第二季度财务表现 - 第二季度2024年总收入为2050万美元，较2023年同期的1810万美元增长13%[5] - 第二季度2024年GAAP运营亏损为3110万美元，较2023年同期的2720万美元亏损增加[5] - 第二季度2024年现金及现金等价物为1.12亿美元，无债务[5] 第三季度预期 - 第三季度2024年净收入预计为2,200万美元，加减500,000美元[8] - 第三季度2024年非GAAP毛利率预计为40%加减50个基点[8] - 第三季度2024年非GAAP运营费用预计约2150万美元[8] 客户项目发展 - 企业/人工智能数据中心领域的客户管道自2023年12月投资者日以来翻了一番，有60多个客户项目在开发中，第二季度又获得了7个数据中心设计胜利[7] - 电动车/电动出行领域的客户管道增长迅猛，现有超过200个项目，第二季度有15个设计胜利，预计到2025年底将实现首笔GaN收入[7] - 家电/工业领域的客户管道超过了2023年12月所述的3.8亿美元，预计2025年将在各个客户和地区实现收入增长，包括7家前十大家电企业。预计2025年或2026年将有25个新项目获胜，包括美发、洗衣机、烘干机、冰箱、热泵、工业暖通空调、机器人和自动化应用[7] - 太阳能/储能领域的SiC（用于串联逆变器和储能）和GaN（用于微逆变器）正在取代传统硅芯片，有100多个客户项目，包括大多数前十大太阳能公司。第二季度有6个新的商业设计胜利，预计明年将实现美国基于GaN的微逆变器的扩大[7] 公司财务状况 - 公司截至2023年12月31日的总资产为485,546美元，总负债为104,929美元，股东权益为380,617美元[22] - 公司截至2023年12月31日的现金及现金等价物为152,839美元，应收账款净额为25,858美元，存货为22,234美元，无形资产净额为91,099美元，商誉为163,215美元，其他资产为6,701美元[22] 第二季度财务数据 - 2024年第二季度净营收为20,468,000美元，同比增长13.4%[17] - 2024年第二季度GAAP毛利润为4,031,000美元，毛利率为19.7%[18] - 非GAAP毛利润为8,239,000美元，毛利率为40.3%[19] - 2024年第二季度GAAP研发费用为18,971,000美元，销售、总务及管理费用为15,382,000美元[19] - 非GAAP研发费用为12,533,000美元，销售、总务及管理费用为9,012,000美元[19] - 2024年第二季度GAAP营运亏损为31,137,000美元，非GAAP营运亏损为13,306,000美元[19] - 2024年第二季度净亏损为22,328,000美元，每股基本和稀释净亏损均为0.12美元[17] - 非GAAP净亏损为12,047,000美元，每股基本和稀释净亏损均为0.07美元[20]

公司动态 - Navitas Semiconductor宣布三星扩大了对其GaNFast ICs的采用范围，从旗舰Galaxy S22、S23和S24扩展到主流Galaxy A系列，以及革命性的Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6智能手机，这些手机配备了增强的Galaxy AI功能 [1] 技术优势 - GaN技术比传统硅技术快20倍，使充电器在体积和重量减半的情况下，功率提升3倍，充电速度提升3倍 [2] - GaNFast功率IC实现了高频、高效功率转换，相比之前的设计缩小了50% [2] - 新的25W充电器（EP-T2510）采用节能技术，将待机损耗减少75%，仅为5 mW，每个GaNFast IC相比传统硅芯片可减少4 kg的CO2排放 [2] 行业地位 - Navitas Semiconductor是唯一一家专注于下一代功率半导体的公司，拥有10年的功率创新历史 [3] - 公司自2018年推出全球首款量产GaN充电器以来，一直引领GaN技术替代传统硅芯片的潮流 [3] - Navitas与三星的生产合作始于Galaxy S22 Ultra，此次合作标志着GaN技术从旗舰设计向高销量主流手机的扩展 [3] 市场与专利 - Navitas Semiconductor专注于电动汽车、太阳能、储能、家用电器/工业、数据中心、移动和消费市场 [3] - 公司拥有超过250项已发布或待批的专利 [3] - Navitas是首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司，并提供行业唯一的20年GaNFast保修 [3]

