SiC substrate

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高盛:全球半导体-硅片、碳化硅衬底、氮化镓的供需模型更新,中国产能及对全球企业的影响
高盛· 2025-06-24 10:28
报告行业投资评级 - 买入评级:北方华创(SiC晶体生长炉)、天科合达(SiC衬底)、胜高(硅片)、信越化学(硅片)、三菱电机(SiC器件)、英飞凌(SiC器件)[2] 报告的核心观点 - 中国本地供应商在硅片和SiC衬底领域产能扩张,预计2024 - 2027E期间,12英寸硅片产能将以21%的复合年增长率扩张,SiC衬底产能(6英寸等效)将从250万片/年增长到750万片/年,本地产能覆盖率到2027E将达到87% [1][49] - 随着成本降低,SiC和GaN在高功率、高频应用中逐渐取代IGBT,预计到2030E,EV/铁路/电网的SiC渗透率将分别达到75%/38%/29%,中国GaN器件市场将从2024年的2.09亿美元增长到2030E的16亿美元 [52][53] - 全球硅片行业集中度高,技术壁垒高,中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限,未来300mm硅片需求将受AI服务器等因素驱动增长 [73][82][103] 各部分总结 中国硅片/ SiC衬底/ GaN市场规模(TAM) - 中国硅片市场规模预计从2021年的19.99亿美元增长到2030E的45.11亿美元,12英寸硅片需求增长显著 [37] - 中国SiC衬底市场规模预计从2021年的1.97亿美元增长到2030E的27.7亿美元,6英寸和8英寸衬底出货量均有增长 [39] - 中国GaN市场规模预计从2021年的6600万美元增长到2030E的16亿美元,快充、消费电子、EV和数据中心等领域需求推动增长 [42] 供应:中国本地供应商的产能扩张和全球Tier供应商的中国业务 - 中国本地硅片供应商产能扩张主要集中在12英寸,受逻辑和存储客户产能扩张及满足本地客户需求的驱动;SiC衬底产能扩张受SiC器件采用率上升驱动,尤其是在EV领域 [43] - 全球Tier供应商中,信越化学和胜高在中国的销售额已降至个位数水平,中国本地供应商的崛起对其影响有限 [96] 需求:SiC / GaN在高功率/高频应用中取代IGBT - SiC成本降低使其竞争力增强,在EV、铁路、电网等领域的渗透率不断提高,越来越多的EV车型开始采用SiC平台 [52] - GaN凭借高频和高电子迁移率的优势,应用场景从快充扩展到消费电子、EV、数据中心等领域 [53] 从全球硅片行业借鉴经验 - 全球硅片行业经历了整合,目前300mm硅片市场主要由信越化学、胜高、环球晶圆、世创和SK矽康等五家公司主导 [73] - 硅片行业技术壁垒高,包括大量资本支出、研发投入、长期技术积累和客户信任等,新制造商进入难度大 [82] - 中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限,半导体设备制造商不太可能大量采用中国本地晶圆制造商的产品 [96][101] 从全球半导体供应链借鉴经验 - 罗姆预计2026财年SiC亏损将有所缩小,目标在2028财年实现收支平衡,公司将降低资本支出并加速器件技术路线图 [119] - 英飞凌是全球领先的功率半导体供应商,依赖外部供应商提供晶圆,对中国晶圆质量评价较高,预计将受益于市场需求增长 [122][123] - 环球晶圆是全球排名前三的硅片供应商,继续投资SiC和GaN扩张,预计行业将从6英寸向8英寸SiC晶圆转变 [128] 定价:硅片和SiC衬底向大尺寸发展以支持综合平均销售价格(ASP) - 同类产品价格因竞争和本地供应商产能扩张而呈下降趋势,但产品向大尺寸、高端应用迁移可支持综合ASP [133] - 2024年EV IGBT ASP同比下降35%,6英寸SiC衬底价格两位数下降,预计2025E价格将更稳定 [133] 中国IGBT市场规模(TAM) - 中国IGBT市场规模预计从2021年的30.59亿美元下降到2030E的27.98亿美元,主要受EV和铁路领域SiC渗透率上升影响 [137] - 中国IGBT产能和产量预计将增长,2025E - 2026E的供应/需求比分别为128%/131% [137]
高盛:TechNet China 2025:半导体光刻、资本支出、出口及新应用
高盛· 2025-05-25 22:09
