东微半导(688261)

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东微半导:苏州东微半导体股份有限公司第一届监事会第十四次会议决议公告
2023-08-24 17:28
第一届监事会第十四次会议决议公告 本公司监事会及全体监事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 一、监事会会议召开情况 苏州东微半导体股份有限公司(以下简称"东微半导"或"公司")第一届监 事会第十四次会议于 2023 年 8 月 23 日在公司会议室以现场结合通讯的方式召 开。会议通知已于 2023 年 8 月 13 日通过电子邮件送达各位监事。本次会议由 监事会主席刘伟先生主持。会议应出席监事 3 人,实际出席监事 3 人。 本次会议的召集、召开符合有关法律、法规及规章制度和《公司章程》的有 关规定。出席会议的全体监事对议案进行了认真审议和表决,形成以下决议: 证券代码:688261 证券简称:东微半导 公告编号:2023-029 苏州东微半导体股份有限公司 具体内容详见公司于同日在上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)披露的 《苏州东微半导体股份有限公司 2023 年半年度报告》和《苏州东微半导体股份 有限公司 2023 年半年度报告摘要》。 (二)审议通过《关于公司<2023 年半年度募集资金存放与实际使用情况的 专 ...
东微半导:苏州东微半导体股份有限公司2023年半年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告
2023-08-24 17:28
证券代码:688261 证券简称:东微半导 公告编号:2023-030 苏州东微半导体股份有限公司 2023 年半年度募集资金存放与实际使用情况的 专项报告 根据《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要 求》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》《上 海证券交易所科创板股票上市规则》等有关法律、法规及相关文件的规定,苏州 东微半导体股份有限公司(以下简称"公司"或"东微半导")编制了《2023年 半年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告》,具体内容如下: 一、募集资金基本情况 (一)实际募集资金金额和资金到账时间 根据中国证券监督管理委员会《关于同意苏州东微半导体股份有限公司首次 公开发行股票注册的批复》(证监许可〔2021〕4040 号),同意公司首次公开发 行股票的注册申请。并经上海证券交易所同意,公司首次向社会公众公开发行人 民币普通股(A 股)股票 16,844,092 股,本次发行价格为每股人民币 130.00 元, 募集资金总额为人民币 2,189,731,960.00 元,扣除保荐承销费 155,127,216.60 元(不含增值税)后的募集资金为 ...
东微半导:苏州东微半导体股份有限公司独立董事关于第一届董事会第十八次会议相关事项的独立意见
2023-08-24 17:28
苏州东微半导体股份有限公司 第一届董事会第十八次会议 苏州东微半导体股份有限公司独立董事 第一届董事会第十八次会议 (本页无正文,为《苏州东微半导体股份有限公司独立董事关于第一届董事会 第十八次会议相关事项的独立意见》签署页) 独立董事签署: 关于第一届董事会第十八次会议相关事项的独立意见 根据《中华人民共和国公司法》《上市公司独立董事规则》《苏州东微半导 体股份有限公司独立董事工作制度》和《苏州东微半导体股份有限公司章程》的 有关规定,我们作为苏州东微半导体股份有限公司(以下简称"公司")独立董 事,对公司第一届董事会第十八次会议的相关事项发表如下独立意见: 一、《关于公司<2023 年半年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告> 的议案》的独立意见 我们认为:公司 2023年半年度募集资金存放与实际使用情况符合《中华人 民共和国证券法》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号 -- 规 范运作》《上市公司监管指引第2号 -- 上市公司募集资金管理和使用的监管要 求》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规范性文件及 公司《募集资金管理制度》的规定。报告期内,公司已按相关规定及时、准 ...
东微半导:苏州东微半导体股份有限公司关于召开2022年年度业绩说明会的公告
2023-05-04 17:34
证券代码:688261 证券简称:东微半导 公告编号:2023-022 苏州东微半导体股份有限公司 关于召开2022年年度业绩说明会的公告 一、说明会类型 苏州东微半导体股份有限公司(以下简称"公司")已于 2023 年 4 月 20 日 在上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)披露了《苏州东微半导体股份有限公 会议召开时间:2023 年 5 月 12 日(星期五)10:00-11:00 会议召开方式:网络互动方式 会议召开地点:价值在线(www.ir-online.cn) 会议问题征集:投资者可于 2023 年 5 月 12 日(星期五)上午 9:00 前访 问网址 https://eseb.cn/14alSBjRw2s 或使用微信扫描下方小程序码进行 会前提问,公司将通过本次业绩说明会,在信息披露允许范围内就投资 者普遍关注的问题进行回答。 司 2022 年年度报告》及《苏州东微半导体股份有限公司 2022 年年度报告摘要》。 为便于广大投资者更加全面深入地了解公司经营业绩、发展战略等情况,公司定 于 2023 年 5 月 12 日(星期五)10:00-11:00 在"价值在线"(www.ir ...