公司新产品发布 - 公司推出新一代Gen-3 'Fast' (G3F) 650 V SiC MOSFETs，采用热增强型、坚固、高速、表面贴装TOLL封装，适用于高功率、高可靠性应用 [1] - 该产品结合高功率能力和最佳的低导通电阻（20至55 mΩ），优化了最快开关速度、最高效率和增加功率密度，适用于AI数据中心电源、电动汽车充电、能源存储和太阳能解决方案 [2] - 公司GeneSiC产品采用专有的“沟槽辅助平面”技术，提供世界领先的效率性能，G3F MOSFETs在运行温度下可降低25°C，寿命比同类SiC产品长3倍 [3] 技术优势与应用 - 公司最新的4.5 kW AI电源系统参考设计采用G3F45MT60L（650V 40 mΩ, TOLL）G3F SiC MOSFET，峰值效率超过97%，功率密度为137 W/inch³，是全球最高功率密度的AI电源 [4] - TOLL封装相比传统D2PAK-7L，减少了9%的结到壳热阻（RTH,J-C），PCB占用面积减少30%，高度降低50%，尺寸缩小60%，并具有仅2 nH的封装电感，实现优异的快速开关性能和最低动态损耗 [5] 公司背景与市场定位 - 公司是唯一专注于下一代功率半导体的纯玩家，拥有10年的功率创新历史，GaNFast™功率IC集成了氮化镓（GaN）功率和驱动，具有控制、传感和保护功能，适用于电动汽车、太阳能、能源存储、家用电器/工业、数据中心、移动和消费市场 [7] - 公司拥有超过250项已发布或待批的专利，提供行业首个20年GaNFast保修，并是全球首个获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [7]

公司财务信息 - Navitas Semiconductor将于2024年8月5日市场收盘后公布2024年第二季度财务业绩 [1] - 公司管理层将在同一天下午2:00（太平洋时间）/5:00（东部时间）举行电话会议和网络直播，介绍财务业绩并回答金融分析师的问题 [1] - 电话会议可通过免费拨号(800) 715-9871或(646) 307-1963接入，会议ID为6394013 [2] - 网络直播可通过https://edge.media-server.com/mmc/p/5g4qt2xi访问 [2] - 电话会议的回放将在公司投资者关系网站https://ir.navitassemi.com/上提供 [2] 公司概况 - Navitas Semiconductor是一家专注于下一代功率半导体的公司，成立于2024年，拥有10年的功率创新历史 [3] - 公司产品包括GaNFast™功率集成电路，集成了氮化镓（GaN）功率和驱动，具有控制、传感和保护功能，可实现更快充电、更高功率密度和更大节能 [3] - 公司还提供GeneSiC™功率器件，优化了高功率、高电压和高可靠性的碳化硅（SiC）解决方案 [3] - 公司专注于电动汽车、太阳能、储能、家用电器/工业、数据中心、移动和消费市场 [3] - 公司拥有超过250项已发布或正在申请的专利 [3] - 截至2023年8月，公司已出货超过1.25亿个GaN单元和1200万个SiC单元，并提供行业首个也是唯一一个20年GaNFast保修 [3] - Navitas是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [3] 商标和联系信息 - Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense、GeneSiC和Navitas标志是Navitas Semiconductor Limited及其附属公司的商标或注册商标 [4] - 其他品牌、产品名称和标志可能是其各自所有者的商标或注册商标 [4] - 公司联系人为企业营销和投资者关系副总裁Stephen Oliver，邮箱为ir@navitassemi.com [4] - 公告附带的照片可在https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/b5e89bdf-370c-48cc-b7f7-13b91dee71bb查看 [4]

