台积电退出GaN代工的决定与影响 - 台积电计划在2027年7月31日彻底退出GaN代工服务，其曾是全球唯一能提供高低压双衬底GaN解决方案的晶圆代工厂[2] - 台积电退出GaN业务是因为其业务体量与利润水平无法与服务于AI处理器的核心业务相提并论，计划将现有GaN产线改造为先进封装基地以服务英伟达等客户[12] - 台积电通过技术授权扶持继任者，其定义的工艺标准依然是行业准则，并掌握话语权和专利费分成[4] 二线晶圆厂与IDM厂商承接产能 - 格芯（GF）与台积电签署GaN技术授权协议，覆盖650V与80V工艺，目标在2026年底前进入可用阶段，并将佛蒙特州工厂定位为美国战略性GaN生产中心，获得超8000万美元联邦资金支持[3] - 台积电子公司世界先进（VIS）与台积电签署GaN技术授权协议，计划利用成熟8英寸产能承接中低毛利订单，成为全球GaN代工新重心[3] - 罗姆（ROHM）从台积电购买技术许可转向自主生产，将在日本滨松建立新的8英寸GaN生产线，同时可将部分产能外包至VIS以平衡风险[7] - 力积电（PSMC）与纳微半导体（Navitas）达成量产合作，规划200mm GaN-on-Si生产，100V产品预计2026年上半年量产，650V产品将在未来12-24个月内从台积电转移至PSMC[4] - 德国X-Fab于2025年9月正式推出GaN-on-Si晶圆代工服务，补齐欧洲在功率GaN代工侧的能力[5] GaN市场需求与增长驱动力 - Yole预计到2030年GaN市场规模将达到约30亿美元，从2024年到2030年复合年增长率（CAGR）为42%[10] - 消费与移动领域预计到2030年仍将贡献50%以上的市场份额，但更多体现规模效应[13] - 汽车与出行领域在2024-2030年期间预计将实现73%的复合年增长率，到2030年预计占据约19%的市场份额[13] - 数据中心与电信领域到2030年预计贡献约13%的GaN市场规模，其技术外溢效应远高于表观占比[13] 中国大陆GaN制造版图 - 英诺赛科拥有全球最大规模的8英寸GaN-on-Si IDM产能，其产品已完成谷歌AI硬件平台的关键设计导入，并与英伟达合作推动800V直流电源架构在AI数据中心落地[16] - 英诺赛科与意法半导体开展技术开发与制造合作，并与安森美签署战略备忘录，结合双方在工艺与系统集成上的能力[16] - 三安集成是国内最早提供GaN代工服务的厂商之一，工艺覆盖射频与功率两大方向[17] - 芯联集成在车规级GaN上投入突出，正承接原本依赖台积电进行车规级制造的设计公司需求[17] - 赛微电子（通过聚能晶源）在GaN外延与代工领域形成较高技术壁垒，重点覆盖高端工业与通信应用[17] - 华润微拥有成熟的6英寸和正在爬坡的8英寸线，主打中低压消费电子市场[17] 行业格局重塑与未来趋势 - GaN制造正在去中心化，从依赖单一顶级代工厂转向由GF、VIS、PSMC、X-Fab及大陆多家厂商并行承载[5][19] - 产业主导权重新分配，IDM厂商重新掌控核心工艺与关键产能，Fabless厂商获得更具弹性的制造选择，特色工艺晶圆厂找到明确的价值锚点[19] - GaN应用结构发生质变，从消费级快充迈入数据中心、车载电源与能源基础设施等高可靠、高责任的系统级场景[13][19] - 台积电的退出标志着GaN完成早期技术验证，进入产业成熟期[19]

投资评级与核心观点 - 报告对紫光国微维持“买入”评级 [1][8] - 核心观点：紫光国微拟收购瑞能半导体100%股权，是一笔战略意图明确、产业协同潜力显著的并购交易，能向产业链关键环节纵向延伸、构建更完整半导体生态，提升公司成长性、扩张产业版图 [4][5][8] 收购事件与标的公司分析 - 事件：2026年1月14日，紫光国微披露重大资产重组预案，拟通过“发行股份+支付现金”方式购买瑞能半导体100%股权，发行股份购买资产的定价为每股61.75元，交易对价和业绩承诺条款尚未公布 [5] - 标的公司：瑞能半导体是一家一体化经营（IDM）的功率半导体企业，业务覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链条，产品广泛应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域 [5] - 标的公司财务：瑞能半导体2025年上半年营业总收入达4.41亿元，对比2024年上半年的3.74亿元同比增长17.87% [5] - 标的公司技术：掌握晶闸管的平面制造技术、功率快恢复二极管的先进载流子寿命控制技术、碳化硅功率器件设计技术，核心技术人员具备10年以上研发设计经验 [5] 战略协同与产业意义 - 补链强链：紫光国微当前主营业务为特种集成电路和智能安全芯片，收购将使公司有望获得功率半导体从设计到制造的完整IDM能力，完善功率半导体产业链布局 [5] - 顺应市场趋势：收购顺应了全球功率半导体市场在新能源汽车、可再生能源领域的高速增长趋势，为公司培育新的盈利增长点 [5] - 研发与产品协同：紫光国微的研发资源与资金实力，可加速瑞能半导体新一代碳化硅功率器件及模块的研发与产业化，抢占国产替代技术制高点 [5] - 产品线互补：数字芯片与功率器件结合，可构建一体化解决方案，尤其在汽车领域，双方经验结合有望推出更具竞争力的汽车电子整体解决方案 [5] - 客户与供应链协同：双方可交互利用客户资源优势，共享销售渠道，实现交叉销售，紫光国微更大的采购规模与供应链管理经验可助力瑞能半导体优化采购成本，增强供应链安全 [5][6] 行业市场前景 - 根据Omdia预测，全球功率半导体市场规模将从2023年的503亿美元增至2027年的596亿美元 [5] 公司财务数据与预测 - 当前股价：77.49元 [1] - 总市值：66,704.03百万元 [7] - 财务预测（调整后）： - 2025E-2027E营业收入预测：67.80亿元 / 84.95亿元 / 108.27亿元 [7][8] - 2025E-2027E营业收入同比增长率：23.0% / 25.3% / 27.5% [7] - 2025E-2027E归母净利润预测：16.15亿元 / 21.52亿元 / 28.81亿元 [8] - 2025E-2027E归母净利润同比增长率：37.0% / 33.2% / 33.8% [7] - 估值：基于2026年2月13日股价，对应2025E-2027E市盈率（PE）倍数为40.75倍 / 30.59倍 / 22.86倍 [8]

投资评级与核心观点 - 报告对紫光国微维持“买入”评级 [1][8] - 报告核心观点：紫光国微拟收购瑞能半导体100%股权，此举是一笔战略意图明确、产业协同潜力显著的并购交易，能向产业链关键环节纵向延伸、构建更完整半导体生态，提升公司成长性、扩张产业版图 [4][5][8] 收购事件与标的公司分析 - 事件：2026年1月14日，紫光国微披露重大资产重组预案，拟通过“发行股份+支付现金”方式收购瑞能半导体科技股份有限公司100%股权，发行股份购买资产的定价为每股61.75元，交易对价和业绩承诺条款尚未公布 [5] - 标的公司瑞能半导体是一家一体化经营（IDM）的功率半导体企业，业务覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链条，产品广泛应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域 [5] - 瑞能半导体掌握晶闸管平面制造技术、功率快恢复二极管的先进载流子寿命控制技术、碳化硅功率器件设计技术，核心技术人员具备10年以上研发经验 [5] - 瑞能半导体2025年上半年营业总收入达4.41亿元，对比2024年上半年的3.74亿元同比增长17.87% [5] 战略协同与产业意义 - 补链强链：紫光国微当前主营业务为特种集成电路和智能安全芯片，收购将使公司获得功率半导体从设计到制造的完整IDM能力，完善功率半导体产业链布局 [5] - 顺应市场趋势：收购顺应全球功率半导体市场在新能源汽车、可再生能源领域的高速增长趋势，为公司培育新的盈利增长点 [5] - 研发与市场协同：紫光国微的研发资源与资金实力，可加速瑞能半导体新一代碳化硅功率器件及模块的研发与产业化，抢占国产替代技术制高点 [5] - 