业务板块与市场需求 - 磷化铟晶片需求因下游光通信市场景气度提升而明显增加 [2] - 磷化铟晶片主要用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等领域的光模块芯片 [3] - 砷化镓晶片用于射频器件、激光器、传感器、HBLED器件，下游应用于手机电脑、通信基站、无人驾驶、Mini/Micro LED显示等领域 [3] - 光伏级锗产品需求因全球低轨通讯卫星组网需求快速增长而大幅增加，公司前三季度该产品产、销量均大幅增长 [4] - 光纤级锗产品板块本年度产销量同比增长 [5] - 光纤用四氯化锗是生产光纤预制棒的原料，用于降低光纤衰耗，优化性能，下游客户为光纤生产厂商 [7] 产能与项目建设 - 公司光伏级锗晶片当前产能为30万片/年（4英寸）和20万片/年（6英寸） [4] - 空间太阳能电池用锗晶片建设项目于2025年3月启动，建设期18个月，计划2025年末产能达到125万片/年，完全建成后达到250万片/年 [4] - 磷化铟晶片产能可满足当前客户需求，暂无扩产计划 [8] - 高品质砷化镓晶片建设项目于2025年11月启动，建设期18个月，将新建并搬迁产线，最终建成70万片/年6英寸砷化镓晶片生产线及3万套/年半导体级石英管生产线 [9] 公司运营与战略 - 公司化合物半导体材料所需原辅料（如砷、镓、磷、铟）均从外部采购 [2] - 公司主营产品均受出口管制，已按规定申请出口许可，部分订单已获许可并出口 [10] - 公司积极寻求通过收购、勘探等方式增加资源储备 [11] - 未来重点方向为加大化合物半导体材料的研发和市场开拓，提升深加工产品销量及占比，增强竞争力 [12]

调研基本情况 - 公司于2025年11月13日在昆明生产基地接待了西部证券、申万宏源证券、信达澳亚基金等多家机构的特定对象调研 [1][2] - 公司副总经理兼董事会秘书金洪国及证券事务代表张鑫昌负责接待并交流 [1][2] - 交流内容涵盖公司生产经营、产品布局、产能规划及下游市场等热点问题 [1] 核心业务与产品布局 - 公司产品覆盖材料级和深加工领域 材料级产品包括锗锭和二氧化锗 深加工产品包括光伏级太阳能锗晶片、红外级锗单晶及镜头、光纤级四氯化锗 [2] - 通过子公司云南鑫耀半导体材料有限公司布局化合物半导体材料业务 [2] - 化合物半导体材料生产所需砷、镓、磷、铟等原辅料全部从外部采购 公司自身不生产相关原料 [3] - 磷化铟晶片主要用于光模块激光器和探测器芯片 下游覆盖5G通信、数据中心及可穿戴设备 [3] - 砷化镓晶片应用于射频器件、激光器件及高亮度发光二极管 终端市场包括手机电脑、通信基站、无人驾驶及新一代显示 [3] 下游市场景气度与产能规划 - 锗金属下游应用中 红外光学为当前用量最大领域 其次是光纤通讯和光伏 [4] - 全球低轨通讯商业卫星组网需求激增 带动空间太阳能电池需求 推动太阳能锗晶片用量增长 [4] - 光通信市场景气度回升 显著拉动化合物半导体材料需求 [4] - 公司当前太阳能锗晶片产能为30万片/年（4英寸）和20万片/年（6英寸） [4] - 公司于2025年3月启动新建设项目 计划建设期18个月 2025年末产能将逐步爬升至125万片/年 项目完全建成后总产能将达250万片/年 [4] 资本开支与未来发展战略 - 2025年资本开支主要围绕三大重点项目展开 包括先进锗材料建设项目、空间太阳能电池用锗晶片建设项目及高品质砷化镓晶片建设项目 [5] - 未来公司将在巩固锗产品优势基础上 加大化合物半导体材料的研发与市场开拓 [5] - 公司计划通过提升深加工产品销量及占比 推动产业结构向深加工为主转型 [5] - 公司正积极通过收购整合、勘探等方式增加资源储备 [5]

项目投资与设立 - 控股子公司云南鑫耀与自然人刘广政共同出资5000万元设立湖北鑫耀半导体材料科技有限公司 [1] - 项目总投资2.72亿元，建设期18个月，将建成年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片生产线及配套年产3万套半导体级4—6英寸石英管生产线 [1] - 云南鑫耀以机器设备出资3240.60万元（对应378台设备）并以货币资金出资1259.40万元，刘广政以货币资金出资500万元，双方持股比例分别为90%和10% [1] 项目背景与战略动机 - 项目实施以搬迁为主体，将现有砷化镓晶片生产线整体搬迁至湖北省黄冈市高新技术产业园区 [1] - 公司现有砷化镓晶片产能为80万片/年，但2024年实际产量仅为8.75万片，2025年计划产量为20万片，显示当前产能应用不充分 [3] - 公司将产业向市场需求更集中、技术支持及产业配套更完善的地区转移，以增强核心竞争力、盈利能力和研发能力 [3] - 公司旨在紧抓产业发展机遇，扩大产能，提高工艺技术水平，加大核心技术研发及成果转化 [4] 合作方与团队 - 合作人刘广政为中国科学院半导体研究所材料物理与化学工学博士，高级职称，长期从事半导体材料与器件及核心制造装备的研发生产管理 [2] 行业与市场需求 - 砷化镓作为第二代半导体衬底材料，是硅之后最重要的微电子材料之一，因其优良特性广泛应用于射频器件和光电子器件 [3] - 近年来，由于在LED、半导体激光管和光电探测器等光电器件的可用性，砷化镓的需求量正在提升 [3] - 光电子信息产业是湖北省武汉市五大优势产业之首，2024年产业规模已达7566亿元，正向万亿级产业集群迈进 [4]

