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半导体设备ETF(159516)大涨3%,盘中流入超6亿份,存储在AI算力产业链中的重要性有望显著提升
每日经济新闻· 2026-01-17 16:27
半导体设备ETF表现与资金流向 - 1月16日,半导体设备ETF(159516)大涨3% [1] - 该ETF当日盘中资金流入6.25亿份,显示资金抢筹布局 [1] 半导体设备ETF(159516)跟踪指数与构成 - 该ETF跟踪的是半导体材料设备指数(931743) [2] - 指数聚焦于半导体产业链中的上游材料供应及设备制造环节 [2] - 成分股主要涵盖在半导体材料和设备领域具有技术优势和市场地位的企业 [2] - 行业配置侧重高科技制造业,风格偏向成长型 [2] AI数据中心驱动的科技投资主线 - AI数据中心建设驱动的超级周期是2026年科技行业最主要的投资主线 [1] - 存储在AI算力产业链中的重要性有望显著提升 [1] - HBM4e和新型存储系统(如Context Memory Storage System)将驱动存储行业进入AI驱动的“超级周期” [1] AI发展带来的产业链价值提升机会 - AI系统发展关注通过系统协同设计降低Token生产成本 [1] - 这为服务器组装/散热、光互联、载板/PCB等环节带来价值量提升机会 [1] 硬件形态演变与供应链机遇 - 2026年可能是“物理AI元年” [1] - 人形机器人已取代智能电动车成为最受关注的硬件形态 [1] - 中国电子供应链在机器人产业的核心零部件上更具先发优势 [1] 智能硬件技术进展与产品周期 - 在智能硬件方面,微显示和光波导等核心技术取得了显著进展 [1] - 市场期待Android XR生态相关产品在年底上市带动新的产品周期 [1]
信创ETF(159537)涨超1%,行业技术演进与需求复苏受关注
每日经济新闻· 2026-01-16 14:49
行业核心投资主线 - 2026年科技行业最主要的投资主线依然是AI数据中心建设驱动的超级周期,AI算力需求保持高增长 [1] - 存储行业正在进入一个由AI驱动的“超级周期”,HBM4e和新型存储系统(如Context Memory Storage System)需求增长显著 [1] 硬件形态与供应链趋势 - 2026年可能是“物理AI元年”,人形机器人取代智能电动车成为最受关注的硬件形态 [1] - 中国电子供应链在机器人核心零部件上具先发优势 [1] 智能硬件技术进展与市场 - 智能硬件方面,微显示和光波导等核心技术取得显著进展 [1] - 市场期待Android XR生态产品上市带动新周期 [1] - 云台相机已进入普及期,成为新增量赛道 [1] 相关金融产品 - 信创ETF(159537)跟踪的是国证信创指数(CN5075) [1] - 该指数选取业务涉及软件开发、计算机设备等信息技术领域的上市公司证券作为样本,以反映信息技术创新相关上市公司的整体表现 [1]
消电ETF(561310)涨超2.2%,行业景气获市场关注
每日经济新闻· 2026-01-16 14:44
消电ETF市场表现与科技行业投资主线 - 1月16日,消电ETF(561310)上涨超过2.2%,行业景气度获得市场关注 [1] AI驱动的科技行业超级周期 - AI数据中心建设驱动的超级周期是2026年科技行业最主要的投资主线 [1] - 该超级周期驱动计算芯片、存储、网络设备、电力需求旺盛 [1] - 存储行业正进入一个由AI驱动的“超级周期”,HBM4e和新型存储系统需求增长显著 [1] 2026年硬件形态与供应链机遇 - 2026年可能是“物理AI元年”,人形机器人可能取代智能电动车成为最受关注的硬件形态 [1] - 中国电子供应链在机器人核心零部件上具备先发优势 [1] 半导体设备与消费电子指数 - 半导体设备环节因先进制程与封装需求持续扮演重要角色 [1] - 消电ETF(561310)跟踪消费电子指数(931494) [1] - 该指数选取从事消费电子产品设计、制造与销售的相关上市公司证券作为样本 [1] - 指数覆盖智能手机、家用电器、可穿戴设备等领域,反映消费电子行业技术驱动和消费升级的整体表现 [1]
20cm速递|科创芯片ETF国泰(589100)涨超1.7%,行业需求复苏获关注
每日经济新闻· 2026-01-16 14:24
文章核心观点 - 科创芯片ETF国泰(589100)在1月16日上涨超过1.7%,其背后反映了市场对半导体行业需求复苏的关注 [1] - 华泰证券指出,2026年科技行业最主要的投资主线是AI数据中心建设驱动的超级周期,这将带动计算芯片、存储、网络设备和电力需求 [1] - 存储行业正进入一个由AI驱动的“超级周期”,HBM4e需求强劲且制造难度上升,同时新型存储系统旨在解决大模型海量数据存储需求 [1] - 半导体设备方面,先进工艺和先进封装的需求持续,相关设备厂商扮演重要角色 [1] - 2026年可能是“物理AI元年”,人形机器人可能取代智能电动车成为最受关注的硬件形态,中国电子供应链在机器人核心零部件上具先发优势 [1] - 智能硬件方面,微显示和光波导等核心技术取得显著进展,云台相机已进入普及期,Android XR生态有望带动新产品周期 [1] 科创芯片ETF国泰(589100)与科创芯片指数 - 科创芯片ETF国泰(589100)跟踪的是科创芯片指数(000685),该指数单日涨跌幅限制达20% [2] - 科创芯片指数聚焦于覆盖半导体全产业链的科创板企业,包括材料、设备、设计、制造及封装测试等环节 [2] - 指数精选不超过50只市值较大的相关领域证券作为样本,以反映半导体全产业链的整体表现,并体现行业的高成长性与技术创新特征 [2]