切入高成长赛道：根据Omdia预测，功率半导体市场规模将从2023年的503亿美元增至2027年的596亿美元，紫光国微通过收购直接切入这一高成长赛道 [5] - 产品线互补：数字芯片与功率器件结合，可构建一体化解决方案，尤其在汽车领域，双方经验结合有望推出更具竞争力的汽车电子整体解决方案 [5] - 客户与供应链协同：双方可交互利用客户资源优势，共享销售渠道，实现交叉销售，紫光国微更大的采购规模与供应链管理经验可助力瑞能半导体优化采购成本 [5][6] 财务数据与业绩预测 - 当前股价：77.49元，总市值66,704.03百万元，52周股价区间为61.45-92.78元 [7] - 2024年业绩：营业收入55.11亿元，同比下降27.3%，归属母公司净利润11.79亿元，同比下降53.4% [7] - 业绩预测：预计2025-2027年营业收入分别为67.80亿元、84.95亿元、108.27亿元，同比增长23.0%、25.3%、27.5% [7][8] - 净利润预测：预计2025-2027年归属母公司净利润分别为16.15亿元、21.52亿元、28.81亿元，同比增长37.0%、33.2%、33.8% [7][8] - 每股收益预测：预计2025-2027年全面摊薄EPS分别为1.90元、2.53元、3.39元 [7] - 估值水平：以2026年2月13日股价计，对应2025-2027年PE倍数分别为40.75倍、30.59倍、22.86倍 [8]

公司股价与交易表现 - 2月12日盘中股价下跌2.08%，报52.30元/股，成交额7.13亿元，换手率1.10%，总市值684.89亿元 [1] - 当日主力资金净流出9508.88万元，特大单与大单买卖活跃，特大单买入6329.93万元（占比8.88%），卖出9233.56万元（占比12.95%），大单买入1.39亿元（占比19.49%），卖出2.05亿元（占比28.75%） [1] - 今年以来股价累计上涨42.31%，但近期有所回调，近5个交易日下跌6.74%，近20日上涨35.56%，近60日上涨42.00% [1] - 今年以来已1次登上龙虎榜，最近一次为2月4日 [1] 公司财务与经营概况 - 2025年1月至9月，公司实现营业收入82.73亿元，同比减少42.86%，归母净利润9.01亿元，同比减少69.56% [2] - 公司主营业务为晶体生长设备及其控制系统的研发、制造和销售，主营业务收入构成为：设备及其服务70.48%，材料21.18%，其他8.34% [1] - 公司A股上市后累计派现32.41亿元，近三年累计派现20.27亿元 [3] 公司股东与股权结构 - 截至9月30日，公司股东户数为8.68万户，较上期增加25.88%，人均流通股14189股，较上期减少20.56% [2] - 截至9月30日，十大流通股东中，香港中央结算有限公司为第二大股东，持股4248.66万股，较上期减少53.84万股 [3] - 主要指数基金持股情况：易方达创业板ETF（159915）为第四大股东，持股1311.18万股，较上期减少220.43万股；华泰柏瑞沪深300ETF（510300）为第五大股东，持股1121.38万股，较上期减少54.22万股；易方达沪深300ETF（510310）为新进第八大股东，持股805.80万股；华夏国证半导体芯片ETF（159995）为第九大股东，持股785.92万股，较上期减少290.35万股 [3] 公司基本信息与行业分类 - 公司全称为浙江晶盛机电股份有限公司，成立于2006年12月14日，于2012年5月11日上市，注册地址为浙江省杭州市临平区顺达路500号 [1] - 公司所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备，所属概念板块包括TOPCon电池、培育钻石、功率半导体、光伏玻璃等 [1]

