技术突破 - 中国平煤神马集团旗下中宜创芯公司成功将碳化硅半导体粉体纯度突破至8N8（99.9999998%），超越此前全球最高纪录8N（99.999999%）[1] - 纯度提升标志着我国在高端半导体材料领域实现重大突破，为芯片产业自主化提供动力[1] - 技术团队引进国内首台新型无污染碎料装置，采用先进粉体合成炉和自动化无污染破碎技术，正品率从55%提升至85%[1] 产品优势 - 碳化硅半导体粉体产品具有颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，适合8英寸碳化硅厚单晶晶锭生长[2] - 产品已通过浙江材孜、江苏超芯星、山东粤海金等国内知名企业验证使用[2] 研发进展 - 中宜创芯公司自2023年5月成立以来专注于碳化硅半导体材料研发，此前纯度已达7N8（99.999998%）水平[1] - 纯度提升前已吸引30多家企业和研究机构试用验证[1] 产业化进程 - 集团公司正加速推进碳化硅粉体纯度提升后的产业化进程[2]