HBM技术路线图 - 到2029年HBM5商业化时冷却技术将成为HBM市场竞争的主要因素[1] - 2025至2040年技术路线图涵盖HBM4至HBM8涉及架构、冷却方法、TSV密度等关键技术[1] - HBM4基础芯片将承担GPU部分工作负载导致温度升高使冷却技术变得重要[1] - HBM5采用浸入式冷却基片和封装浸入冷却液目前液体冷却方法存在局限性[1] - HBM4液体冷却剂注入封装顶部散热器[1] HBM技术演进 - HBM7需要嵌入式冷却系统将冷却液注入DRAM芯片之间为此添加流体TSV[2] - HBM7将与高带宽闪存(HBF)等架构结合NAND以3D方式堆叠[2] - HBM8将HBM直接安装在GPU顶部[2] - 从HBM6开始引入玻璃和硅的混合中介层键合是决定HBM性能的另一主要因素[2] HBM技术参数 - HBM4(2026)数据速率8Gbps I/O数2048带宽2TB/s容量36/48GB功耗75W[3] - HBM5(2029)数据速率8Gbps I/O数4096带宽4TB/s容量80GB功耗100W[3] - HBM6(2032)数据速率16Gbps I/O数4096带宽8TB/s容量96/120GB功耗120W[3] - HBM7(2035)数据速率24Gbps I/O数8192带宽24TB/s容量160/192GB功耗160W[3] - HBM8(2038)数据速率32Gbps I/O数16384带宽64TB/s容量200/240GB功耗180W[3] HBM架构与特性 - HBM4采用微凸块(MR-MUF)堆叠直接芯片(D2C)液体冷却[3] - HBM5采用浸入式冷却[3] - HBM7采用无凸块铜-铜直接键合嵌入式冷却[3] - HBM架构演进从定制基础芯片到全3D/HBM中心计算架构[3] - 附加特性包括缓存、网络交换机、存储网络控制器等[3]

HBM技术路线图 - 到2029年HBM5商业化时，冷却技术将成为HBM市场竞争的主要因素 [1] - 目前封装是半导体市场霸权决定因素，HBM5将转向冷却技术竞争 [1] - 2025-2040年技术路线图涵盖HBM4至HBM8，涉及架构、冷却方法、TSV密度等关键技术 [1] HBM技术演进 冷却技术 - HBM4采用顶部散热器注入液体冷却剂 [2] - HBM5采用浸入式冷却，基片和封装浸入冷却液 [2] - HBM7需嵌入式冷却系统，冷却液注入DRAM芯片之间，新增流体TSV [2] 架构创新 - HBM4基础芯片承担GPU部分工作负载导致温度升高 [2] - HBM7将结合高带宽闪存(HBF)等新架构，NAND以3D方式堆叠 [2] - HBM8直接把HBM安装在GPU顶部 [2] 键合技术 - 从HBM6开始引入玻璃和硅的混合中介层 [2] - HBM7采用无凸点铜-铜直接键合技术 [3] HBM性能参数 数据传输 - HBM4数据速率8Gbps，HBM8提升至32Gbps [3] - HBM4带宽2TB/s，HBM8达到64TB/s [3] 存储容量 - HBM4单芯片容量24Gb，HBM8提升至80Gb [3] - HBM4堆叠芯片数12/16层，HBM8达20/24层 [3] - HBM4总容量36/48GB，HBM8达200/240GB [3] 功耗 - HBM4功耗75W，HBM8增至180W [3] 技术特性 - HBM4采用微凸点(MR-MUF)堆叠 [3] - HBM5引入I/O接口优化和HBM屏蔽技术 [3] - HBM7采用混合均衡器和生成式AI设计 [3] - HBM8实现双面冷却和边缘扩展堆叠 [3]

半导体键合技术行业现状 - 先进键合技术是芯片制造关键环节 影响市场占有率和行业竞争力 [1] - 高端键合设备长期依赖进口 键合衬底材料技术受制于人 制约中国半导体产业发展 [1] - 自主研发国产先进键合设备已成为刻不容缓的战略任务 [1] - 多家国内企业正加大研发力度 力图在键合设备技术上取得突破 [1] 青禾晶元技术成果 - 公司是半导体键合集成技术领域领军企业 坚持自主创新 [1] - 已开发四大自主知识产权产品矩阵：超高真空常温键合系统 混合键合设备 热压键合装备及全系列键合工艺服务 [1] - 技术广泛应用于先进封装 半导体器件制造 晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域 [1] 技术分享会信息 - 将于2025年3月26日在上海新国际博览中心举办"领航键合未来 智创产业新局"主题分享会 [2] - 会议地点为新国际博览中心M47会议室(N4与N5馆夹层) [4] - 会议内容包括：行业趋势前瞻 硬核技术解析 深度互动交流 [4] - 现场席位限额80个 预约报名可领取定制礼盒 [4][5]