东微半导(688261) - 2023 Q1 - 季度财报
2023-04-28 00:00
财务表现 - 本报告期营业收入为302,170,776.06元,同比增长46.93%[4] - 归属于上市公司股东的净利润为71,126,487.13元,同比增长48.98%[4] - 研发投入合计为19,019,038.74元,同比增长129.73%[4] - 公司持续加大市场拓展力度,导致营业收入增长[6] - 公司持续开拓新兴市场,产品技术迭代和产品结构优化促进利润增长[7] - 公司加强研发投入,特别是先进工艺产品研发,导致研发投入增长[9] - 公司销售规模持续扩大,盈利能力不断提升,利润持续增长[8] - 公司持续加强研发投入,材料领用、职工薪酬等投入持续增长[9] - 公司持续加大市场拓展力度,销售规模不断增加[6] - 2023年第一季度营业总收入为30.22亿元,同比增长46.9%[16] - 2023年第一季度营业总成本为22.63亿元,同比增长49.2%[16] - 2023年第一季度净利润为7.11亿元,同比增长49.1%[17] - 基本每股收益为1.06元,同比增长37.7%[18] 股东情况 - 苏州工业园区高维企业管理合伙企业持有无限售条件流通股数量为2,236,960股[11] - 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业持有无限售条件流通股数量为1,511,243股[11] - 公司未知上述其他股东之间是否存在关联关系或一致行动关系的情况[12] 资产负债情况 - 公司流动资产合计为2,870,308,241.87元,较上一季度增加了27,960,374.3元[13] - 公司非流动资产合计为103,054,063.05元,较上一季度增加了18,975,576.26元[14] - 公司流动负债合计为55,334,759.67元,较上一季度减少了24,081,143.19元[15] - 公司非流动负债合计为12,402,244.08元,较上一季度减少了104,449.11元[15] 现金流量 - 经营活动现金流出小计为32.76亿元[19] - 投资活动现金流出小计为40.10亿元[20] - 筹资活动产生的现金流量净为2,034,081,513.73[21] - 现金及现金等价物净增加额为1,714,477,373.09[21] - 期末现金及现金等价物余额为2,138,712,728.82[21]
东微半导(688261) - 2022 Q4 - 年度财报
2023-04-20 00:00
公司基本信息 - 公司中文名称为苏州东微半导体股份有限公司,简称东微半导[18] - 公司法定代表人为龚轶[18] - 公司注册地址为苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室[18] - 公司办公地址为苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层,邮政编码215121[18] - 公司网址为http://www.orientalsemi.com/,电子信箱为enquiry@orientalsemi.com[18] - 董事会秘书(信息披露境内代表)姓名为李麟[19] - 董事会秘书联系地址为苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层[19] - 董事会秘书电话为+86 512 62668198,传真为+86 512 62534962[19] - 董事会秘书电子信箱为enquiry@orientalsemi.com[19] 利润分配与股本变动 - 公司2022年度拟向全体股东每10股派发现金红利14.76元(含税),按总股本67,376,367股计算,合计拟派发现金红利99,447,517.69元(含税),现金分红金额占2022年度合并报表中归属于母公司股东净利润的比例为34.97%[6] - 公司拟以资本公积向全体股东每10股转增4股,按总股本67,376,367股计算,合计转增26,950,547股,转增后公司总股本增加至94,326,914股[6] 整体财务数据关键指标变化 - 2022年营业收入11.16亿元,较2021年增长42.74%[25] - 2022年归属于上市公司股东的净利润2.84亿元,较2021年增长93.57%[25] - 2022年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2.68亿元,较2021年增长90.59%[25] - 2022年末归属于上市公司股东的净资产28.35亿元,较2021年末增长400.98%[25] - 2022年末总资产29.26亿元,较2021年末增长365.57%[25] - 2022年基本每股收益4.31元,较2021年增长48.11%[26] - 2022年研发投入占营业收入的比例为4.92%,较2021年减少0.38个百分点[27] - 2022年公司毛利率较上年同期上涨5.24个百分点[28] - 2022年第一季度至第四季度营业收入分别为2.06亿元、2.61亿元、3.24亿元、3.26亿元[30] - 2022年第一季度至第四季度归属于上市公司股东的净利润分别为4774.33万元、6903.61万元、8325.26万元、8432.43万元[30] - 2022年公司实现营业收入111,636.35万元,较上年同期增长42.74%;归属于上市公司股东的净利润28,435.63万元,较上年同期增长93.57%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润26,778.76万元,较上年同期增长90.59%[41] - 