如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容来自 yolegroup 。 如今，Nvidia，一家甚至不设计或制造功率器件的公司，正在定义未来功率电子器件的特性和功 能。这家 GPU 巨头正在设计下一代 AI 数据中心的动力总成架构。 许多宽带隙 (WBG) 半导体供应商和硅片供应商都在参与其中，愿意投资新技术来满足 Nvidia 的 需求。 英飞凌科技公司系统创新集团负责人 Gerald Deboy将 Nvidia 比作一位大师，指挥"整个世界设计 出一种建设和运营数据中心的新方法"。 Nvidia 邀请的合作伙伴包括英飞凌、MPS、Navitas、罗姆、意法半导体和德州仪器，共同倡导向 800 V 高 压 直 流 (HVDC) 数 据 中 心 电 力 基 础 设 施 过 渡 。 此 外 ， 还 有 台 达 、 Flex Power 、 Lead Wealth、光宝科技、Megmee 等电力系统组件供应商，以及伊顿、施耐德电气和 Vertiv 等数据中 心系统建设公司。 Yole Group 电力电子市场和技术分析师 Hassan Cheaito认为，Nvidia 对 AI 数据中心的推动正在 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务； 力积电趁势接下Navitas的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸 GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科 通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串动作，正将GaN推向新 一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球 能源转型与高能效驱动的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲 等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向 电动汽车主驱系统等高压核心场景？ 尽管台积电正在退出GaN代工，但是另一边英飞凌却正在加大投入。据英飞凌新闻稿称，凭借其强 大的IDM模式，英飞凌正在推进其在300毫米晶圆上的可扩展GaN生产，首批客户样品计划于2025 年第四季度发布。 英飞凌已成为首家在其现有量产基础设施内成功开发30 ...

①AIDC电源架构逐步向800V HVDC和固态变压器（SST）演进，2026年起有望迎来市场爆发"临界 点"，相关企业已进入验证技术、锁定核心客户的关键时期；②SST高度依赖关键的宽禁带半导体器件（Si C、GaN）和特种磁性材料，目前产能主要集中在少数厂商手中，产业链规模化生产能力直接影响SST的 经济性；③高频变压器是SST系统的核心，这些公司凭借在关键子部件上的传统专业优势，有望成为维 谛、台达不可或缺的合作伙伴。 前言 《金牌纪要库》是财联社VIP倾力打造的一款高端会议纪要类产品，结合财联社的媒体资源和行业圈层 优势，为投资者提供全面、深入的市场及行业洞察，以及专业分析和解读。 ...

氮化镓市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，因中国竞争侵蚀利润率[3] - 力积电接替台积电承接Navitas订单，计划2026年上半年生产100V系列GaN产品[4] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布[5] - 瑞萨电子暂停SiC项目，转向GaN研发，推出三款650V GaN FET[7][8] - ST与英诺赛科深化合作，延长禁售期至2026年6月29日[10][11] 技术发展与市场前景 - GaN具有更高功率密度、更快开关速度和更低能量损耗，适合消费电子和工业应用[5] - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入占比15.3%[13] - Frost & Sullivan预测2024-2028年GaN功率半导体市场CAGR达98.5%，2028年市场规模超68亿美元[14] - Yole预计消费电子GaN市场2028年达29亿美元，电动汽车领域达34亿美元[14] 行业竞争格局 - 英诺赛科全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆大规模量产，产能1.3万片/月[13] - Navitas 2024年GaN业务增长超50%，获得超180个GaN充电器设计订单[4] - 中国GaN企业崛起，获政策支持和政府基金注入[13] - 马自达与ROHM合作开发汽车用GaN零部件，计划2027年实现实际应用[16] 应用挑战与机遇 - GaN需从快充等边缘应用迈向电动汽车主驱系统等高压核心场景[2][14] - 主驱电源对温升、EMI、浪涌承受能力要求极高，GaN在热管理等方面仍需提升[15] - GaN器件"驾驭"难度高，系统设计厂商需适配栅极驱动、电磁兼容等问题[16] - 特斯拉、丰田、大众等车企正将GaN用于车载充电器和电池管理系统[16]

公司扩产计划 - 英诺赛科将提升8英寸氮化镓产能，预计年底从1.3万片/月扩至2万片/月 [1] - 公司计划未来五年内将产能提升到7万片/月 [1] - 英诺赛科是目前实现大规模量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM） [1] 产品与技术优势 - 公司产品覆盖晶圆制造、分立器件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和氮化镓功率模块 [1] - 氮化镓在充电器和其他消费电子产品中的占比越来越高 [1] - 氮化镓凭借高效能和小体积，在电池双向电能转换、光伏光储互补、数据中心功率密度提升领域发挥重要作用 [1] - 公司预计未来几年内通过产能提升和产品迭代，能在性能和成本上对传统硅功率半导体形成显著优势，为客户带来高达40%的性能提升和30%的收益 [2] 行业动态与竞争格局 - 英诺赛科扩产时间点恰逢台积电退出氮化镓代工业务 [1] - 英飞凌宣布在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供 [1] - 根据Yole Group预测，到2030年GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元 [2] 技术路线与商业化进程 - 相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆的芯片产出数增加2.3倍，但要维持稳定良率并不容易 [2] - 公司强调目前世界上还没有可以量产12寸MOCVD设备，将聚焦8英寸产线工程化成熟度 [2] - 英诺赛科预计12英寸技术到2030年才能实现商业化 [2] - 公司表示需要陪伴客户3-5年时间才能看到成果 [2]

