来源：内容来自 Source：编辑部，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前英特尔推出了A14工艺之后，两大晶圆厂巨头正式入局这个巅峰之争。从目前的资料看来，总体而言，他们在 架构、EUV光刻和晶体管设计上展开了激烈竞争。 首先看台积电，据该公司执行副总裁兼联席首席运营官Yuh-Jier Mii （米玉杰）博士介绍，当前的发展方向是从 FinFET到Nanosheet。除了这些技术之外，垂直堆叠的NFET和PFET器件（称为CFET）也可能是实现器件微缩的候选 方案。除了CFET之外，沟道材料方面也取得了突破，可以进一步实现尺寸微缩和降低功耗。上图总结了这些进展。 米博士报告称，台积电一直在积极构建硅基CFET器件，以实现更高水平的微缩。台积电在2023年IEDM上展示了其首 款栅极间距为48纳米的CFET晶体管。今年在IEDM上，台积电展示了最小的CFET反相器。下图展示了该器件在高达 1.2V电压下均衡的性能特征。 英特尔将推出的 14A 工艺节点（计划于 2027 年进行风险生产）的性能指标，宣称其功耗将降低高达 35%。英特尔还 展示了其全新的 Turbo Cell 技术，这是一种可 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 今天，英特尔举办了晶圆代工大会，会上公司指出，正在与主要客户洽谈即将推出的14A工艺 节点（相当于1.4纳米），该节点是18A工艺节点的后续产品。英特尔已有多家客户计划流片 14A测试芯片。英特尔还透露，公司至关重要的18A节点目前已进入风险生产阶段，并计划于 今年晚些时候实现量产。 英特尔新的18A-P扩展节点（18A节点的高性能变体）目前正在晶圆厂早期生产。此外，该公司正 在开发一种新的18A-PT变体，该变体支持带有混合键合互连的Foveros Direct 3D，使该公司能够 在其最先进的前沿节点上垂直堆叠芯片。 在英特尔的新方案中，Foveros Direct 3D 技术是一项关键的进展，因为它提供了竞争对手台积电 （TSMC）已在生产中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 产品。事实上，英特尔的实 现在关键互连密度测量方面与台积电的产品不相上下。 在成熟节点方面，英特尔代工厂目前已在晶圆厂中完成其首个 16nm 生产流片，并且该公司目前 还在与联华电子合作开发的 12nm 节点吸引客户。 接下来，我们来看一下这家巨头的晶圆代工最新路线图 ...