公司产品与技术 - 公司子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）和磷化铟晶片（衬底）[1] - 上述材料可用于生产垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等[1] - 产品应用领域广泛，包括5G、数据中心、光纤通信、新一代显示（包括Mini LED及Micro LED）、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等[1] 行业市场与需求驱动 - 随着数字新基建推进，除了5G，还将推动千兆城市、数据中心建设，对光通讯领域的带动将会更加明显[1] - 未来在人工智能、数据安全、6G、专网通信、车联网等领域市场需求增长将进一步刺激化合物半导体材料市场规模增长[1] - 特别是磷化铟衬底的市场规模预计将获得进一步增长[1]

公司产品与业务 - 公司子公司生产化合物半导体产品，包括砷化镓晶片和磷化铟晶片 [1] 磷化铟晶片应用 - 磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器和探测器芯片 [1] - 下游应用领域包括5G通信、数据中心和可穿戴设备 [1] 砷化镓晶片应用 - 砷化镓晶片主要用于射频器件、激光器件、传感器以及高亮度发光二极管器件 [1] - 下游应用领域广泛，包括手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示、工业激光和面容识别 [1]

行业需求趋势 - 全球卫星特别是低轨通讯用商业卫星组网需求快速增长 导致对空间太阳能电池需求大幅增加 [1] - 全球太阳能锗晶片的用量表现出较好的增长势头 [1] 公司产品结构 - 材料级锗产品主要为锗锭和二氧化锗 [1] - 光伏级锗产品主要为太阳能锗晶片 用于生产太阳能锗电池 具有光电转换效率高 性能稳定等特点 多用于空间飞行器如卫星等领域 [1] - 红外级锗产品主要为红外级锗单晶及毛坯 锗镜片 镜头 红外热像仪 光学系统 [1] - 光纤级锗产品为光纤用四氯化锗 [1] - 化合物半导体材料主要为砷化镓晶片 磷化铟晶片 [1] - 公司产品主要运用领域包括红外光电 太阳能电池 光纤通讯 发光二极管 垂直腔面发射激光器 大功率激光器 光通信用激光器和探测器 [1] 公司产能与扩张计划 - 目前光伏级锗产品太阳能锗晶片的产能为30万片每年4英寸 20万片每年6英寸 [2] - 公司于2025年3月开始实施空间太阳能电池用锗晶片建设项目 计划建设期为18个月 [2] - 计划在现有产能基础上新建产能 2025年末达到年产125万片锗晶片的产能 [2] - 项目完全建成后达到年产250万片锗晶片的产能 在此过程中部分机器设备陆续到位 产能处于逐步爬升阶段 [2]

调研基本情况 - 公司于2025年11月13日在昆明生产基地接待了西部证券、申万宏源证券、信达澳亚基金等多家机构的特定对象调研 [1][2] - 公司副总经理兼董事会秘书金洪国及证券事务代表张鑫昌负责接待并交流 [1][2] - 交流内容涵盖公司生产经营、产品布局、产能规划及下游市场等热点问题 [1] 核心业务与产品布局 - 公司产品覆盖材料级和深加工领域 材料级产品包括锗锭和二氧化锗 深加工产品包括光伏级太阳能锗晶片、红外级锗单晶及镜头、光纤级四氯化锗 [2] - 通过子公司云南鑫耀半导体材料有限公司布局化合物半导体材料业务 [2] - 化合物半导体材料生产所需砷、镓、磷、铟等原辅料全部从外部采购 公司自身不生产相关原料 [3] - 磷化铟晶片主要用于光模块激光器和探测器芯片 下游覆盖5G通信、数据中心及可穿戴设备 [3] - 砷化镓晶片应用于射频器件、激光器件及高亮度发光二极管 终端市场包括手机电脑、通信基站、无人驾驶及新一代显示 [3] 下游市场景气度与产能规划 - 锗金属下游应用中 红外光学为当前用量最大领域 其次是光纤通讯和光伏 [4] - 全球低轨通讯商业卫星组网需求激增 带动空间太阳能电池需求 推动太阳能锗晶片用量增长 [4] - 光通信市场景气度回升 显著拉动化合物半导体材料需求 [4] - 公司当前太阳能锗晶片产能为30万片/年（4英寸）和20万片/年（6英寸） [4] - 公司于2025年3月启动新建设项目 计划建设期18个月 2025年末产能将逐步爬升至125万片/年 项目完全建成后总产能将达250万片/年 [4] 资本开支与未来发展战略 - 2025年资本开支主要围绕三大重点项目展开 包括先进锗材料建设项目、空间太阳能电池用锗晶片建设项目及高品质砷化镓晶片建设项目 [5] - 未来公司将在巩固锗产品优势基础上 加大化合物半导体材料的研发与市场开拓 [5] - 公司计划通过提升深加工产品销量及占比 推动产业结构向深加工为主转型 [5] - 公司正积极通过收购整合、勘探等方式增加资源储备 [5]