公司产品技术说明 - 衬底（晶片）是通过切割、研磨、抛光晶体得到的具有特定晶面和电学、光学、机械特性的单晶圆薄片 用于生长外延层 [1] - 磷化铟晶片是一种重要的化合物半导体材料 具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等优点 [1] 产品应用领域 - 磷化铟晶片被广泛应用于光通信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光器、光探测器等领域 [1]

财务表现 - 营业总收入5.29亿元，同比上升52.1%，归母净利润2214.98万元，同比上升339.6% [1] - 第二季度营业总收入2.89亿元，同比上升33.07%，第二季度归母净利润1195.04万元，同比上升430.92% [1] - 毛利率23.98%，同比增63.25%，净利率4.59%，同比增276.78% [1] - 每股收益0.03元，同比增342.86%，每股净资产2.24元，同比增4.79% [1] - 销售费用、管理费用、财务费用总计7350.99万元，三费占营收比13.88%，同比减17.09% [1] - 每股经营性现金流-0.2元，同比减58.73% [1] 资产与负债变动 - 应收款项变动幅度49.58%，因光伏级、光纤级、红外级锗产品销售收入增加导致应收账款增加 [2] - 短期借款变动幅度78.66%，因新增银行短期借款 [2] - 合同负债变动幅度58.93%，因预收货款增加 [2] - 应收款项融资变动幅度122.7%，因拟贴现应收票据增加 [2] - 预付款项变动幅度302.01%，因预付原材料款增加 [2] - 应付账款变动幅度81.91%，因应付原材料及设备款项增加 [2] - 其他应付款变动幅度402.58%，因向股东拆借本金增加 [3] - 存货同比增幅40.48% [1] 收入与成本驱动因素 - 营业收入变动幅度52.1%，因产品价格变动增加收入1.39亿元，销售量变动增加收入4193.29万元 [4] - 主要产品价格上升包括锗金属原料价格上升带动材料级、红外级、光纤级、光伏级锗产品均价上升，磷化铟产品销量占比上升带动化合物半导体材料均价上升 [4] - 主要产品销量增加受下游需求推动，包括光伏级锗产品因通信卫星组网需求快速增加，化合物半导体材料因光通信市场景气度提升，红外级锗产品因交付上年合同及订单增加，光纤级锗产品因订单及交付增加 [4] - 材料级锗产品销量下降因公司优先满足光伏级和光纤级产品生产需求 [4] - 营业成本变动幅度35.53%，因单位成本变动增加成本6376.01万元，销售量上升增加成本4176.01万元 [5] - 单位成本上升受原材料市场价格增长影响，包括材料级锗产品、光纤级锗产品、红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片），以及磷化铟销量占比增加带动化合物半导体材料平均单位成本上升 [5] - 单位成本下降包括红外级锗产品（镜头、光学系统）和光伏级锗产品因产量影响 [5] 费用与研发投入 - 销售费用变动幅度77.82%，因加强化合物半导体材料和光伏级锗产品市场开拓导致业务宣传费等增加 [5] - 管理费用变动幅度-12.29%，因停工损失减少、折旧及摊销减少、管理人员薪酬减少 [5] - 财务费用变动幅度109.75%，因对金融负债未确认融资费用进行摊销 [5] - 研发投入变动幅度86.41%，因多个研发项目进入集中攻关阶段，包括KMYZ20240101项目、光纤级四氯化锗金属离子痕量检测分析的研究与应用项目、KMYZ20250101-1项目、复杂难处理低含锗物料中锗的超常分离富集关键技术研究与应用项目、XXX锗单晶抛光片关键技术开发项目 [6] - 研发费用变动幅度85.69%，因多数研发项目未达到资本化条件，费用全部计入研发费用 [7] 现金流与投资活动 - 经营活动产生的现金流量净额变动幅度-58.73%，因购买原材料支付的现金增加以及应收账款增加 [8] - 投资活动产生的现金流量净额变动幅度-188.96%，因支付用于购建固定资产的现金增加 [8] - 筹资活动产生的现金流量净额变动幅度19.76%，因子公司收到新股东投资的现金增加 [8] - 现金及现金等价物净增加额变动幅度-241.2%，因公司及子公司原材料采购及购建固定资产支付的现金增加 [8] 业务与行业动态 - 公司业绩主要依靠研发驱动 [10] - 基金持仓显示国投瑞银景气驱动混合A持有33.43万股，较上期增仓 [11]

技术布局与产能规划 - 公司已实现6-12英寸导电型碳化硅长晶技术自主可控，但当前扩产重点为8英寸衬底而非12英寸 [1] - 8英寸导电型碳化硅衬底主要应用于新能源汽车电驱、高压充电、储能及轨道交通等高压大功率场景 [1] - 在光学级碳化硅领域，公司已稳定量产8英寸晶体，并加速12英寸光学级衬底的产业化验证 [1] 12英寸衬底产业化现状 - 12英寸碳化硅上下游生态仍处于前期验证阶段，尚未达到大规模产业化条件 [1] - 公司推进12英寸衬底将取决于产业链成熟度及客户需求，而非单纯技术能力 [1] - 天岳先进等竞争对手已开始推广12英寸衬底，但行业整体产业化进度受限 [1] 研发战略与市场定位 - 公司持续加大化合物半导体材料研发投入，聚焦技术领先优势 [1] - 目标市场涵盖新能源汽车、光伏、5G通信、AR眼镜等战略性新兴产业 [1] - 技术路线选择兼顾当前市场需求（8英寸）与前瞻性布局（12英寸验证） [1]