产能与产品进展 - 广芯微电子一期规划产能为6英寸硅基功率器件月产10万片，目前处于良性扩产阶段，产出自2025年初的6,000片/月提升至年底的**4万片/月** [2] - 已量产产品中，MFER（45V-200V）月产出约**1.2万片**，VDMOS（60V-2,000V）月产出约**2.6万片** [2] - 700V BCD高压产品工程阶段取得重大进展，将在2026年释放产能 [2] - 公司已预留二期项目用地，将根据一期进展适时启动二期建设 [3] 市场竞争力与行业趋势 - 功率半导体行业具有“小批量、多品种、定制化”特征，6英寸产线在生产柔性与经济性上具备优势，且在高压/特高压产品方面性能与可靠性更高 [4] - AI产业浪潮导致台积电、三星等国际大厂将产能向先进制程倾斜，收缩成熟制程产能，加剧了全球成熟制程供给缺口，为国内成熟制程晶圆厂带来客户导入机会 [4] - 功率半导体市场正步入新一轮上升周期，AI数据中心、光伏储能、电网升级、工业自动化推动高压高效功率器件需求呈指数级增长 [7] - 2025年下半年以来，国内大部分功率晶圆产线处于较高产能利用率水平，行业呈现量价稳步提升趋势 [7] 核心竞争优势 - 采用纯晶圆代工商业模式，属于相对稀缺资源，能更好保障客户知识产权安全和稳定产能供应 [5] - 设备配置在国内6英寸功率半导体晶圆厂中制造水平较强，拥有深沟槽刻蚀、通孔刻蚀+钨淀积及高能注入等业内较高端的核心工艺平台 [5] - 与芯微泰克合作，可为客户提供正面+背道一体化的特色工艺全套解决方案，覆盖大多数功率半导体及功率集成电路产品 [5] 产品应用领域 - 聚焦于特色高压功率半导体器件及功率集成电路晶圆代工，主要面向AI数据中心大功率电源、特高压电力设施、光储及工业逆变器、汽车电子和大型工控电机等领域 [6] - 已获得IATF16949:2016符合证明函，具备车规级产品的生产能力 [6]

公司越南业务运营与扩张 - 越南MCC封测工厂当前运营态势良好 [1] - 二期项目顺利通线后快速实现产线运转 [1] - 现阶段聚焦贴片、小信号产品布局且目前已满产满销 [1] - 后续将持续推进产能扩张 [1] 公司海外产业链布局 - 配套越南封测工厂的晶圆厂建设前期筹备已全面开展 [1] - 预计该晶圆厂于2027年正式投产并爬坡增长 [1] - 项目落地后将进一步完善海外产业链布局 [1] - 此举旨在更好地满足市场对功率半导体产品的需求 [1]

公司2025年度财务业绩 - 公司2025年实现营业收入3.94亿元，连续两年增长 [1][2] - 2025年归母净利润为1.06亿元，同比微降4.91% [1][2] - 2025年扣非净利润为6888.64万元，同比增长17.54%，创近四年新高 [1][2] - 公司拟向全体股东每10股派发现金红利4.30元（含税），合计派息5056.8万元，占当期归母净利润的47.64% [3] 主营业务与产品表现 - 公司主营业务为功率半导体的研发与销售，产品应用以消费类电子为主 [2] - 产品线涵盖功率器件与功率IC两大类，主力产品包括TVS、MOSFET、肖特基和功率IC [2] - 2025年功率器件产品销量增加，生态链产品与核心业务协同推动销量增长，SGTMOS产品逐步实现批量出货 [1] - 2025年TVS、MOSFET、肖特基毛利率分别为32.58%、34.85%、33.29%，同比分别减少2.53、6.07、1.89个百分点 [3] - 2025年功率IC毛利率为29.75%，同比增加11.47个百分点，但由于其收入体量小，对公司综合毛利率影响较小 [3] - 公司2025年综合毛利率为32.84%，同比减少1.59个百分点 [3] 重大资产重组交易 - 公司拟以发行可转换公司债券及支付现金方式，作价4.03亿元购买吉瞬科技100%股权及瞬雷科技17.15%股权，从而直接及间接持有瞬雷科技100%股权 [1][4] - 支付方式由现金对价1.27亿元和可转债对价2.76亿元构成，并同步募集不超过5000万元配套资金 [4] - 瞬雷科技核心产品包括瞬态浪涌防护器件、MOSFET等，已广泛应用于汽车电子、工业控制、光伏储能等领域 [4] - 交易对方承诺标的资产2026年至2028年6月累计实现净利润不低于9750万元 [5] - 瞬雷科技2024年与2025年分别实现营业收入2.17亿元、2.40亿元，分别实现净利润3989.73万元、4438.48万元，业绩呈增长态势 [5] 交易影响与战略意义 - 交易完成后，公司2025年备考营业收入将达6.33亿元，较交易前增长60.88% [5] - 交易完成后，公司2025年备考归母净利润为1.55亿元，较交易前增长45.76% [5] - 公司将借助标的公司的技术积累和客户资源，强化在功率半导体领域的核心竞争力 [1] - 交易将帮助公司实现从Fabless（无晶圆厂）向Fab-lite（半晶圆厂）模式的战略转型 [5] - 瞬雷科技拥有自建晶圆和封测生产线，将与公司的研发优势形成协同，优化供应链管控、降低采购成本，并拓展汽车电子、工业控制等高端应用领域 [5]