AI算力需求推动数据中心电力架构升级 - 随着AI算力需求暴增，数据中心电力架构正迎来十年最大升级，英伟达领军的800V高压直流（HVDC）技术预计2027年全面导入兆瓦级AI机柜[1] - 800V直流电技术可使相同尺寸导线传输功率增加85%，相较于传统架构，英伟达800V HVDC需多一道800V直流电降压至54V直流电的程序[1] - 该架构需使用高规格耐高压PMIC，但在个别Compute Tray中仍沿用原先中低压PMIC即可[1] 第三代半导体代工版图重组 - 台积电宣布两年内逐步退出氮化镓（GaN）市场，其大客户纳微半导体急寻新来源[1] - GaN应用于数据中心仍有安全性疑虑，因GaN on Si制程中两种材料晶体结构及热膨胀系数不匹配，遇高压易被击穿[2] - 不直接使用GaN衬底因主流仅发展到6吋且成本高，70%原材料如铝土矿或闪锌矿产能掌握在中国大陆业者手中[2] 台系供应链竞争格局变化 - 未来Compute Tray中Power IC需求将提升，如记忆体电压必须由54伏转到12伏，目前海外业者如英飞凌、MPS占据主要市场[2] - 台厂致新、茂达持续抢攻，从一般型伺服器入局，有望抢占相关商机[2] - 台积电进行产能最佳化，将老厂人力调往先进封装支援，在部分成熟、特殊制程节点进行取舍，使力积电等晶圆代工业者有机可乘[2] 台系PMIC厂商发展机会 - 海外PMIC大厂根据客户需求调整产品组合，使台系供应链有机会打入Tier 1客户[3] - 尽管短期未见明显业绩挹注，但依循正确产业方向投入研发将有机会大放异彩[3]

纳微半导体与力积电合作生产GaN产品 - 纳微半导体宣布与力积电建立战略合作伙伴关系 [1] - 公司将采用力积电8寸0 18微米制程生产氮化镓（GaN）产品 [1]

中国大陆晶圆代工产能扩张 - 中国大陆晶圆代工厂大举新建产能，主攻成熟制程，与中国台湾厂商形成直接竞争 [1] - 中国大陆疯狂建置晶圆代工产能，与联电、世界、力积电、茂硅等中国台湾厂商正面交锋 [1] 中国台湾晶圆代工厂商策略 - 台积电以先进制程独霸全球，通吃苹果、AMD、英伟达、高通等国际大厂最先进芯片代工订单 [1] - 联电、世界、力积电、茂硅等成熟制程晶圆代工厂与国际大厂联盟或强化利基型产品，避开与中国大陆厂商正面杀价 [1] - 联电通过结盟英特尔，在美国携手开发12nm技术，并评估进军6nm技术生产更先进的WiFi、无线射频、蓝牙元件、AI加速器及汽车芯片 [1] - 世界开拓特殊制程应用，耕耘碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）多年，目标2026下半年开始量产8英寸碳化硅晶圆 [1] - 力积电逐步脱离低毛利制程，布局Wafer-on-Wafer（WoW）3D堆叠技术，适用于边缘AI、车用电子与高性能计算领域 [2] - 茂硅明确定位走利基型应用市场，锁定需高弹性与定制化的订单，强化与车用及工控客户的粘性 [2] 行业竞争格局 - 中国台湾半导体厂商采取差异化策略应对中国大陆产能扩张，不是省油的灯 [1] - 科技产业不乏前例，中国台湾厂商各有策略应对中国大陆产能竞争 [1]

股价表现 - Aehr Test Systems股价在上一交易日上涨9.3%至12.75美元[1] - 过去四周累计涨幅达16%[1] - 成交量显著高于平均水平[1] 业务发展 - 公司正通过进入氮化镓(GaN)晶圆级老化测试(WLBI)市场实现业务多元化[2] - 市场猜测Navitas Semiconductor可能成为其客户[2] 财务预期 - 预计下一季度每股收益为盈亏平衡点 同比下滑100%[3] - 预计营收为1500万美元 同比下降9.6%[3] - 过去30天共识EPS预期未发生变化[4] 行业比较 - 同属电子测量仪器行业的Camtek股价上涨2.5%至84.1美元[4] - Camtek过去一个月累计涨幅达25.8%[4] - Camtek预计下一季度EPS为0.79美元 同比增长19.7%[5]

瑞萨电子战略调整 - 公司将2030年销售额和市值目标推迟至2035年 原计划销售额翻倍至200亿美元 市值增长六倍至10万亿日元(约700亿美元) [1] - 股价因战略调整单日下跌12%至1735 5日元 [1] 电力半导体业务重组 - 终止碳化硅(SiC)电力芯片及部分高压硅功率半导体开发 原计划2024年初量产 [2] - 电力半导体业务主管即将离职 [2] - 保留其他硅功率半导体和氮化镓(GaN)产品线 [3] 市场环境变化 - 欧美电动汽车需求不及预期 因补贴结束和车价上涨 [3] - 中国厂商扩大晶圆和芯片产量加剧竞争 内部人士称SiC市场已成"红海" [4] - 与Wolfspeed的10年SiC晶圆采购合同面临2500亿日元亏损计提 相当于公司年均净利润的93% [4] 新战略方向 - 重点转向微控制器业务 计划通过芯片+软件捆绑销售提升系统价值 [5] - 目标使微控制器占公司销售额10%-15% [6] - 参考德州仪器模式 专注GaN产品与模拟芯片组合销售 避开直接竞争 [6] 财务指标调整 - 运营利润率目标下限下调5个百分点至25% [6] - 计划增加研发投入寻求新增长点 [7] - 德州仪器近五年平均营业利润率44% 为瑞萨两倍 市值是瑞萨七倍 [6] 管理层表态 - 总裁柴田英利称需"回归基础" 承认与中国对手正面对抗困难 [2] - 将当前战略调整定义为"有意识的暂停" 强调投资必要性 [7]