文章核心观点 - 碳化硅功率器件凭借其优异的性能，在高压大功率领域应用日益广泛，市场规模和渗透率正快速提升，预计未来将继续保持增长态势 [1][7] 碳化硅功率器件行业定义及分类 - 碳化硅材料具有高导热率（是硅基材料的3倍）、耐高温（理论上可达600℃，实际工作温度约200℃）和强抗辐射能力，适用于军用、太空等极端环境 [2] - 碳化硅功率器件主要分为SiC二极管（包括SBD、PiN、JBS）、SiC开关管（包括MOSFET、JFET、IGBT）以及SiC功率模块（包括全SiC和混合SiC模块） [2] 碳化硅功率器件行业发展现状 - 全球功率半导体器件市场持续增长，2025年市场规模达374.5亿元，预计2026年将增至407.8亿元 [1][5] - 碳化硅功率器件市场增长显著，其市场规模从2020年的4.5亿元增长至2025年的28.3亿元，渗透率从1.42%提升至7.56% [7] - 预计2026年碳化硅功率器件市场规模将增至38.8亿元，渗透率将扩大至9.51%，未来市场规模和渗透率预计将持续上升 [1][7] 碳化硅功率器件行业产业链 - 产业链上游主要包括碳化硅外延晶片、衬底等原材料及设备耗材 [7] - 产业链中游为生产环节，涉及IDM、器件设计公司及晶圆代工厂 [7] - 产业链下游应用广泛，包括光伏发电、风力发电、电动汽车、轨道交通、智能电网及宇航等领域，其中在电动汽车领域主要应用于电机驱动、电池充电、车载空调和低压直流供电等部件 [4][7] 碳化硅功率器件行业竞争格局 - 全球市场呈现“国际大厂+国内龙头”双寡头格局，国际主要企业包括英飞凌、罗姆电子、富士电机、意法半导体、Rohm公司、Cree公司等，它们凭借技术积累和车规认证优势占据高端市场 [8] - 国内主要企业包括天域半导体、天岳先进、斯达半导、深圳基本半导体、上海瀚薪科技、株洲中车时代电气、泰科天润、中国电科五十五所等 [2][8] - 其中，深圳基本半导体、斯达半导、天岳先进等公司通过垂直整合的IDM模式实现了从衬底到模块的全链条布局，全球市场份额正逐步提升 [8] 碳化硅功率器件行业发展展望 - 随着应用领域不断扩大以及对硅基器件的替代，行业在商业和技术上均需持续演进迭代，以满足更高的成本和质量要求 [10] - 碳化硅器件相比硅基器件具有更高电能转换效率、更高工作温度和更好散热性能，广泛应用于新能源汽车、可再生能源和轨道交通等领域 [10] - 为满足成本和可靠性要求，行业正致力于优化器件结构和工艺，以持续降低MOSFET的比导通电阻并提高沟槽MOSFET的可靠性 [10]

公司股价与交易表现 - 盘中股价一度上涨超过6%，截至发稿时上涨4.67%，报53.75港元 [1] - 成交额达到2271.629万港元 [1] 战略合作协议核心内容 - 公司与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作关系 [1] - 合作将结合公司在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展多种键合材料的工艺开发及技术迭代，具体包括键合碳化硅、绝缘体上硅、绝缘体上压电基板及超大尺寸SiC复合散热基板 [1] - 超大尺寸复合基板指12英寸及以上的SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为合作将利用双方各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合公司在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升公司在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固公司的市场地位 [1]

公司股价表现 - 天域半导体(02658.HK)股价在当日交易中再度上涨超过6%，截至发稿时涨幅为6.43% [1] - 公司股价报收于54.65港元 [1] - 当日成交金额为1388.52万港元 [1]

公司股价与交易动态 - 天域半导体股价再涨超6%，截至发稿涨6.43%，报54.65港元 [1] - 成交额为1388.52万港元 [1] 战略合作核心内容 - 天域半导体与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作 [1] - 合作基础是结合天域半导体在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸（12英吋及以上）SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为合作将利用双方各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合公司在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，以促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [1]

公司股价与交易表现 - 天域半导体股价再涨超6%，截至发稿，涨6.43%，报54.65港元 [1] - 成交额为1388.52万港元 [1] 战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作 [1] - 合作基础在于结合天域半导体在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为，订约方将利用各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，以促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [1]

战略合作协议概述 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作基于天域半导体在碳化硅材料领域的优势以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升天域半导体集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固天域半导体集团的市场地位 [1]

战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的键合材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作将凭借天域半导体在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固集团的市场地位 [1]

战略合作协议概述 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日订立战略合作协议，旨在建立战略合作 [1] 合作基础与目标 - 合作基于天域半导体在碳化硅材料领域的优势以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅、绝缘体上硅、绝缘体上压电基板及超大尺寸(12英寸及以上)SiC复合散热基板 [1] - 董事会认为合作将结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [3] - 预期合作将促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺，提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [3] 具体合作内容 - **工艺开发**：天域半导体将就键合SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料开展工艺开发及量产导入 [1] - **设备与技术支持**：青禾晶元将向天域半导体提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等方面的设备及相关技术支持 [2] - 技术支持具体包括：为单晶—多晶SiC键合衬底(8英寸)提供设备定制、优化及工艺调试；为单晶—单晶SiC键合衬底(8英寸)、SOI(8英寸及12英寸)及SionSiC(12英寸)键合衬底提供整线设备选型、设备定制、工艺优化及量产支持；提供适用于金刚石、氧化镓、氮化镓、铌酸锂、钽酸锂等材料的键合设备 [2] - **设备改进及技术支持**：天域半导体将从工艺开发、批量制造的角度给予设备改进及升级迭代的指导；青禾晶元应配合天域半导体量产需求，加大研发投入，提升设备能力，并积极应对使用中遇到的技术问题 [2] 合作条款 - **知识产权**：在技术开发过程中，协议订约方各自独立研发的知识产权归各自独立所有 [3] - **优先合作**：在合作期间及同等条件下，天域半导体应优先与青禾晶元开展整线项目合作，并优先采购其相关设备 [3] - 若青禾晶元提供的设备无法满足天域半导体的技术指标、量产良率要求或货期需求，天域半导体有权向第三方采购，不视为违约 [3]

市场合作 - 公司与青禾晶元2026年1月16日订立战略合作协议，期限至2029年1月15日[3][7] - 合作期间公司优先与青禾晶元开展整线项目合作及采购设备[6] 业务发展 - 公司开展键合SiC、SOI等键合材料工艺开发及量产导入[5] - 公司从事4、6、8英吋SiC外延片生产销售，提供增值服务[9] 合作分工 - 青禾晶元为8及12英吋键合衬底提供设备及技术支持[5] - 公司从工艺角度给予青禾晶元设备改进指导[5]

上市信息 - 公司H股于2025年12月5日在港交所主板上市[3] 股本数据 - 本月底H股法定/注册股份58,990,426股，面值1元，股本58,990,426元[1] - 本月底未上市股份法定/注册股份334,278,085股，面值1元，股本334,278,085元[1] - 本月底法定/注册股本总额为393,268,511元[1] 股份发行 - 本月底H股已发行股份58,990,426股，库存股份0[4] - 本月底未上市股份已发行股份334,278,085股，库存股份0[4]