来源 ： 内容 编译自 tomshardware 。 根据DigiTimes 9 月 17 日发布的数据，2025 年第四季度 NAND 和 DRAM 的合同价格预计上涨 15-20%，淡季价格飙升与人工智能基础设施建设和供应紧张直接相关。 《电子时报》写道："供应短缺导致云服务提供商积极采购，高堆叠 3D NAND 产品几乎售罄。"并 补充道："3D NAND……吸引了 CSP 客户强烈的优先采购兴趣"，理由是他们希望获得更快的读取速 度和更大的芯片容量。这与第四季度正常的元件价格通常会走低的模式形成了鲜明对比。 有迹象表明供应端正在收紧。TrendForce 表示，SanDisk 在 9 月份推动 NAND 价格上涨约 10%， 而美光则在客户预测出现短缺后暂停了 DRAM 和 NAND 报价，以重新评估分配情况。该公司还指 出，近线 HDD 存在结构性短缺，这迫使超大规模数据中心运营商加快 2026 年 QLC SSD 部署计 划。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 《电子时报》（DigiTimes）进一步指出，三星2026年的下一代V9 NAND "已接近售罄"，云客户因 其更高的密度和 ...

来 源 ：内容 编译自 ZDNet 。 三星电子在第九代（V9）大容量 NAND 产品的商用化进程中遇到困难。原本计划在去年下半年宣 布首次量产，但目前因性能问题，正在进行设计和工艺层面的修正工作。随着 AI 产业的发展，大 容量 NAND 的需求不断增加，业界呼吁三星必须加快市场响应。 据 ZDNet Korea 9月16日报道，三星已将 V9 QLC NAND 的正式商用时间，至少推迟到明年上半 年。 V9 QLC 仍需改进…预计明年稳定并进行设备投资 三星的 V9 NAND 采用 280 层结构，去年 4 月开始首次量产，当时的产品基于 TLC（三比特单 元）结构，实现了 1Tb（太比特）容量。TLC 意味着每个存储单元可以存储 3bit 数据。 随后在去年 9 月，三星宣布启动 V9 QLC NAND 的量产。QLC 可以在单个单元中存储 4bit 数 据，相较 TLC 更有利于实现大容量存储器。 然而，据多位业内人士透露，三星在 V9 QLC NAND 商用化过程中遭遇了困难。早期产品因设计 问题出现性能下降的现象。 因此，三星目前正在推进 V9 QLC NAND 的设计和工艺优化，预计最早将在明年 ...