公司股价与交易表现 - 盘中股价一度上涨超过6%，截至发稿时上涨4.67%，报53.75港元 [1] - 成交额达到2271.629万港元 [1] 战略合作协议核心内容 - 公司与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作关系 [1] - 合作将结合公司在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展多种键合材料的工艺开发及技术迭代，具体包括键合碳化硅、绝缘体上硅、绝缘体上压电基板及超大尺寸SiC复合散热基板 [1] - 超大尺寸复合基板指12英寸及以上的SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为合作将利用双方各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合公司在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升公司在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固公司的市场地位 [1]

每经AI快讯，天域半导体(02658.HK)再涨超6%，截至发稿涨6.43%，报54.65港元，成交额1388.52万港 元。 ...

消息面上，天域半导体宣布，与青禾晶元订立战略合作协议，据此，双方同意建立战略合作，凭藉本公 司在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同开展键合材料（包括键 合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸（12英吋及以上）SiC复合散热 基板）的工艺开发及技术迭代。 董事会认为，订约方将利用彼等各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备 稳定性，并进一步巩固集团的市场地位。 智通财经APP获悉，天域半导体(02658)再涨超6%，截至发稿，涨6.43%，报54.65港元，成交额1388.52 万港元。 ...

公司股价与交易表现 - 天域半导体股价再涨超6%，截至发稿，涨6.43%，报54.65港元 [1] - 成交额为1388.52万港元 [1] 战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作 [1] - 合作基础在于结合天域半导体在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为，订约方将利用各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，以促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [1]

董事会认为，订约方将利用彼等各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备 稳定性，并进一步巩固集团的市场地位。 天域半导体(02658)公布，于2026年1月16日(交易时段后)，公司及青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公 司(青禾晶元)订立战略合作协议，据此，协议订约方同意建立战略合作，凭借公司在碳化硅材料领域的 优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同开展键合材料(包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体 上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板)的工艺开发及技术迭 代。 ...

董事会认为，订约方将利用彼等各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备 稳定性，并进一步巩固集团的市场地位。 智通财经APP讯，天域半导体(02658)公布，于2026年1月16日(交易时段后)，公司及青禾晶元半导体科 技(集团)有限责任公司(青禾晶元)订立战略合作协议，据此，协议订约方同意建立战略合作，凭借公司 在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同开展键合材料(包括键合 碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板) 的工艺开发及技术迭代。 ...

5.优先合作：于合作期间，在同等条件下，公司应优先与青禾晶元开展整线项目合作，并优先采购青禾 晶元的相关设备。然而，若青禾晶元提供的设备无法满足公司的技术指标、量产良率要求或货期需求， 公司有权向第三方采购，不视为违约。 董事会认为，订约方将利用彼等各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备 稳定性，并进一步巩固集团的市场地位。 3.设备改进及技术支持：公司应从工艺开发、批量制造的角度给予设备改进及升级迭代的指导。青禾晶 元应配合公司量产需求，加大研发投入，提升设备能力。同时，青禾晶元在公司使用过程中遇到的技术 问题，应积极配合应对。 4.知识产权：在技术开发过程中，订约一方各自独立研发的知识产权归各自独立所有。 格隆汇1月16日丨天域半导体(02658.HK)公告，于2026年1月16日，公司及青禾晶元半导体科技(集团)有 限责任公司("青禾晶元")订立战略合作协议，据此，协议订约方(各自为"订约一方"， ...

香港交易及結算所有限公司及香港聯合交易所有限公司對本公告的內容概不負責， 對其準確性或完整性亦不發表任何聲明，並明確表示概不就因本公告全部或任何部 分內容而產生或因依賴該等內容而引致的任何損失承擔任何責任。 Guangdong Tianyu Semiconductor Co., Ltd. 廣東天域半導體股份有限公司 (於中華人民共和國註冊成立的股份有限公司) （股份代號：2658） 有關訂立 戰略合作協議的 自願公告 本公告乃由廣東天域半導體股份有限公司（「本公司」，連同其附屬公司，統稱「本集 團」）自願作出，旨在向本公司股東（「股東」）及本公司潛在投資者提供本集團最新業 務發展情況。 本公司董事（「董事」）會（「董事會」）欣然公佈，於2026年1月16日（交易時段後），本 公司及青禾晶元半導體科技（集團）有限責任公司（「青禾晶元」）訂立戰略合作協議 （「協議」），據此，協議訂約方（各自為「訂約一方」，統稱「訂約方」）同意建立戰略合 作，憑藉本公司在碳化硅材料領域的優勢及青禾晶元在鍵合設備定製與優化方面的 能力，共同開展鍵合材料（包括鍵合碳化硅(SiC)、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上壓電 基板(POI)及超 ...

上市信息 - 公司H股于2025年12月5日在港交所主板上市[3] 股本数据 - 本月底H股法定/注册股份58,990,426股，面值1元，股本58,990,426元[1] - 本月底未上市股份法定/注册股份334,278,085股，面值1元，股本334,278,085元[1] - 本月底法定/注册股本总额为393,268,511元[1] 股份发行 - 本月底H股已发行股份58,990,426股，库存股份0[4] - 本月底未上市股份已发行股份334,278,085股，库存股份0[4]

公司稳定价格期结束 - 天域半导体全球发售的稳定价格期已于2026年1月1日结束 [1] - 稳定价格期结束于递交香港公开发售申请截止日期后第30日 [1] 超额配股权及稳定价格操作 - 国际发售中概无超额分配H股 [1] - 稳定价格操作人或其相关人士在稳定价格期内未采取任何稳定价格行动 [1] - 保荐人兼整体协调人未行使超额配股权，该权利已于2026年1月1日失效 [1] - 公司未根据超额配股权发行或将发行任何H股 [1]