三星电子HBM战略调整 - 公司正加紧招聘HBM领域经验丰富的专家 包括封装开发和混合键合技术工程师 以重夺半导体行业领导地位 [2] - 招聘集中在存储芯片业务 晶圆代工 半导体研究中心等6个核心部门 下半年申请截止日期为8月19日 [2] - 缩减晶圆代工和系统大规模集成电路部门招聘 后者第二季度营业利润仅4000亿韩元（2.88亿美元）创近期新低 [5] HBM技术研发进展 - 重点开发定制HBM产品 计划最早2024年推出 底层DRAM将集成客户指定功能 [3] - 改进混合键合技术 目标实现16层以上DRAM堆叠 减少厚度和发热量 目前SK海力士已展示16层HBM3E样品 [3] - HBM4量产计划从2025年底推迟至2026年 当前1c DRAM测试晶圆良率达65% 但量产良率仍存不确定性 [4][5] 市场竞争格局 - SK海力士在HBM3E量产进度领先 计划2025年HBM销量翻倍 2026年推出HBM4 [6] - 竞争对手同步扩展GDDR7和LPDDR服务器模块产品线 M15X工厂将于2024Q4投产 [6] - 三星预计下半年存储芯片市场复苏 HBM产品将成为盈利反弹关键驱动力 [2][5] 技术路线差异 - 三星采用双路径开发1c DRAM：改良现有1a/1b设计或彻底重新设计 后者可能增加20%晶圆使用量 [5] - SK海力士优先布局QLC企业级SSD 资本支出将超预期 龙仁Cluster 1工厂2027Q2竣工 [6]

三星电子HBM战略调整 - 公司正加大对高带宽存储器(HBM)领域资深专家的招聘力度 旨在重夺半导体行业领导地位 并押注下半年业绩反弹[1] - 同时缩减表现不佳的晶圆代工部门和系统LSI业务的资深招聘规模 突显战略重心向HBM领域转移[1][4] 人才招聘与技术布局 - 招聘目标聚焦下一代半导体和芯片封装技术专家 特别是混合键合技术领域人才 该技术对提升AI芯片性能至关重要[3] - 计划在存储芯片业务 代工厂 半导体研究中心等6个主要部门开展资深专业人员招聘 8月19日前开放申请[3] - 行业预计招聘规模将显著扩大 反映存储芯片市场复苏迹象 公司预期HBM产品将推动下半年盈利回升[3] HBM技术发展规划 - 重点开发能设计先进HBM新架构的封装专家 以及负责定制HBM客户对接的产品规划人员[3] - 定制化HBM指垂直堆叠DRAM产品 配备客户指定功能 预计2026年推向市场以追赶SK海力士[3] - 加速混合键合技术研发 该技术可消除传统凸块连接 直接键合芯片 对生产16层以上DRAM产品至关重要[4] 行业竞争态势 - SK海力士目前主导HBM市场 已率先在2025年初展示16层HBM3E芯片 而12层HBM3E是当前量产最先进AI内存芯片[4] - 系统LSI部门持续亏损 将在2025年下半年停止资深招聘 该部门负责Exynos处理器和图像传感器等非存储芯片开发[4]