公司产品与业务 - 公司主要产品包括材料级锗产品（锗锭、二氧化锗）、光伏级锗产品（太阳能锗晶片）、红外级锗产品（锗单晶、镜片、热像仪等）、光纤级锗产品（四氯化锗）及化合物半导体材料（砷化镓晶片、磷化铟晶片）[2] - 产品应用于红外光电、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器、大功率激光器等多个高科技领域[3] - 锗金属下游用量最多的领域是红外光学，其次是光纤通讯和光伏等领域[7] - 光纤用四氯化锗是生产光纤预制棒的原料，用于降低光纤衰耗，优化产品性能[12] 化合物半导体业务 - 生产化合物半导体材料的原辅料全部从外部采购[4] - 磷化铟晶片主要用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等领域的光模块激光器和探测器芯片[5] - 砷化镓晶片主要用于射频器件、激光器、传感器、高亮度发光二极管，下游应用于手机、通信基站、无人驾驶、新一代显示等领域[5] - 化合物半导体材料的下游客户主要是外延生产厂商或具备外延生产能力的器件制造厂商[6] 市场景气度与需求 - 全球低轨通讯商业卫星组网需求快速增长，带动空间太阳能电池需求，太阳能锗晶片用量增长势头良好[8][11] - 下游光通信市场景气度提升，推动化合物半导体材料需求大幅增加[8] - 太阳能锗电池具有光电转换效率高、性能稳定的特点，多用于空间飞行器如卫星等领域[9] 产能与资本开支 - 公司光伏级锗产品当前产能为30万片/年（4英寸）和20万片/年（6英寸）[10] - 公司于2025年3月启动“空间太阳能电池用锗晶片建设项目”，建设期18个月，计划2025年末产能达到125万片/年，完全建成后达到250万片/年[10] - 近期资本开支主要集中在“先进锗材料建设项目”、“空间太阳能电池用锗晶片建设项目”和“高品质砷化镓晶片建设项目”三个重点项目[13] 公司战略与未来发展 - 未来公司将加大化合物半导体材料的研发和市场开拓，提升深加工产品的销售占比，推动业务向以深加工为主转型[13] - 公司积极寻求通过收购整合、勘探等方式增加自身资源储备[13] 出口管制 - 公司主营产品均受出口管制，已按规定申请出口许可，部分订单已获批准并出口[12][13]