赛道Hyper | 媲美CoWoS:英特尔突破先进封装技术
华尔街见闻· 2025-06-02 21:52
公司技术进展 - 英特尔在电子元件技术大会(ECTC)上披露了EMIB-T芯片封装技术突破,包括新分散式散热器设计和热键合技术,可提高可靠性和良率并支持更精细的芯片间连接 [1] - EMIB-T技术升级集中在三方面:引入TSV垂直互连、集成高功率MIM电容器、跃升封装尺寸与集成密度 [1] - EMIB-T支持最大120x180毫米封装尺寸,单个封装可集成超过38个桥接器和12个矩形裸片,凸块间距达45微米,未来计划缩小至25微米 [2] - EMIB-T通过TSV供电将电源传输电阻降低30%以上,数据传输速率达32 Gb/s+,带宽提升约20%,延迟减少约15% [6][7] - 该技术支持有机基板和玻璃基板,后者可实现25微米凸块间距和更高效信号传输,是未来封装战略重点 [7] 技术应用与优势 - EMIB-T能稳定支持HBM4/4e内存的3.2 TB/s带宽,适用于AI加速器、数据中心处理器和超算芯片 [7][8] - 新型热压粘合工艺提升大型封装基板制造良率和可靠性,分解式散热器技术可将热界面材料焊料空隙减少25%,支持TDP高达1000W的芯片封装 [7] - 该技术为Chiplet设计提供统一封装平台,支持多来源芯片(如英特尔CPU、第三方GPU和内存)集成,AWS和思科已合作应用于下一代服务器 [8] - 与台积电CoWoS相比,EMIB-T在电源完整性和信号稳定性更具优势,Foveros-R/B等衍生技术拓展了应用场景 [9] 商业化与战略规划 - 西门子EDA推出基于TSV的EMIB-T参考流程,构建从热分析到信号完整性的完整工具链加速商业化 [9] - 英特尔计划2025年下半年实现EMIB-T量产,凸块间距从45微米逐步缩小至25微米,2028年目标单个封装集成超24颗HBM [9] - 公司采用开放策略,为完全不使用英特尔制造组件的芯片提供封装服务,以拓展代工厂客户关系 [9] - 该技术是英特尔代工厂战略的重要组成部分,将影响全球半导体封装技术发展方向 [9] 行业背景 - 现代处理器采用复杂异构设计集成多种计算和内存组件以提升性能、成本和能效 [4] - 先进封装技术是异构设计的基石,行业正向Chiplet设计转型 [5] - 英特尔需持续推进新技术研发以与台积电等竞争对手保持同步 [6]
下一代HBM:三大技术,定生死!
半导体行业观察· 2025-04-03 09:23
HBM技术发展趋势 - SK海力士强调下一代HBM商业化需多领域技术进步,尤其电源效率需与代工企业紧密合作[1] - HBM4的I/O数量相比HBM3E翻倍至2048个,客户需求最高达4000个I/O[3] - 功耗优化依赖逻辑工艺,HBM4开始逻辑芯片将由代工厂生产[3] - 容量扩展通过DRAM堆叠实现,当前12层将增至16层和20层[3] - 堆叠技术面临间距缩小挑战,16层堆叠需将DRAM间距减半[4] - 混合键合技术可减小芯片厚度并提升功率效率,但商业化存在技术难度[4][5] 三星HBM战略 - 已成功开发16层堆叠HBM3样品,计划用于HBM4量产[6] - 混合键合技术可提高信号传输速率30%,更适合AI计算需求[8] - 推行双重键合战略,同步开发混合键合和传统TC-NCF工艺[8] - HBM4模块高度限制增至775微米,TC-NCF工艺目标缩小晶圆间隙至7微米以内[10] - 计划采用4nm代工工艺量产逻辑芯片,核心芯片使用10nm第六代(1c)DRAM[16] 美光HBM布局 - HBM4按计划开发中,预计2026年量产,HBM4E同步推进[12] - HBM4采用1β DRAM技术,16层堆栈单芯片32GB容量,峰值带宽1.64TB/s[12] - HBM3E 12-Hi堆栈功耗比竞品8-Hi版本低20%,内存容量高50%[13] - HBM4E与台积电合作开发,提供定制基片增强数据传输速度[12][14] 行业竞争格局 - 韩国双雄均转向代工工艺,SK海力士拟采用台积电3nm工艺替代原5nm方案[16][17] - HBM4性能提升显著,SK海力士48GB堆栈速度8Gbps,三星目标9.2Gbps[19] - 美光称HBM4性能比HBM3E提升50%以上[19] - 下一代HBM4e瞄准更高密度,三星规划单层32Gb容量,SK海力士探索20层以上堆栈[20] - NVIDIA Rubin Ultra将采用16个HBM4e堆栈,单GPU内存达1TB[20] 技术演进方向 - HBM4成为下一代标准,在密度和带宽实现重大突破[19] - 混合键合技术可提升功率效率30%,但面临成熟度和成本挑战[8][5] - 三巨头均聚焦16层堆叠方案,12层36GB堆栈或成2026年主流[19] - 行业积极推动密度和带宽路线图,以支撑AI工作负载需求[22]