2025年经营业绩与近期概况 - 2025年前三季度营业收入同比提升20.89%，第四季度延续稳中向好态势，毛利率保持相对稳健 [3] - 公司主营产品分为三大板块：材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、整流器件等） [3] - 产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业及消费类电子等领域 [3] 各业务板块2026年展望 - **汽车电子**：属于战略发展领域，预计将持续较快增长，得益于前瞻性布局、通过多家Tier 1厂商认证以及与主流终端厂商的战略合作 [6] - **工业领域**：预计2026年景气度稳步攀升，受益于制造业设备以旧换新补贴政策落地及前期“两新”政策积累带来的需求扩容 [5] - **消费电子**：预计2026年实现平稳增长，公司将紧跟AI服务器、低空经济、穿戴设备等新型应用趋势进行产品布局 [7][8] - **新兴领域**：已围绕无人机（低空经济）、储能、人形机器人、AI服务器等成立专项小组，加大研发投入，目前营收占比小但未来将快速增长 [8] 产能扩张与资本开支计划 - **越南工厂**：MCC封测工厂当前满产满销，二期项目已顺利通线；配套晶圆厂建设前期筹备已开展，预计2027年正式投产 [3] - **资本开支计划**主要包括：越南工厂封装产线及晶圆厂建设、八寸晶圆产线扩产、碳化硅持续投入、汽车业务产线扩产、先进封装项目建设 [8] 公司发展战略与收并购计划 - 收并购计划聚焦功率半导体主业，围绕产业链上下游优化资源配置，关注标的在业务、技术上的优势互补性以及其产能布局 [3][4] - 公司致力于通过并购补充优质产能、优化产能结构，以支撑主业规模与持续发展，提升整体规模和综合实力 [4] - 将持续加大汽车电子领域研发投入，并依托越南生产基地推进海外车规体系搭建，强化全球化供应链服务能力 [6]

2025年度财务表现 - 2025年公司实现营业收入3.94亿元，同比增长11.52% [1] - 2025年公司归母净利润为1.06亿元，同比小幅下降4.91% [1] - 公司计划向全体股东每10股派发现金红利4.3元（含税） [1] 公司战略与市场定位 - 公司为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，始终坚持技术领先战略 [3] - 公司围绕下游市场需求持续推进产品创新与迭代 [3] 功率器件产品创新与成果 - 2025年公司在功率器件领域总计发布超过150款新产品 [3] - 在保护器件方面，推出了包括极低容值SCRESD、超强浪涌防护SCRESD、超小尺寸ESD在内的70余款新品，并获得头部客户认可 [3] - 创新研发的超低容值SBD产品在关键参数上实现突破，能充分满足射频C/Ku波段应用的高频要求 [3] - 在MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS等功率器件领域，公司发布了80余款新产品 [3] - 公司进一步完善了高压GaN、低压GaN、高压平面型SiC MOS及SiC JBS等技术平台 [3] - 40V低压双向GaN产品已达到国际前沿水平，并在高端消费电子市场实现多个项目量产出货 [3] - 通过对小信号MOSFET、VBUS MOSFET等全线产品的工艺优化，产品性价比显著提升 [3] - 产品在PD快充电源、移动电源及家用AI智能机器人等市场的占有率进一步扩大 [3] 功率IC产品创新与成果 - 2025年公司在功率IC方面发布了14款新产品 [4] - 通过专利技术产品化实现了成本优化与性能突破 [4] - 充电IC采用单引脚多功能复用架构，显著降低了引脚数量与封装成本 [4] - 专用PMIC内置电荷泵技术，为电源路径设计提供了高性价比的灵活选择 [4] - 高可靠性OVP IC集成了防反接保护与NTC温度监测功能，输入端浪涌耐受能力达±350V，提升了系统安全性与热管理能力 [4]