项目投资与设立 - 控股子公司云南鑫耀与自然人刘广政共同出资5000万元设立湖北鑫耀半导体材料科技有限公司 [1] - 项目总投资2.72亿元，建设期18个月，将建成年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片生产线及配套年产3万套半导体级4—6英寸石英管生产线 [1] - 云南鑫耀以机器设备出资3240.60万元（对应378台设备）并以货币资金出资1259.40万元，刘广政以货币资金出资500万元，双方持股比例分别为90%和10% [1] 项目背景与战略动机 - 项目实施以搬迁为主体，将现有砷化镓晶片生产线整体搬迁至湖北省黄冈市高新技术产业园区 [1] - 公司现有砷化镓晶片产能为80万片/年，但2024年实际产量仅为8.75万片，2025年计划产量为20万片，显示当前产能应用不充分 [3] - 公司将产业向市场需求更集中、技术支持及产业配套更完善的地区转移，以增强核心竞争力、盈利能力和研发能力 [3] - 公司旨在紧抓产业发展机遇，扩大产能，提高工艺技术水平，加大核心技术研发及成果转化 [4] 合作方与团队 - 合作人刘广政为中国科学院半导体研究所材料物理与化学工学博士，高级职称，长期从事半导体材料与器件及核心制造装备的研发生产管理 [2] 行业与市场需求 - 砷化镓作为第二代半导体衬底材料，是硅之后最重要的微电子材料之一，因其优良特性广泛应用于射频器件和光电子器件 [3] - 近年来，由于在LED、半导体激光管和光电探测器等光电器件的可用性，砷化镓的需求量正在提升 [3] - 光电子信息产业是湖北省武汉市五大优势产业之首，2024年产业规模已达7566亿元，正向万亿级产业集群迈进 [4]

公司产品结构 - 子公司生产化合物半导体产品包括砷化镓晶片和磷化铟晶片[1] 磷化铟晶片应用领域 - 主要用于生产光模块中的激光器和探测器芯片[1] - 下游主要应用于5G通信/数据中心和可穿戴设备领域[1] 砷化镓晶片应用领域 - 主要用于射频器件产品、激光器件、传感器及高亮度发光二极管（HBLED）器件产品[1] - 下游可应用于手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示（MiniLED/MicroLED）、工业激光和面容识别等领域[1]

公司产品结构 - 子公司主要生产砷化镓晶片和磷化铟晶片两类化合物半导体产品 [2] 产品应用领域 - 磷化铟晶片主要用于光模块中的激光器和探测器芯片 下游应用于5G通信/数据中心和可穿戴设备 [2] - 砷化镓晶片主要用于射频器件 激光器件 传感器及高亮度发光二极管器件 下游覆盖手机电脑 通信基站 无人驾驶 新一代显示和工业激光等领域 [2] 客户与供应链 - 化合物半导体材料已向国内外多家客户供货 [2] - 因中间环节较多或下游保密要求 无法披露具体型号产品的使用细节 [2]

股票交易异常波动 - 公司股票连续两个交易日内(2025年8月19日、2025年8月20日)收盘价格涨幅偏离值累计超过20%，属于股票交易异常波动情况 [1] 磷化铟外延生长工艺技术突破 - 近期国内研发机构发布了在6英寸磷化铟外延生长工艺领域的技术突破 [1] 鑫耀公司主营业务 - 控股子公司鑫耀公司主营业务为磷化铟晶片(衬底)、砷化镓晶片(衬底)的生产、销售 [1] 磷化铟晶片尺寸现状 - 目前全球范围内下游客户实际使用的磷化铟晶片尺寸规格为2—4英寸，国内以2英寸、3英寸为主 [1] 更大尺寸磷化铟晶片的挑战 - 向更大尺寸规格产品演进需全产业链各环节技术突破，并受工艺可靠性、成本与产能、政策与市场等因素影响，存在不确定性 [1] 鑫耀公司研发进展 - 鑫耀公司在2—4英寸规格的磷化铟晶片量产后，对更大尺寸产品开展了研究开发，但从研发到规模化生产尚存在较大不确定性 [2] 6英寸磷化铟晶片量产计划 - 公司及鑫耀公司目前并无6英寸磷化铟晶片规模化量产的具体计划，下一步在市场与需求风险、技术风险等可控的前提下，公司方会考虑相关计划 [2]

公司业务与产品 - 子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产化合物半导体产品 包括砷化镓晶片和磷化铟晶片 [1] 磷化铟晶片应用领域 - 主要用于生产光模块中的激光器和探测器芯片 [1] - 下游主要应用于5G通信/数据中心和可穿戴设备等领域 [1] 砷化镓晶片应用领域 - 主要用于射频器件产品 激光器件 传感器和高亮度发光二极管（HBLED）器件产品 [1] - 下游可应用于手机及电脑 通信基站 无人驾驶 新一代显示（Mini LED/Micro LED） 工业激光和面容识别等领域 [1]