2022年计入当期损益的政府补助(符合条件)为11,782,026.90元,2021年为7,940,913.24元,2020年为6,206,504.81元[32] - 2022年交易性金融资产公允价值变动损益及处置投资收益为7,050,554.80元,2021年为101,569.20元,2020年为2,784,681.35元[32] - 2022年非经常性损益合计16,568,744.45元,2021年为6,396,777.62元,2020年为7,280,586.07元[33] - 2022年应收款项融资期初余额3,759,520.10元,期末余额14,434,052.14元,当期变动10,674,532.04元[35] - 2022年交易性金融资产期末余额140,089,178.09元,当期变动140,089,178.09元,对当期利润影响89,178.09元[35] - 公司营业成本7.37亿元,较上年同期增长32.26%[151][156] - 公司综合毛利率为33.96%,较上年同期增加5.24个百分点[156] - 经营活动产生的现金流量净额1.42亿元,较上年增长8.74%;投资活动产生的现金流量净额 - 1.85亿元,较上年减少1326.01%;筹资活动产生的现金流量净额19.74亿元[152] - 公司2022年实现营业收入111,636.35万元,较上年同期增长42.74%,综合毛利率为33.96%,较上年同期增加5.24个百分点,营业成本较上年同期增长32.26%[159] - 境内营业收入1,094,105,784.34元,较上年增长34.17%;境外营业收入22,257,690.29元,较上年增长23.34%[159] - 经销模式营业收入779,348,242.94元,较上年增长55.97%;直销模式营业收入337,015,231.69元,较上年增长19.34%[159] - 功率半导体产品生产量24,849.77万颗,较上年减少13.85%;销售量24,323.33万颗,较上年减少11.52%;库存量2,114.82万颗,较上年增加27.71%,产销率达97.88%[162] - 集成电路材料成本61,183.73万元,较上年增长35.71%;封测费用12,362.82万元,较上年增长17.37%;运输费用182.19万元,较上年增长44.63%[164][165] - 晶圆材料成本5,549.46万元,较上年减少36.94%;功率半导体产品材料成本55,634.27万元,较上年增长53.33%;封测费用12,362.82万元,较上年增长17.37%;运输费用182.19万元,较上年增长44.63%[165] - 前五名客户销售额62,989.77万元,占年度销售总额56.42%;其中关联方销售额13,433.49万元,占年度销售总额12.03%[166] - 前五名供应商采购额78,843.03万元,占年度采购总额96.69%,关联方采购额为0万元[169] - 销售费用本期数9,376,091.32元,上年同期数7,523,654.14元,变动比例24.62%[172] - 管理费用本期数22,402,974.53元,上年同期数15,200,285.67元,变动比例47.39%[172] - 研发费用本期数54,927,269.69元,上年同期数41,433,948.60元,变动比例32.57%[173] - 经营活动产生的现金流量净额本期数141,630,114.33元,上年同期数130,246,075.31元,变动比例8.74%[174] - 投资活动产生的现金流量净额本期数 -184,914,748.56元,上年同期数15,082,596.91元,变动比例 -1326.01%[174] - 货币资金本期期末数2,304,109,455.98元,占总资产比例78.73%,上期期末数372,595,289.99元,占比59.28%,变动比例518.39%[175] - 应收账款本期期末数181,064,234.82元,占总资产比例6.19%,上期期末数103,697,058.20元,占比16.50%,变动比例74.61%[177] - 存货本期期末数175,041,780.15元,占总资产比例5.98%,上期期末数99,615,443.66元,占比15.85%,变动比例75.72%[177] - 长期股权投资为40342921.90元,占比1.38%,新增投资苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业[178] - 固定资产为10548496.08元,占比0.36%,较上期增长51.85%,因经营规模扩大新增购买研发测试设备[178] - 无形资产为2340852.24元,占比0.08%,较上期增长240.73%,因加大研发投入新增购买研发设计软件[178] - 应付票据为10762097.49元,占比0.37%,较上期减少62.50%,因减少开立银行承兑汇票结算货款[178] - 应付账款为24424471.72元,占比0.83%,较上期增长70.13%,因采购规模扩大应付货款增加[178] - 应付职工薪酬为12140374.16元,占比0.41%,较上期增长127.90%,因经营规模扩大员工人数增加及薪资上调[179] - 应交税费为18299665.76元,占比0.63%,较上期增长309.74%,因盈利能力提升应交企业所得税增加[179] - 报告期投资额为41000000元,公司作为有限合伙人认缴出资60000000元,占基金首期认缴出资总额的84.507%[184] - 交易性金融资产期末数为140089178.09元,本期公允价值变动损益为89178.09元,本期购买金额为1555000000元,本期出售/赎回金额为1415000000元[186] - 苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业截至报告期末已投资金额为41000000元,报告期损益为 - 657078.10元[187] 各条业务线数据关键指标变化 - 2022年公司高压超级结MOSFET产品营业收入91,405.97万元,较2021年同期增长60.77%[41] - 2022年公司Tri - gate IGBT产品营业收入4,461.27万元,较2021年同期增长685.21%[41] - 2022年公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入15,564.69万元,超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入204.29万元[41] - 2022年公司SiC器件(含Si2C MOSFET)首次实现营业收入[41] - 功率半导体产品营业收入10.47亿元,较上年增长59.85%,营业成本6.82亿元,较上年增长45.23%,毛利率增加6.55个百分点[158] - 晶圆营业收入6931.80万元,较上年减少45.45%,营业成本5549.46万元,较上年减少36.94%,毛利率减少10.81个百分点[158] - 汽车及工业级应用收入占主营业务收入约80%,新能源汽车直流充电桩领域收入占比约15%,较上年增长约6%;各类工业及通信电源领域收入占比约15%,较上年增长约63%;光伏逆变器领域收入占比约20%,较上年增长逾400%;车载充电机领域收入占比逾21%,较上年增长约500%[161] 产品相关信息 - 公司主营产品规格型号达2196余款,其中高压超级结MOSFET产品1220款,中低压屏蔽栅MOSFET产品816款,TGBT产品160款及多款SiC器件[49] - 公司高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET已批量出货给比亚迪等公司,多次获比亚迪子公司“优秀供应商”称号[44] - 公司TGBT产品销售收入迅速增长,E系列用于60kHz频率电源系统实现国产替代,L系列替代国外超低Vcesat IGBT [45] - 公司开发出SiC二极管和Si2C MOSFET,Si2C MOSFET已小批量供货,实现对传统SiC MOSFET替代[47] - 公司产品在欧洲市场送测认证多个领域并批量出货,开始开拓北美及东南亚市场[48] - 公司高压超级结MOSFET的标准通用系列产品包含500V - 950V全系列[59] - 公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V - 250V工作电压[61] - 公司TGBT产品工作电压范围覆盖600V - 1350V,工作电流覆盖15A - 200A[64] - 公司TGBT高速系列开关频率可达100kHz[65] - 公司TGBT低导通压降系列导通压降可降低至1.5V及以下[65] - 公司TGBT超低导通压降系列导通压降可达1.2V以下[65] - 公司高压超级结MOSFET产品为GreenMOS系列,有开关速度快等特点[58] - 公司中低压MOSFET产品包括SFGMOS和FSMOS系列,各有优势[61] - 公司超级硅MOSFET产品性能对标氮化镓功率器件,适用于多种电源[63] - 公司多种核心技术产品涵盖不同电压范围,如多层外延超级结MOSFET涵盖200V - 1200V,中低压屏蔽栅SFG MOSFET涵盖60V - 150V等[103] - 90A的Hybrid - FET产品已批量应用于客户系统,稳定出货,客户端最高工作频率可达80kHz以上,采用该产品的系统效率比传统器件系统大幅提升[110] - 650V 60mohm Si2C MOSFET器件反向恢复时间达37纳秒,远小于超级结器件的180纳秒,可替换SiC MOSFET并降低成本[111] - 公司已自主研发1220款高压MOSFET产品、816款中低压屏蔽栅MOSFET产品、160款TGBT产品系列及多款SiC器件[130] - 公司超级硅MOSFET已批量进入全球第一大微逆变厂商Enphase Energy[129] - 公司TGBT产品销售收入迅速增长,批量进入多个新能源领域头部企业[129] - 公司具有
东微半导(688261) - 2022 Q3 - 季度财报
2022-10-24 00:00
2022 年第三季度报告 证券代码:688261 证券简称:东微半导 苏州东微半导体股份有限公司 2022 年第三季度报告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗 漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示: 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整, 不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人(会计主管人员)保证季度报告中财务 信息的真实、准确、完整。 第三季度财务报表是否经审计 □是 √否 一、 主要财务数据 主要会计数据和财务指标 | --- | --- | --- | --- | --- | --- | |------------------------------------------------|----------------|-----------------------------------|--------|----------------|------------------------------------ ...