公司财务信息 - 公司将于2024年8月5日公布2024年第二季度财务报告 财务报告将在市场收盘后发布 管理层将在当天下午2:00（太平洋时间）/5:00（东部时间）举行电话会议和网络直播 会议将介绍财务结果并回答金融分析师的问题 [1] - 电话会议和网络直播的具体信息包括 时间 2024年8月5日 下午2:00（太平洋时间）/5:00（东部时间） 免费拨入号码 (800) 715-9871 或 (646) 307-1963 会议ID 6394013 网络直播链接 https://edge.media-server.com/mmc/p/5g4qt2xi 会议回放将在公司投资者关系网站上提供 [2] 公司业务与技术 - 公司是唯一一家专注于下一代功率半导体的纯业务公司 成立于2024年 庆祝10年的电源创新 GaNFast™功率集成电路集成了氮化镓（GaN）功率和驱动 具有控制 传感和保护功能 可实现更快充电 更高功率密度和更大节能 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率 高电压和高可靠性碳化硅（SiC）解决方案 [4] - 公司专注于电动汽车 太阳能 储能 家用电器/工业 数据中心 移动和消费市场 拥有超过250项已发布或待批的专利 截至2023年8月 已发货超过1.25亿个GaN单元和1200万个SiC单元 并提供行业首个也是唯一一个20年GaNFast保修 公司是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [4] 公司品牌与联系信息 - 公司拥有多个商标和注册商标 包括Navitas Semiconductor GaNFast GaNSense GeneSiC和Navitas标志 其他品牌 产品名称和标志可能是其各自所有者的商标或注册商标 [3] - 公司联系信息包括 企业营销与投资者关系副总裁Stephen Oliver 电子邮件 ir@navitassemi.com [3]

文章核心观点 - 公司2024年收入增长预期有所放缓 [4] - 公司客户管线持续增长,为未来发展奠定基础 [5][6][8] - 数据中心、电动车、太阳能等领域的新项目将带来未来收入增长 [5][8] - 公司正在采取措施提高运营效率,实现盈利 [10][11] 根据相关目录分别进行总结 2024年收入增长放缓 - 公司2024年第二季度收入预期仅增长10%,低于此前预期 [4] - 这是由于电动车、太阳能和工业市场需求疲软所致 [4] - 但公司客户管线持续增长,为未来发展奠定基础 [5] 数据中心业务发展 - 公司已获得3个主要电源公司的设计赢单 [5] - 随着人工智能发展,数据中心功耗需求大幅增加,公司有望从中获益 [7][8] 电动车业务发展 - 公司电动车客户管线增长超过50% [8] - 公司推出新一代车载充电器产品,将带来2025年收入增长 [8] 太阳能及工业业务发展 - 公司太阳能及工业客户管线大幅增长 [8] - 多个主要客户正在向公司的GaN技术转型,将带来2025年收入增长 [8][9] 移动及消费电子业务 - 公司已与全球前10大手机及笔记本电脑品牌合作 [9] - 公司在1季度推出了20款新的快充产品 [9] 财务表现 - 公司需要实现每季度50-55百万美元收入才能达到经营利润平衡 [10] - 新任CFO致力于提高运营效率和盈利能力 [10][11] - 公司目前现金储备可支撑3-4年运营,但未来可能需要融资 [12]

