伐谋-中小盘主题 2026 年 10 月 21 日 中小盘研究团队 玻璃基板系列（四）：从成孔到布线，工艺协同决定 量产良率 ——中小盘主题 周佳（分析师） 赵晨旭（联系人） zhoujia@kysec.cn ⚫ 金属化与电镀：种子层与填铜影响导通质量，工艺方案向多环节协同延伸 通孔形成后，金属化与电镀承担建立垂直导电通道的任务。由于铜在玻璃表面难 以附着，工艺需先解决界面附着与种子层连续覆盖问题，再通过电镀形成导电结 构或完成填铜。种子层制备主要包括 PVD 溅射和化学沉积两条路线，但均面临 种子层连续性与填铜空洞问题。由于种子层制备与电镀需要相互匹配，该环节的 验证不能仅依靠单项工艺参数，还需推进多环节协同。从产业实践看，目前， Atotech 已推出涵盖附着促进、化学铜种子层与反向脉冲填孔的湿法方案；蓝思 科技已贯通 PVD 镀膜与电镀铜填充。后续重点在于相关工艺能否适配前道通孔 结构，并稳定形成合格的导通结构。 ⚫ RDL 增层与光刻：细线光刻设备条件初步具备，多层载板仍需量产验证 证书编号：S0790523070004 zhaochenxu@kysec.cn 证书编号：S0790124120019 ...

台积电 2nm 产能倍增与 ABF 载板供需缺口扩大研报摘要 摘要 台积电加速扩张：2027 年 2nm 产能目标翻倍至 20 万片/月，2028 年 EUV 设备订单量同比增 20%-30%。 台积电财务指引：上调营收预期但下调毛利率预期，2027 年受海外建 厂及 3nm 爬坡稀释，毛利率预计持平。 ABF 载板供需缺口扩大：2027/2028 年缺口升至 9%/14%，预计 2027 年同类产品价格涨幅超 25%。 载板厂商分化：欣兴电子因光复二厂及每年一厂的扩张节奏优于南亚电 路板，目标价上调至 1,775 元。 存储竞争格局：长鑫存储 HBM3E 国产替代有望在 1-2 年内实现，但受 限于 EUV 缺乏，冲击全球主流市场需 2-3 年。 技术路径博弈：无 EUV 下 DDR5 量产依赖多重曝光 DUV 或 4F² 架构， 前者量产成本未知，后者能见度极低。 Q&A 台积电在最近的法人说明会中，针对 AI 半导体需求、产能扩张计划以及与主要 客户和竞争对手的合作与竞争关系，披露了哪些关键信息？ 台积电在法人说明会中指出，尽管面临融资成本、电力供应、科技供应链以及 ABF 载板缺货等多重变数，客户对 ...

玻璃基板：先进封装多路径演进，玻璃应用空间持续拓宽 20261019 行业内主要存在哪三条玻璃基板技术路线，它们各自旨在解决什么问题，并对 产业分工产生了怎样的影响？ 行业内主要存在三条并行的玻璃基板技术路线：台积电的 CPO（Chip-on- Panel-on-Substrate）、英特尔的 Glass Core 以及康宁的 Glass Bridge。 这三条路线并非相互替代，而是玻璃在封装体系中扮演的三种不同角色，分别 对应制造形态、结构材料和光学界面。 第一，台积电的 CPO 路线，核心是改 变制造形态，将封装载体从 300 毫米的圆形晶圆转换为矩形面板，短期锁定 310x310 毫米规格。其经济性在于，矩形面板的面积利用率可达 95%以上， 远高于圆形晶圆的不足 85%，预计单位成本可下降 20%-30%。这条路线的产 业意义在于将面板厂正式纳入先进封装的分工体系，利用其在大尺寸玻璃搬运、 精密对准和均匀沉积方面的现有能力。 第二，英特尔的 Glass Core 路线，核 心是改变基板的结构材料，用玻璃芯板替代有机树脂芯板，两侧继续使用 ABF 进行增层和布线。其价值集中在多芯片集成，利用玻璃的刚性和 ...