东微半导(688261) - 2022 Q2 - 季度财报
2022-08-27 00:00
公司代码:688261 公司简称:东微半导 2022 年半年度报告 苏州东微半导体股份有限公司 2022 年半年度报告 1 / 170 2022 年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、 完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险,敬请查阅本报告第三节 "管理层讨论与分析"之"五、风险因素"。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人(会计主管人员)谢长勇声 明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请 投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定 ...
东微半导(688261) - 2022 Q1 - 季度财报
2022-04-28 00:00
2022 年第一季度报告 证券代码:688261 证券简称:东微半导 苏州东微半导体股份有限公司 2022 年第一季度报告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。。 重要内容提示 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整,不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人(会计主管人员)保证季度报告中财务报表 信息的真实、准确、完整。 第一季度财务报表是否经审计 □是 √否 1 / 19 2022 年第一季度报告 一、 主要财务数据 | --- | --- | --- | --- | --- | |-----------------------------------------------|------------------|----------------|-------|----------------------------------------| | ( 一)主要会计数据和财务指标 | | | | ...
东微半导(688261) - 2021 Q4 - 年度财报
2022-04-22 00:00
财务数据关键指标变化 - 2021年营业收入为7.82亿元,同比增长153.28%[26] - 2021年归属于上市公司股东的净利润为1.47亿元,同比增长430.66%[26] - 2021年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.41亿元,同比增长588.67%[26] - 2021年经营活动产生的现金流量净额为1.30亿元,相比2020年的-3748.57万元大幅改善[26] - 2021年末归属于上市公司股东的净资产为5.66亿元,同比增长35.07%[26] - 2021年末总资产为6.29亿元,同比增长43.63%[26] - 2021年基本每股收益为2.91元/股,同比增长385.00%[26] - 2021年扣除非经常性损益后的基本每股收益为2.78元/股,同比增长531.82%[26] - 2021年加权平均净资产收益率为29.84%,同比增加17.18个百分点[26] - 2021年毛利率同比上涨10.87个百分点[29] - 公司2021年营业收入为7.82亿元,同比增长153.28%[39] - 归属于上市公司股东的净利润为1.47亿元,同比增长430.66%[39] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.41亿元,同比增长588.67%[39] - 公司报告期内营业收入为782,091,845.56元,同比增长153.28%[198] - 归属于上市公司股东的净利润为146,903,706.46元,同比增长430.66%[198] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为140,506,928.84元,同比增长588.67%[198] 成本和费用 - 营业成本为557,446,096.06元,同比增长119.76%[198] - 研发费用为41,433,948.60元,同比增长159.07%[198] - 2021年公司研发费用投入为4,143.39万元,同比增长159.07%,研发人员33名,占员工总数44%[52] - 公司2021年研发投入总额为41,433,948.60元,同比增长159.07%[146] - 研发投入总额占营业收入比例为5.30%,较上年增加0.12个百分点[146] 分红和股东回报 - 公司2021年度拟向全体股东每10股派发现金红利3.30元(含税),总股本67,376,367股,合计派发现金红利22,234,201.11元(含税)[5] - 