文章核心观点 - 台积电已按计划于2025年第四季度开始量产其最先进的2纳米（N2）工艺芯片，这是公司首个采用环栅纳米片晶体管技术的节点，标志着其在半导体制造技术上的又一次重大飞跃 [1] - N2技术及其后续衍生技术（N2P、A16）在性能、功耗和晶体管密度上实现显著提升，旨在满足智能手机和人工智能/高性能计算应用日益增长的需求，并巩固公司的技术领先地位 [1][4][5][7] 技术进展与量产状态 - 台积电已悄然开始量产N2（2nm级）工艺芯片，公司官网确认量产按计划于2025年第四季度启动 [1] - N2是公司首个采用环栅纳米片晶体管技术的工艺节点，该结构改善了静电控制，降低了漏电，并能在不牺牲性能或能效的前提下实现更小晶体管尺寸，提高密度 [4] - 量产初期在位于台湾高雄附近的Fab 22工厂进行，而位于新竹附近的Fab 20工厂的量产可能会稍晚 [5] - 公司首席执行官表示N2量产进展顺利，良率良好，并预计在智能手机和AI/HPC应用推动下，2026年产能爬坡速度将加快 [5] 技术性能参数 - 与N3E工艺相比，N2的设计目标是在相同功耗下实现10%–15%的性能提升，在相同性能下降低25%–30%的功耗 [3] - 对于包含逻辑、模拟和SRAM的混合设计，N2的晶体管密度比N3E提高15%；对于纯逻辑设计，密度比N3E高出20% [3] - N2工艺集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器，其电容密度是上一代设计的两倍以上，并将薄层电阻和过孔电阻降低了50%，从而提升电源稳定性、性能和能效 [4] - 根据性能对比表，N2P（计划2026年下半年量产）相比N3E，功耗降低36%，性能提升18%，密度为1.15倍；A16（计划2026年下半年量产）相比N2P，功耗进一步降低15%–20%，性能提升8%–10%，密度提升1.07倍至1.10倍 [4] 产能规划与后续技术路线 - 公司同时启动两座具备N2工艺能力的晶圆厂建设，以满足众多合作伙伴对新工艺的浓厚兴趣和产能需求 [7] - 从2026年底开始，这两座晶圆厂将用于生产基于N2P和A16工艺的芯片 [7] - N2P作为N2的性能增强版，计划于2026年下半年量产，在N2基础上进一步提升性能和功耗 [7] - A16是N2P的升级版，采用超强电源轨背面供电设计，专为具有复杂信号路径和密集供电网络的特定高性能计算产品打造，量产也计划于2026年下半年进行 [7]

台积电N2（2nm级）工艺量产启动 - 台积电已按计划于2025年第四季度开始量产其N2（2nm级）工艺芯片，但未发布正式新闻稿 [1] - N2是公司首个采用环栅纳米片晶体管（GAA）的工艺节点，并集成了超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器以提升性能 [4] - 首席执行官魏成成表示N2量产进展顺利，良率良好，预计2026年产能爬坡将因智能手机和AI/HPC应用而加速 [5] N2工艺技术性能与优势 - 与N3E相比，N2在相同功耗下性能提升10%–15%，在相同性能下功耗降低25%–30% [3] - 对于混合设计（逻辑、模拟、SRAM），晶体管密度比N3E提高15%；对于纯逻辑设计，密度提高20% [3] - N2采用了第一代纳米片晶体管技术，实现了全节点的性能和功耗提升，其GAA结构改善了静电控制并降低了漏电 [1][4] - 集成的SHPMIM电容器电容密度是上一代设计的两倍以上，并将薄层电阻和过孔电阻降低了50% [4] 后续工艺路线图与产能规划 - 公司计划在2026年下半年量产N2的性能增强版N2P，与N2相比，N2P在相同性能下功耗进一步降低5%–10%，性能提升5%–10% [4][8] - 同样计划在2026年下半年量产A16工艺，A16采用超强电源轨（SPR）背面供电设计，专为复杂AI/HPC处理器打造，与N2P相比功耗降低15%–20%，性能提升8%–10% [4][8] - 公司已在台湾高雄附近的Fab 22工厂开始生产2nm芯片，并计划在Fab 20工厂稍晚开始量产 [5] - 同时启动两座具备N2工艺能力的晶圆厂建设，以满足合作伙伴需求，并为2026年底生产N2P和A16芯片做准备 [8]