公司可转债发行获批 - 斯达半导公开发行15亿可转债项目获得上海证券交易所上市审核委员会审议通过 [1] 公司基本情况 - 公司全称为斯达半导体股份有限公司，成立于2005年4月27日，总部位于浙江嘉兴，于2020年2月4日在上海证券交易所主板上市 [2] - 公司专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，产品涵盖IGBT、SiC、GaN、MCU芯片及模块 [2] - 产品电压等级覆盖100V～3300V，电流等级10A～3600A，广泛应用于新能源汽车、工业控制、光伏、储能、白色家电等领域 [2] - 公司注册资本为2.39亿元，法定代表人及董事长为沈华 [2] 报告期业绩 - 截至2025年前三季度，公司实现营业收入29.90亿元，同比增长23.82% [3] - 2025年前三季度归母净利润为3.82亿元，同比下降9.80%；扣非归母净利润同比下降11.58% [3] - 业绩增长主要由新能源汽车、AI服务器等高增长领域需求驱动，但净利润承压源于研发费用大幅增加至3.44亿元，占营业收入比重达11.5% [3] - 2025年第三季度单季营收达10.51亿元，环比增长显著 [3] - 公司期末货币资金达11.66亿元，现金流充裕 [3] 募投项目 - 公司拟发行可转债募集资金不超过15亿元，用于三大制造项目及补充流动资金 [4] - 车规级SiC MOSFET模块制造项目：拟投入6亿元，达产后新增年产能280万个，预计年销售收入18亿元，内部收益率18.45% [4] - IPM模块制造项目：拟投入2.7亿元，达产后新增年产能3000万个，预计年销售收入6.6亿元，内部收益率16.00% [4] - 车规级GaN模块产业化项目：拟投入2亿元，达产后新增年产能100万个，预计年销售收入4.51亿元，内部收益率18.73% [4] - 补充流动资金：拟使用4.3亿元 [4] 主要客户 - 公司核心客户集中于新能源汽车、工业控制及电源领域 [6] - 历史主要客户包括上海电驱动、深圳市汇川技术、深圳市英威腾电气、合肥巨一动力系统、上海众辰电子等国内头部电机控制器与变频器厂商 [6] - 近年来，公司持续深化与欧洲一线Tier1供应商合作，产品进入多个国际主流车企供应链 [6] - 2024年，公司已实现向全球领先服务器电源厂商送样，正积极拓展AI服务器800V HVDC供电市场 [6] - 客户结构正从传统工控向高端车规与AI场景升级 [6] 控股股东与实际控制人 - 截至2026年1月30日，公司第一大股东为香港斯达控股有限公司，为绝对控股股东 [7] - 香港斯达控股有限公司为公司创始人团队控制的境外持股平台，长期稳定持有公司股份 [7] - 公司的疑似实际控制人为胡畏与沈华，其中沈华现任公司董事长兼法定代表人，为公司核心管理人与技术带头人 [8] - 二人通过香港斯达控股有限公司间接控制公司，构成共同实际控制人格局 [8] 行业空间与公司地位 - 功率半导体是电力电子系统的核心元件，受益于新能源汽车、AI服务器、光伏储能、工业自动化等高增长赛道驱动，市场空间持续扩张 [9] - 车规级SiC MOSFET因耐高温、高效率特性，正加速替代传统IGBT，渗透率快速提升 [9] - AI数据中心800V高压直流供电架构的普及，进一步带动GaN与SiC器件需求 [9] - 截至2026年1月30日，半导体分立器件行业总市值达4,667.56亿元 [9] - 斯达半导作为国内IGBT/SiC模块龙头，市值达264.91亿元，占行业比重约5.7% [9] - 公司具备显著的国产替代与技术升级红利，自建6英寸SiC产线、规划8英寸产线 [9] - 公司有望在2026年实现成本下降30%、毛利率提升至50%以上，进一步巩固行业领先地位 [9]