2021年度现金分红金额占归属于母公司股东的净利润比例为15.14%[5] - 公司2021年度不进行资本公积金转增股本,不送红股[5] 业务线表现 - 高压超级结MOSFET产品全年营业收入为56,856.56万元,同比增长128.27%[39] - 中低压屏蔽栅MOSFET产品全年营业收入为20,569.47万元,同比增长246.85%[39] - 超级硅MOSFET产品全年营业收入为214.99万元,同比增长432.63%[39] - Tri-gate IGBT产品首次量产出货,全年营业收入为568.17万元[39] - 公司高压超级结MOSFET产品销售收入占比为72.70%[100] - 创新型Tri-gate IGBT器件产品在2021年下半年迅速起量,高速增长[103] 产品和技术 - 公司2021年年度报告显示主要产品包括MOSFET、IGBT等功率半导体器件[18] - 公司拥有独立知识产权的Tri-gate IGBT(TGBT)产品系列[18] - 每片8英寸晶圆可生产数百至数万颗单芯片[18] - 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料应用于高压大功率领域[20] - 功率MOSFET的导通电阻直接影响器件功率损耗[20] - IGBT产品具有高输入阻抗、易驱动、高工作频率等特点[18] - 公司采用垂直一体化(IDM)和Fabless两种业务模式[18] - 功率模块产品具有高集成度、高功率密度特点[18] - 公司高压超级结MOSFET技术涵盖200V~1200V电压范围,行业领先的FOM (Rds(on)*Qg)优值[130] - 中低压屏蔽栅MOSFET技术涵盖60V~150V电压范围,具有高EAS版图优化技术和高可靠性[130] - 超级硅MOSFET技术在快速充电器应用中效率接近氮化镓(GaN)功率模块[130] - Tri-gate IGBT技术具有大电流密度、栅极电荷小和开关损耗低的特点[130] - Hybrid-FET器件结合IGBT与MOSFET优点,具有宽广安全工作区和高速关断能力[133] - 新型第三代半导体SiC器件具有高速开关、超低反向恢复时间与高可靠性[133] - 2021年公司高压超级结MOSFET和中低压屏蔽栅MOSFET已在12英寸产线实现量产[135][137] - 超级硅MOSFET采用成熟硅基工艺,可靠性高于氮化镓且生产成本更低[137] - Tri-gate IGBT通过多个客户验证并实现高性能IGBT国产替代[133] - 2021年研发经费、人员、专利及新品开发数量快速增加,数字化系统提升研发效率[133] 研发投入和成果 - 公司拥有产品规格型号1790余款,包括高压超级结MOSFET产品1100款,中低压SGT产品641款,IGBT产品52款[141] - 2021年新增发明专利申请16个,获得5个,累计发明专利118个,获得38个[145] - 公司第四代高压GreenMOS超级结技术研发成功并小批量出货,预计2022年开始大批量供货[141] - 公司基于12英寸工艺的高压超级结MOSFET技术大规模稳定量产,下一代技术开发顺利进行[142] - 公司650V、1200V及1350V第一代TGBT器件技术研发成功并实现量产,电流密度达国际主流第七代IGBT水平[143] - 公司开发出6种600/650V Hybrid-FET规格产品,该技术处于国内领先水平[139][143] - 第三代超级结器件研发项目累计投入14,210,013.33元,产品平台开发完成并进入批量生产阶段[149] - 超级硅功率器件项目预计总投资13,490,000元,旨在提升高压超级结MOSFET的开关速度和降低损耗[152] - 8英寸线700V及以上GreenMOS高压超级结芯片研发投入23,510,000元,完成700V~950V额定电压平台搭建,1000V以上规格处于开发阶段[155] - 12英寸先进工艺GreenMOS超级结MOSFET研发投入24,510,000元,完成40颗以上8英寸到12英寸产品转产工作[155] - 900V以下三栅IGBT研发投入14,060,000元,完成650V Trigate IGBT多个系列产品开发[158] - 900V及以上三栅IGBT研发投入16,670,000元,完成1200V与1350V逆导型与非逆导型Tri-gate IGBT平台开发[158] - 第三代半导体SiC功率器件研发投入14,470,000元,完成650V SiC产品工艺与器件设计[161] - 公司研发人员数量33人,较上年同期增加37.50%,研发人员薪酬合计1,285.39万元[164] - 研发人员中博士研究生3人,硕士研究生8人,本科15人[164] - 公司已自主研发1100种高压MOSFET产品型号,覆盖500V-950V工作电压[168] - 公司自主研发641种中低压MOSFET产品型号,覆盖25V-150V工作电压[168] - 公司自主研发52款TGBT产品系列,多个系列进入批量生产状态[168] 客户和市场 - 