文章核心观点 - 极紫外光刻技术是复杂且难以复制的全球科学合作成果 [1] - ASML通过协调全球供应商网络在EUV光刻领域占据主导地位 [1] - 中国在芯片制造领域与ASML存在10到15年的技术差距，差距源于整个生态系统而不仅是单台机器 [11] EUV光刻技术原理 - EUV光刻使用13.5 nm波长的光，比人类头发细5000倍，整个过程必须在真空中进行 [2] - 系统需要超精密反射镜来捕捉和引导光线，镜子抛光至原子级光滑度 [2] - 光线通过包含芯片电路设计的光掩模"模板"，将图案投射到硅晶圆上 [2] - 高NA EUV技术使用变形光学器件，在一个方向压缩4倍，另一方向压缩8倍，允许单次曝光创建精细特征 [3] - DUV光刻需使用多图案化技术接近EUV分辨率，导致工艺更慢、成本更高且更易出现缺陷 [5] ASML的生态系统与运营规模 - EUV光刻技术完善耗时20年，单台机器包含约10万个零件 [6] - 运输单台EUV机器需要40个货运集装箱、三架货机和20辆卡车协调运作 [6] - 最新High-NA EUV机器售价超过3.5亿美元 [6] - ASML协调由100多家顶级供应商组成的全球网络，而非独自制造所有核心模块 [1] 关键供应商分析：蔡司 - 蔡司为EUV制造在真空中工作的全反射镜光学系统，高1.5米，重3.5吨，由超过3.5万个零件组成 [7] - 镜子精度极高，如果缩放到覆盖德国，最高凸起仅为0.1毫米，每面镜子有100多个原子精确层 [7] - 制造单面EUV反射镜需要数月时间，相关专家极为罕见 [7] - ASML于2016年向卡尔蔡司SMT投资15亿欧元并收购24.9%股份，蔡司SMT收入从2016年12亿欧元飙升至2024年41亿欧元 [7] 关键供应商分析：Cymer - ASML与美国公司Cymer合作激光技术，EUV系统使用激光产生等离子体技术 [8] - 高功率激光每秒向锡滴发射数千次，将其变成发射13.5 nm EUV光的等离子体 [8] - ASML于2013年收购Cymer，以加快EUV光刻技术开发并使其远离竞争对手控制 [8] 浸没式光刻技术突破 - 浸没式光刻在透镜和晶圆间插入高纯度水层，像光的放大镜使微小图案更易解析 [9] - 技术突破得益于蔡司调整标准镜头以及飞利浦研究院在光学记录方面的专业知识 [9][11] - 台积电在2004年底使用早期浸没式系统生产出首批功能齐全的90纳米节点芯片 [11]

市场行情表现 - 主板领涨股票包括华映科技上涨10.08%、科森科技上涨10.03%、惠威科技上涨10.02%、朝阳科技上涨10.01%、浪潮信息上涨10.01% [1] - 创业板领涨股票包括森霸传感上涨20.04%、智动力上涨20.02%、金百泽上涨19.99% [1] - 科创板领涨股票包括盛科通信-U上涨20.00%、浩辰软件上涨20.00%、艾为电子上涨15.85% [1] - 活跃子行业中SW数字芯片设计上涨4.62%、SW LED上涨3.95% [1] 国内技术突破与集采 - 湖北九峰山实验室开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器外延生长工艺 关键性能指标达到国际领先水平 [1] - 中国电信集采1200万套家庭FTTR设备 华为 中兴 天邑康和及烽火通信入围成交候选人 [1] - 英诺赛科第三代700V氮化镓芯片面积缩减30% 开关性能提升20-30% 电容降低20-30% 热性能优化 [1] 企业财报表现 - 小米集团2025年第二季度总收入1160亿元创历史新高 同比增长30.5% 经调整净利润108亿元创历史新高 同比增长75.4% [1] - 运达科技2025年上半年总营业收入2.89亿元 同比增长23.65% 归母净利润0.16亿元 同比增长13.65% [3] - 恒铭达2025年上半年总营业收入12.44亿元 同比增长32.18% 归母净利润2.34亿元 同比增长43.01% [3] - 奥普特2025年上半年总营业收入6.83亿元 同比增长30.68% 归母净利润1.46亿元 同比增长28.8% [3] - 汇源通信2025年上半年总营业收入2.36亿元 同比增长45.51% 归母净利润0.09亿元 同比增长244.66% [3] 海外技术发展与市场动态 - SK海力士在第六代10纳米级DRAM中增加EUV层数至五层以上 [3] - 英伟达自研HBM内存Base Die采用3nm工艺 计划2027年下半年试产 未来所有HBM堆叠产品使用自研方案 [3] - 三星显示从2027年开始向特斯拉供应8英寸OLED屏幕 三星电子与特斯拉签订价值165亿美元晶圆代工合同 [3] - 2025年第二季度全球智能手机出货量2.97亿台 同比增长1.4% 份额前五为三星 苹果 小米 vivo和传音 [3]