公司动态 - Navitas Semiconductor 将与日本销售和营销合作伙伴 J Rep 合作，在日本最大的电力电子贸易展 Techno-Frontier 上展示其最新技术和产品 [1] - 展示的产品包括混合 GaN-SiC AI 服务器电源、无需散热器的三相 GaN 工业电机驱动器以及基于 GaN 的 8K-LED 电视电源 [1] - Navitas 和 J Rep 将重点展示 GaNSafe™、Gen-4 GaNSense™ 半桥 IC 和 Gen-3 Fast GeneSiC 功率 FET 等关键技术 [2] - Techno-Frontier 将于 7 月 24 日至 26 日在东京 Big Sight 展览中心举行，Navitas 的产品将在 J Rep 的展位展示 [3] 公司背景 - Navitas Semiconductor 是唯一一家专注于下一代功率半导体的公司，成立于 2014 年，拥有 10 年的电力创新历史 [4] - 公司专注于 GaNFast™ 功率 IC 和 GeneSiC™ 功率器件，主要市场包括电动汽车、太阳能、储能、家用电器/工业、数据中心、移动和消费电子 [4] - 截至 2023 年 8 月，Navitas 已出货超过 1.25 亿个 GaN 和 1200 万个 SiC 单元，并提供行业首个 20 年 GaNFast 保修 [4] - Navitas 是全球首家获得 CarbonNeutral® 认证的半导体公司 [4] 合作伙伴 - J Rep 是一家专注于电力电子的贸易公司，成立于 2000 年，总部位于日本大阪 [5] - 2024 年 7 月，J Rep 被 Kanematsu Futuretech Solutions Corporation (KFT) 收购，成为其全资子公司 [5] 行业活动 - Techno-Frontier 是日本唯一一个专注于电源和组件的展览，自 1981 年成立以来，已成为日本最具声望的技术贸易展 [6] - 2024 年的 Techno-Frontier 预计将吸引超过 400 家参展商和 34,000 名参观者 [6] 技术优势 - Navitas 的 GaN 和 SiC 下一代清洁能源半导体在更高效率和频率下运行，为 AI 数据中心、电动汽车、储能系统、电机控制和快速充电应用带来显著优势 [7] - 这些技术能够支持快速增长的市场，并在 Techno-Frontier 上向系统工程师和关键决策者展示 [7]

公司与产品合作 - Navitas Semiconductor的GaNFast™功率IC被联想选中用于其最新的GaN技术充电器，包括小新105 W GaN充电器和Legion C170 W GaN充电器，分别针对日常旅行和游戏需求 [1] - 联想与Navitas的长期合作推出了一系列突破性的快速充电器，包括2021年推出的YOGA CC65双端口GaN充电器，以及为联想Legion Pro游戏手机和Legion 5/5 Pro Gen 7笔记本电脑设计的90 W和135 W GaN充电器 [2] - Navitas的GaNFast技术帮助联想在充电器的尺寸、性能和可靠性方面持续取得领先成果，特别是在AI PC等创新笔记本电脑需求上升的背景下 [3] 产品技术细节 - Legion C170 W GaN充电器专为核心游戏玩家设计，提供170 W的持续功率，重量仅为245克，比Legion Y9000P的原装充电器轻78%，充电速度比Legion C140 W充电器快2倍 [4] - 小新105 W GaN充电器设计用于日常旅行，输出105 W功率，配备3个端口（2C1A），重量仅为206克，比典型的100 W电脑适配器轻41%，34分钟内可将小新16 Pro充电至50% [8] - Navitas的NV6136和NV6138 GaNFast功率IC采用GaNSense™技术，提供无损耗电流感应和比竞争方案快6倍的短路保护，确保更低的运行温度、更高的效率和可靠性 [4][8] 可持续发展与创新 - 联想和Navitas在可持续发展方面也是合作伙伴，联想集团通过科学碳目标倡议（SBTi）验证了其净零目标，Navitas则是全球首家获得CarbonNeutral®认证的功率半导体公司 [9] - Navitas的先进GaN技术使联想能够持续制造更小、更轻的充电器，显著减少充电器内部的被动和磁性元件数量，通过“去物质化”实现生产过程中的二氧化碳减排 [9] - 联想致力于通过减少环境影响、促进社会公平和确保道德、负责任和透明的运营来改善地球和社会，并在2023年1月成为首批获得SBTi净零验证的公司之一 [12] 公司背景与市场地位 - 联想是全球科技巨头，在《财富》全球500强中排名第217位，年收入达620亿美元，全球员工77,000人，专注于提供“更智能的技术” [11] - Navitas Semiconductor是唯一一家专注于下一代功率半导体的公司，成立于2014年，拥有超过250项已发布或待批准的专利，并提供行业首个20年GaNFast保修 [13]