2021年公司中低压屏蔽栅MOSFET产品批量进入宝时得、创科集团、喜利得等电动工具厂商,以及海尔集团、美的集团、伊莱克斯等家电厂商[44] - 2021年公司TGBT器件批量应用于光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域,客户包括优优绿能、古瑞瓦特、比亚迪等[48] - 公司拥有强大的全球终端客户基础,包括工业电源领域的客户A、中国长城、麦格米特等,新能源汽车充电桩领域的英可瑞、特锐德等,以及消费电子领域的视源股份、美的集团等[169] - 公司与上游晶圆制造厂商、封装测试厂商建立了长期稳定的合作关系,具备深度定制化开发能力[171] - 公司产品广泛应用于新能源汽车直流充电桩、5G基站电源、光伏逆变及储能等领域[175] - 公司在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域市场占有率相对较低,主要份额仍被国外厂商占据[178] 行业趋势和竞争 - 2019年全球功率半导体市场规模为464亿美元,预计2024年增长至522亿美元,年化复合增长率2.4%[86] - 2019年中国功率半导体市场规模为177亿美元,占全球市场38%,预计2024年达206亿美元,年化复合增长率3.1%[86] - 2020年中国MOSFET器件市场规模35.19亿美元,2021年增长至37.92亿美元,增长率7.75%[87] - 预计2025年全球光伏逆变器新增装机量330GW,IGBT市场规模超百亿,其中单管市场空间约40亿元[91] - 预计2025年电动车IGBT市场规模达572亿元[91] - 功率MOSFET特别是超级结MOSFET和IGBT等高端产品仍较大程度依赖进口,未来进口替代空间巨大[86][87] - 高压超级结MOSFET行业增速有望超过中低压产品,受益于5G基站和新能源汽车需求增长[88] - 公司属于功率半导体细分领域,行业代码C39,技术门槛高且依赖工艺改进和新材料迭代[83][92] - 半导体行业呈现IDM与Fabless模式共存局面,以平衡技术迭代和产能灵活性[92] 新能源汽车和充电桩市场 - 2021年全国新能源汽车保有量达784万辆,占汽车总量的2.60%,同比增长59.25%[109] - 2021年全国新注册登记新能源汽车295万辆,占新注册登记汽车总量的11.25%,同比增长151.61%[109] - 截至2021年底全国充电桩保有量达261.7万台,较2020年新增94万台,同比增长56%[110] - 2021年全国公共充电桩114.7万台,较2020年新增34万台,同比增长42%[110] - 2019年新能源汽车SiC器件市场规模2.25亿美元,预计2025年增长至15.53亿美元,复合增长率38%[105] - 2017-2021年全国充电桩保有量从44.6万台增至261.7万台,5年复合增长率56%[110] - 2021年纯电动汽车保有量640万辆,占新能源汽车总量的81.63%[109] - 2021年月均新增公共充电桩约2.83万台[110] - 2017年至2019年,直流充电桩占比从28.7%上升至41.6%[116] - 2019年至2021年,直流充电桩占比稳定在约四成,交流充电桩占比约六成[116] - 100kW充电桩需要功率器件价值量为200-300美元[116] - 截至2021年底,全国新能源汽车保有量达784万辆,占汽车总量2.60%[126] - 纯电动汽车保有量640万辆,占新能源汽车总量81.63%[126] 5G基站市场 - 截至2021年底,我国累计建成并开通5G基站142.5万个,全年新增65.4万个[117] - 2022年计划新建60万以上5G基站,基站总数年底达200万个[117] - 5G基站功率需求为11.577kW,较4G提升68%[120] - 5G基站数量需求是4G的2-3倍[120] - Massive MIMO天线阵列所需功率半导体价值从25美元增至100美元[122] 公司管理和风险 - 公司联合创始人龚轶拥有超过20年半导体研发管理经验,曾任职于超微半导体和英飞凌科技[174] - 公司联合创始人王鹏飞博士从事半导体技术研发超过20年,曾任职于英飞凌科技并担任复旦大学微电子学院教授[174] - 公司核心技术人员均拥有超过10年半导体技术开发经验,且在公司任职超过5年[174] - 公司晶圆供应商集中度较高,晶圆代工行业产能紧张可能对产品出货量和收入增长造成不利影响[179] - 公司主要产品为MOSFET,若下游市场需求增速放缓或未能实现技术突破,可能影响营收和盈利能力[180] - 公司供应链管理风险较高,产品质量或交付问题可能影响销售和品牌声誉[183] - 公司经销收入占比为63.89%[186] - 报告期末应收账款账面价值为10,369.71万元[187] - 报告期末存货账面价值为9,961.54万元[188] - 公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响[185]