2025半导体材料产业发展(郑州)大会启幕 聚焦创新、生态、绿色等 中新网郑州10月23日电 (经晓佳)以"协同发展合作共享"为主题的2025半导体材料产业发展(郑州)大会23 日在河南郑州启幕，与会专家、企业代表等聚焦技术创新、生态建设、绿色转型，共商半导体材料创新 发展之路。 广告等商务合作，请点击这里 大会现场，豫信电子科技集团有限公司与芯联集成电路制造股份有限公司、郑州高新技术产业开发区管 理委员会与麦斯克电子材料股份有限公司分别签署合作协议，将谋划推动半导体晶圆及模组制造项目、 大尺寸硅片项目等落地。 此外，多场专题分论坛及为期两天的行业会展在会间同步举办，与会代表还将实地走访部分郑州本土半 导体材料企业。(完) 图为会议现场。承办方供图 来源：中国新闻网 编辑：张嘉怡 上述大会由中国电子材料行业协会半导体材料分会主办，豫信电子科技集团有限公司、麦斯克电子材料 股份有限公司等共同承办，吸引来自全国的业界专家及产业链上下游300多家企业代表与会。 工业和信息化部电子信息司电子基础处四级调研员王莉莉在大会上表示，期待与会专家学者、企业代表 持续深耕第三代超宽禁带半导体材料研发与产业化，前瞻布局二维半导体 ...

中化新网讯 复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。该校集成芯片与系统全国重点 实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏—刘春森团队研发的长缨(CY-01)架构，将二维超快闪存器 件"破晓(PoX)"与成熟硅基CMOS工艺深度融合，研发出全球首颗二维—硅基混合架构芯片。相关研究 成果于10月8日在《自然》上发表。 实现二维材料与CMOS衬底紧密贴合 如何将二维材料与CMOS集成又不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。CMOS电路表面有很多元 件，如同一个微缩城市，高低起伏不平;而二维半导体材料厚度是原子级别，如蝉翼般纤薄而脆弱，如 果直接将二维材料铺在CMOS电路上，材料很容易破裂，更不用谈实现电路性能。 这也是为什么二维半导体研究者目前只能在极为平整的原生衬底上加工材料。一种解决思路是将CMOS 的衬底"磨平"以适应二维材料，但要实现原子级平整并不现实。"我们没有必要去改变CMOS，而需要 去适应它。"团队决定从本身就具有柔性的二维材料入手，通过模块化的集成方案，先将二维存储电路 与成熟CMOS电路分离制造，再与CMOS控制电路通过高密度单片互连技术(微米尺度通孔)实现完整芯 片集成。 这项核心工 ...

二维半导体技术突破 - 中国科学家成功研制出基于二硫化钼的微芯片RV32-WUJI，包含5931个晶体管，每个仅三个原子厚，是目前二维材料领域最复杂的微处理器 [2] - 该芯片采用RISC-V开源架构，支持32位指令集运算，并构建在绝缘蓝宝石基板上以实现晶体管电子隔离 [2] - 相比此前最大的二维逻辑电路（156个晶体管），新芯片规模扩大38倍 [2] 材料与工艺创新 - 二硫化钼由钼原子层夹在硫原子层间构成，被视为延续摩尔定律的潜在硅替代材料 [2] - 团队开发了包含25种逻辑单元的标准单元库，支持"与/或"等基础功能 [2] - 通过机器学习优化制造流程，在实验室环境下实现99.77%的良率 [2] 性能参数与行业对比 - 晶体管沟道长度当前为3微米，计划通过改进光刻技术进一步缩小尺寸 [3] - 芯片在1kHz频率下功耗仅0.43毫瓦，但晶体管数量和工作频率仍比硅芯片低数百万倍 [3] - 研究人员强调该成果基于大学实验室设备，若获产业界投入有望加速性能追赶 [3] 应用前景 - 重点布局物联网边缘计算芯片和智能传感芯片领域，以快速体现二维半导体竞争力 [2] - 该技术标志着二维材料从实验室研究向工程应用的转变，为后硅时代提供可行替代方案 [2]

二维半导体技术突破 - 中国科学家成功研制出基于二硫化钼的微芯片RV32-WUJI 该芯片包含5931个晶体管 每个晶体管仅三个原子厚 是目前二维材料领域最复杂的微处理器 [1] - 相比此前最大的二维逻辑电路（156个晶体管） 新芯片规模提升38倍 标志着二维半导体从实验室研究向工程应用的转变 [1] - 采用CMOS技术制造 晶体管沟道区域长度为3微米 计划通过改进光刻工具进一步缩小尺寸以提高集成密度 [2] 技术架构与制造工艺 - 芯片搭载RISC-V开源指令集架构 可执行32位标准指令 构建于绝缘蓝宝石基板实现晶体管电子隔离 [2] - 开发了包含25种逻辑单元的标准单元库 支持"与"、"或"等基础功能运算 [2] - 利用机器学习优化制造流程 在实验室级别设备下实现99.77%的良率 [2] 性能参数与应用前景 - 工作频率1千赫兹时功耗仅0.43毫瓦 虽性能远低于硅基芯片（晶体管数量差百万倍 频率差百万倍） 但展示出低功耗优势 [3] - 目标应用场景包括物联网边缘计算芯片和智能传感芯片 这些领域可快速体现二维半导体竞争力并为高密度芯片发展提供反馈 [2] - 研究团队强调 若获得产业资源投入 二维半导体性能赶超硅基技术的速度可能超预期 [3] 材料科学意义 - 二硫化钼（钼硫双层结构）被寄望延续摩尔定律 解决硅材料物理极限后的替代方案问题 [1] - 当前限制因素并非器件性能 而是缺乏可扩展、可重复且兼容工业流程的集成技术体系 [1]