商合计营收达到450.86亿美元，环比增长8.1% [1] - 台积电当季营收330.63亿美元，环比增长9.3%，市场份额进一步提升至71%，其优势在先进制程、客户集中度和资本开支方面呈现“放大效应” [1] - 其他厂商如三星电子（营收31.84亿美元，份额6.8%）、中芯国际、联华电子、格罗方德等，在整体市场增长背景下难以缩小与台积电的份额差距，被迫在不同层级和赛道中寻找位置 [2] 英特尔：押注先进技术与生态重构 - 核心筹码是14A制程节点，预计在功耗效率和芯片密度方面实现显著提升，并成为全球首个在关键层采用高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术的制造节点 [4] - 已安装ASML的Twinscan EXE:5200B设备，能以8nm分辨率打印芯片，在50 mJ/cm²剂量下每小时处理175片晶圆，并实现0.7纳米套刻精度，在High-NA技术应用上领先于台积电和三星 [4] - 在先进封装领域，其EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术成为台积电CoWoS的替代方案，苹果和博通正在招募相关工程师，苹果考虑采用EMIB技术开发定制服务器加速器Baltra [6] - 客户争取取得突破：与苹果签署保密协议采购18A-P PDK，苹果入门级M系列处理器最早可能在2027年第二或第三季度开始交付，预计到2027年产量达1500万至2000万颗 [8]；英伟达和AMD正在评估其14A制程节点 [9] - 设立专用ASIC部门，为客户提供从芯片设计到制造封装的“一站式”服务，在定制网络ASIC芯片领域已获得众多客户 [10][11] - 正就收购AI芯片初创企业SambaNova Systems进行深入谈判，包含债务在内的总估值约为16亿美元，以完善自身人工智能产品布局 [12] 三星：2nm制程的背水一战 - 将筹码压在2nm制程的大规模量产上，该制程采用全环栅（GAA）晶体管架构 [13] - 2nm制程良率已从2025年9月的50%提升到11月的50%至60%，目标是在2025年底或2026年初将生产良率提高到70%左右 [13] - 2nm产能预计将增加163%，从2024年的每月8000片晶圆增加到2026年底的21000片晶圆 [13] - 客户突破：2024年7月获得特斯拉价值165亿美元的合同，用于生产下一代采用2nm工艺的AI6芯片；还获得了苹果图像传感器、MicroBT和Canaan的挖矿专用芯片（ASICs）等订单 [14]；高通第六代骁龙8至尊版可能有基于三星2nm代工的版本 [15] - 在汽车半导体市场全方位布局：将为现代汽车量产8nm MCU，并可能赢得其5nm自动驾驶芯片合同；将向现代汽车供应采用14nm FinFET工艺量产的eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器） [16] - 布局硅光子技术，将其选为未来核心技术，并计划在2027年实现CPO（共封装光学器件）的商业化 [17]；预计到2030年，硅光子市场规模将增长至103亿美元 [18] - 计划在2026年上半年前投资约1.1万亿韩元，引进两台High-NA EUV设备，每套成本约5500亿韩元，用于2nm晶圆生产线 [19] - 行业预计其代工业务将从2027年开始扭亏为盈，得益于奥斯汀工厂开工率提高及泰勒工厂大规模量产特斯拉AI6芯片 [21] 联电：成熟制程的差异化突围 - 战略定位是不参与先进制程竞赛，专注于成熟制程基础上的特殊工艺、先进封装和硅光子等高附加价值应用 [23] - 在先进封装领域取得突破：自行开发的高阶中介层已获得高通电性验证并进入试产，预估最快2026年第一季度量产，首批中介层电容密度达1500nF/mm² [24] - 在硅光子领域，与IMEC签署技术授权协议，取得其iSiPP300硅光子制程，将推出12英寸硅光子平台，预计在2026及2027年展开风险试产 [25][26] - 积极拓展美国本土制造能力，与专攻高压、功率及传感器的美国晶圆代工厂Polar Semiconductor签署合作备忘录，共同探索在美国本土8英寸晶圆制造的合作机会 [27] - 市场传出正考虑扩大与英特尔的合作伙伴关系，可能将合作制程从12nm提升至6nm，但公司未予置评，强调双方12nm FinFET合作将按规划于2027年导入量产 [28] 格罗方德：区域化与特色工艺的守成者 - 战略重心是通过区域化布局、硅光子技术和IP整合，在特定市场建立不可替代的地位 [30] - 2024年11月宣布收购位于新加坡的硅光子晶圆代工厂Advanced Micro Foundry（AMF），以扩展其硅光子技术组合、产能和研发能力，并计划在新加坡建立硅光子学研发卓越中心 [31][32] - 计划收购提供基于RISC-V处理器IP的MIPS公司，旨在通过提供现成IP模块帮助客户简化系统设计流程，但强调自身仍保持纯代工厂定位 [33] - 计划投资11亿欧元扩大其德国德累斯顿工厂的产能，到2028年底提升至每年超过100万片晶圆，以满足欧洲在汽车、物联网等领域的芯片需求 [35] - 通过技术授权模式与中国本土代工厂合作，为中国客户提供车规级工艺与制造专长，以实现技术价值最大化并帮助中国厂商快速提升特色工艺能力 [36]