文章核心观点 - 公司推出了新一代650V和1200V SiC MOSFET产品系列G3F,具有最快的开关速度、最高的效率和最高的功率密度 [1][2][3][4][5] - G3F系列采用专有的"沟槽辅助平面"技术,性能优于竞争对手的沟槽MOSFET,同时具有更好的稳定性、可制造性和成本优势 [3][4] - G3F系列MOSFET可实现高达600kHz的开关频率,在CCM TPPFC系统中的硬开关性能指标比竞争对手提高40% [2][8] - G3F系列MOSFET可应用于AI数据中心电源、电动车充电器、太阳能/储能系统等高功率、高可靠性的应用场景 [1][6][7] 公司概况 - 公司是下一代功率半导体领域的领导者,专注于GaN和SiC技术,成立于2014年 [9] - 公司拥有250多项已授权或待授权专利,是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [9] - 公司的产品包括GaNFast功率IC和GeneSiC功率器件,应用于电动车、太阳能、数据中心等领域 [9] 产品特点 - G3F系列SiC MOSFET具有最快的开关速度、最高的效率和最高的功率密度 [1][2][3][4][5][6][7][8] - 采用专有的"沟槽辅助平面"技术,性能优于竞争对手的沟槽MOSFET,同时具有更好的稳定性、可制造性和成本优势 [3][4] - 可实现高达600kHz的开关频率,在CCM TPPFC系统中的硬开关性能指标比竞争对手提高40% [2][8] - 可应用于AI数据中心电源、电动车充电器、太阳能/储能系统等高功率、高可靠性的应用场景 [1][6][7]

公司动态 - Navitas Semiconductor 宣布推出新一代 Gen-3 'Fast' (G3F) 650 V 和 1,200 V SiC MOSFETs 产品组合，适用于 AI 数据中心电源、车载充电器、电动汽车快速路边充电器和太阳能/储能系统等高功率应用 [4] - G3F 系列产品采用专有的“沟槽辅助平面”技术，提供比竞争对手更低的 RDS(ON) 和更高的效率，在高温下比竞争对手低 20% 的 RDS(ON) [8][9] - G3F 系列产品在硬开关性能方面比竞争对手提高了 40%，使下一代 AI 电源单元的功率提升至 10 kW，机架功率从 30 kW 提升至 100-120 kW [5] - 针对电动汽车市场，1,200 V/34 mOhm G3F FETs 使 Navitas 的新型 22 kW 双向车载充电器和 3 kW DC-DC 转换器实现了 3.5 kW/L 的功率密度和 95.5% 的峰值效率 [6] - Navitas 最新的 4.5 kW 高功率密度 AI 服务器电源参考设计展示了 650 V 40mOhms G3F FETs，实现了 138 W/inch³ 的功率密度和超过 97% 的峰值效率 [11] 技术优势 - G3F GeneSiC MOSFETs 具有最高的 100% 测试雪崩能力，短路耐受时间延长 30%，阈值电压分布紧密，易于并联 [1] - G3F MOSFETs 提供高效率和高性能，使外壳温度降低 25°C，寿命比其他供应商的 SiC 产品长 3 倍 [8] - G3F 系列产品在硬开关性能方面比竞争对手提高了 40%，支持高达 600 kHz 的开关速度 [10] 市场应用 - G3F 系列产品适用于 AI 数据中心电源、车载充电器、电动汽车快速路边充电器和太阳能/储能系统等高功率应用 [4] - 针对电动汽车市场，1,200 V/34 mOhm G3F FETs 使 Navitas 的新型 22 kW 双向车载充电器和 3 kW DC-DC 转换器实现了 3.5 kW/L 的功率密度和 95.5% 的峰值效率 [6] - Navitas 最新的 4.5 kW 高功率密度 AI 服务器电源参考设计展示了 650 V 40mOhms G3F FETs，实现了 138 W/inch³ 的功率密度和超过 97% 的峰值效率 [11] 公司背景 - Navitas Semiconductor 是唯一一家专注于下一代功率半导体的公司，成立于 2014 年，拥有超过 250 项已发布或待批的专利 [13] - 公司是 GaNFast™ 功率 ICs 的领导者，集成了氮化镓 (GaN) 功率和驱动，以及控制、传感和保护功能，以实现更快充电、更高功率密度和更大节能 [13] - Navitas 是全球首家获得 CarbonNeutral® 认证的半导体公司 [13]