报告行业投资评级 - 对中国半导体行业重申积极看法,推荐买入的公司有Horizon Robotics、Will Semi、ACMR、AMEC、Naura、Accotest、Piotech、Nexchip、SMIC、VeriSilicon、SICC、Cambricon [1][2][19] 报告的核心观点 - 中国半导体行业在供应不确定的情况下正努力发展更多内部知识产权和技术,光刻技术研发持续进步,供应链将持续投资光刻系统开发并维持本地产能扩张 [1] 根据相关目录分别进行总结 光刻技术在中国的发展与挑战 - 中国光刻技术与全球领先水平仍有较大差距,但近年来研发有进展,行业将继续投资该技术 [6] - 光刻技术发展的瓶颈包括镜头、平台和光源,其中镜头定制化程度高,难以大规模生产,系统集成也是主要瓶颈 [6][7] - 专家对中国半导体投资趋势持积极态度,预计本地代工厂将扩大产能以满足本地需求 [7] Axera公司情况 - 提供可满足信息收集和AI边缘计算两种AI需求的芯片,其ISP产品支持更好地捕捉图像信息,NPU产品促进边缘AI计算 [10] - 产品供应国内外市场,在技术和价格上具有竞争力,吸引了国内外客户 [10] - 通过技术创新构建竞争壁垒,将AI集成到图像处理中,提高在黑暗环境中的可见性,增强自动驾驶和ADAS系统的安全性 [10] SICC公司情况 - 是碳化硅衬底领先企业之一,积极改进技术,早期投资液相法研发,在从8英寸向12英寸技术迁移方面处于领先地位 [10] - 碳化硅有多种潜在应用场景,如新能源、汽车、光伏逆变器、电网和消费电子等,公司为创新应用做好准备以抓住商机 [10] - 12个月目标价为75.5元人民币,基于2026年预期市盈率69.3倍得出 [10][11]
摩根士丹利:大中华区功率半导体-2025 年第一季度前瞻
摩根· 2025-04-23 18:46
报告行业投资评级 - 行业评级为In-Line,分析师预计行业覆盖范围在未来12 - 18个月的表现与相关广泛市场基准一致 [6] 报告的核心观点 - 功率半导体定价基本稳定,但对终端客户的正常价格折扣将影响2025年第一季度毛利率,该领域竞争仍存,看好汽车业务占比高且运营效率高的公司 [1][6] - 整体功率分立器件销售额在2024年年中度过低谷,呈温和复苏趋势,IGBT混合ASP企稳并有所反弹,2025年2月出货量同比增长10% [2] - 中国功率半导体企业抓住汽车领域机遇,如扬杰科技汽车产品在2024年实现60%以上增长,预计这一强劲增长势头将持续 [3] - 中国碳化硅衬底供应商SICC全球市场份额不断增加,2024年达到22.8%,看好碳化硅器件的增长机会 [4] 根据相关目录分别进行总结 行业趋势 - 功率分立器件销售呈温和复苏趋势,IGBT价格企稳反弹,2025年2月出货量同比增长10%,有望缓解斯达半导毛利率压力 [2] - 中国功率半导体市场表现优于全球,2025年2月中国MOSFET市场同比增长4%,而全球同比下降8%;中国IGBT市场同比下降9%,全球同比下降20% [22] - 功率半导体需求正在恢复,交货时间趋于稳定,但部分产品仍面临压力 [24] 公司分析 斯达半导(603290.SS) - 预计2025年第一季度毛利率面临压力,全年营收有望增长19%,SiC业务模块封装能力受认可,但产能爬坡慢于同行 [10] - 下调2025年和2026年EPS预测6%和5%,将目标价从140元下调至115元 [12] - 看好其作为中国IGBT本地化趋势的受益者,IGBT和二极管芯片自研/供应比例不断提高,ROE和营收增长势头强劲 [50] 中车时代电气(688234.SS) - 预计2025年第一季度营收环比下降6%,毛利率与2024年第四季度持平 [10] - 下调2025年和2026年EPS预测40%和37%,引入2027年预测,将目标价从85元下调至77元 [12] - 预计其将在全球市场份额上超越竞争对手,8英寸SiC衬底良率突破有望稳定毛利率,估值具有吸引力 [69] 华润微(688396.SS) - 预计2025年营收增长7%,低于市场共识预测的13%,产能扩张将对毛利率造成压力 [10] - 上调2025年EPS预测8%,下调2026年EPS预测3%,目标价维持在28.10元 [12] - 认为其是中国MOSFET本地化趋势的受益者,但预计增长慢于同行,估值较高 [31] 扬杰科技(300373.SZ) - 预计2025年第一季度营收同比增长18%,环比下降3%,毛利率环比降至35% [11] - 采用剩余收益模型进行估值,假设股权成本为8.4%,中期增长率为12.8%,终端增长率为5.5% [83] 杭州士兰微电子股份有限公司(600460.SS) - 预计2025年营收增长15%,主要得益于SiC产能爬坡,但SiC MOS营收目标可能因价格下降面临风险 [10] - 采用剩余收益模型进行估值,假设股权成本为8.6%,中期增长率为18.0%,终端增长率为5.5% [84]